30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流为1000μA。器件的非重复峰值正向浪涌电流能力为1.5A，适用于对效率和热性能有一定要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。

5+
￥0.47063 ￥0.4954
50+
￥0.37487 ￥0.3946
150+
￥0.32699 ￥0.3442
500+
￥0.29108 ￥0.3064
3000+
￥0.26239 ￥0.2762
6000+
￥0.248045 ￥0.2611

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型号：BAT43XV2 编号：C463439

封装：SOD-523F

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。扁平引脚，高度为0.60mm的表面贴装器件。极其小巧的塑料封装SOD523F。湿度敏感度等级1。无铅版本且符合RoHS标准。哑光锡（Sn）引脚镀层。绿色模塑料

数据手册

10+
￥0.488
100+
￥0.3925
300+
￥0.3448
1000+
￥0.309

有货

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型号：BAT54WS-E3-08 编号：C917483

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的开启电压。快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。可提供符合AEC-Q101标准的产品。 RoHS合规，有商业级和符合AEC-Q101标准的等级

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10+
￥0.4921
100+
￥0.4119
300+
￥0.3718

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型号：RB160M-30 编号：C2937163

封装：SOD-123

品牌：High Diode(海德)

特性：小电流整流。低电压

数据手册

5+
￥0.4996
50+
￥0.3988
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￥0.3484
500+
￥0.3106

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型号：NSVRB521S30T5G-HXY 编号：C52754539

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

5+
￥0.51547 ￥0.5426
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￥0.41059 ￥0.4322
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￥0.35815 ￥0.377
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￥0.31882 ￥0.3356
3000+
￥0.287375 ￥0.3025
6000+
￥0.271605 ￥0.2859

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型号：PMEG3005AESFYL 编号：C552848

封装：0201

品牌：Nexperia(安世)

平面最大效率通用应用 (MEGA) 肖特基势垒整流器，集成保护环，用于 DSN0603-2 (SDD962-2) 无铅超小型芯片级封装中的应力保护。

数据手册

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￥0.5879
50+
￥0.4724
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￥0.4146
500+
￥0.3713
2500+
￥0.3367
5000+
￥0.3193

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型号：MSS1P3-M3/89A 编号：C111315

封装：MicroSMP

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形：典型高度为0.65mm。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效率。符合MSL 1级标准，LF最大峰值为260℃。可提供AEC-Q101认证。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.6044
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￥0.4797
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￥0.4173
500+
￥0.3706

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型号：MBR130HW 编号：C260260

封装：SOD-123

品牌：SMC(桑德斯)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环瞬态和ESD保护。专为表面贴装应用设计。塑料材料。 UL认证，阻燃等级94V-O。符合ROHS指令的绿色产品。无铅器件。所有SMC部件可追溯到晶圆批次。可根据要求提供额外测试

数据手册

5+
￥0.7282
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￥0.596
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￥0.5298
500+
￥0.4803
3000+
￥0.3984
6000+
￥0.3786

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型号：BAT32ALS-QYL 编号：C7086092

封装：SOD-882

品牌：Nexperia(安世)

通用肖特基二极管，采用超小DFN1006BD-2（SOD882BD）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装，侧面可焊。

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￥0.7365
50+
￥0.726
150+
￥0.719

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型号：XBS023P11R-G-HXY 编号：C52754548

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

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￥0.739575 ￥0.7785
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￥0.589095 ￥0.6201
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￥0.513855 ￥0.5409
500+
￥0.457425 ￥0.4815
3000+
￥0.4123 ￥0.434
6000+
￥0.38969 ￥0.4102

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型号：NSVR0230M2T5G-HXY 编号：C52754556

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和静态功耗要求较高的小型电子电路中，可有效支持信号整流、电源管理及低压保护等功能。

5+
￥0.806835 ￥0.8493
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￥0.642675 ￥0.6765
150+
￥0.560595 ￥0.5901
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￥0.499035 ￥0.5253
2500+
￥0.44973 ￥0.4734
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：PMEG3010CEH,115 编号：C552862

封装：SOD-123F

品牌：Nexperia(安世)

平面最大效率通用型（MEGA）肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

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5+
￥0.8696
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￥0.6958
150+
￥0.6089
500+
￥0.5438
3000+
￥0.4917
6000+
￥0.4656

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型号：STPS1L30U 编号：C222239

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

30 V、1 A低压降功率肖特基整流器

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5+
￥0.9016
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￥0.7027
150+
￥0.6033
500+
￥0.5287

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型号：NRVB130T1G 编号：C223580

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。该封装还为无引脚 34 封装形式提供了一种易于使用的替代方案

数据手册

5+
￥1.4293
50+
￥1.1669
150+
￥1.0545
500+
￥0.9142

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型号：CMIDSH1-3TR-HXY 编号：C52754529

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和30V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在规定工作条件下保持稳定。器件可承受1.5A的峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、极性保护、高频开关及低电压电路等应用，凭借较低的导通压降和较快的开关响应，有助于提升电路效率与可靠性。

5+
￥1.474115 ￥1.5517
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￥1.16774 ￥1.2292
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￥1.036355 ￥1.0909
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￥0.87248 ￥0.9184
3000+
￥0.79952 ￥0.8416
6000+
￥0.75582 ￥0.7956

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型号：B530C-13-F 编号：C110488

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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单价：
￥1.179038 / 个

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型号：CMSSH-3A-HXY 编号：C52754641

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为1V，在30V反向电压下漏电流仅为2μA，具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流达0.6A，适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、钳位及电源管理电路中，尤其适合空间受限且需双通道协同工作的电子系统。

5+
￥2.072995 ￥2.1821
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￥1.642075 ￥1.7285
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￥1.457395 ￥1.5341
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￥1.226925 ￥1.2915
3000+
￥1.124325 ￥1.1835
6000+
￥1.062765 ￥1.1187

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型号：CMSSH-3S-HXY 编号：C52754640

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。在导通状态下，其正向压降（VF）为1V，有助于降低功耗；在反向偏置时，漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、信号解调、电源箝位及高频开关电路等场合。

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￥2.072995 ￥2.1821
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￥1.642075 ￥1.7285
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￥1.457395 ￥1.5341
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￥1.226925 ￥1.2915
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￥1.124325 ￥1.1835
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：CMPSH-3CG-HXY 编号：C52754620

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V，正向压降（VF）典型值为1V，反向漏电流（IR）为2μA。器件具备0.6A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于低电压电源整流、信号箝位、逻辑电平转换及高频开关电路中的续流保护等场景，其共阴极配置有助于简化电路布局并节省空间。