30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAT54S 编号：C171786

封装：SOT-23

品牌：SMC(桑德斯)

特性：可忽略的开关损耗。非常小的传导损耗。低正向压降。表面贴装器件。提供不同引脚排列的双二极管。这是无铅器件。所有SMC部件可追溯到晶圆批次。可根据要求提供额外测试

数据手册

20+
￥0.217
200+
￥0.1727
600+
￥0.1481
3000+
￥0.1167
9000+
￥0.1039
21000+
￥0.0971

有货

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型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）为0.8V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至2μA，体现出优异的反向截止性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的低功率电路，如便携设备电源整流、信号箝位及高频开关应用中的续流保护。

10+
￥0.224105 ￥0.2359
100+
￥0.219165 ￥0.2307
300+
￥0.21584 ￥0.2272
1000+
￥0.21261 ￥0.2238

有货

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型号：PMEG3010CEJ-HXY 编号：C52754530

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）最大为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合，表现出良好的开关特性和稳定性。

10+
￥0.226575 ￥0.2385
100+
￥0.221635 ￥0.2333
300+
￥0.21831 ￥0.2298
1000+
￥0.214985 ￥0.2263

有货

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型号：BAT5403WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754520

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合，具备快速恢复特性和较高的能效表现。

10+
￥0.248995 ￥0.2621
100+
￥0.243485 ￥0.2563
300+
￥0.239875 ￥0.2525
1000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

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型号：B0530W-6AF 编号：C49363387

封装：SOD-123

品牌：FOSAN(富捷/富信)

10+
￥0.2535
100+
￥0.1986
300+
￥0.1712
3000+
￥0.1506

有货

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型号：BAT54SQ 编号：C2942470

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。防潮敏感度等级1。低正向电压肖特基整流器。 VR 30V。 IFAV 0.2A

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20+
￥0.2547
200+
￥0.2029
600+
￥0.1741

有货

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型号：B5818WS 编号：C5295412

封装：SOD-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

数据手册

10+
￥0.2549
100+
￥0.1997
300+
￥0.1721

有货

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型号：BAT54W-7-F 编号：C134417

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

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20+
￥0.2576
200+
￥0.2065
600+
￥0.1781

有货

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型号：B5818W 编号：C2910074

封装：SOD-123

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

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10+
￥0.2686
100+
￥0.2158
300+
￥0.1894

有货

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型号：RB751SM-40FHT2R 编号：C880928

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。低电容。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.2921
100+
￥0.228
300+
￥0.1959
1000+
￥0.1719
5000+
￥0.1526

有货

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型号：B5818W 编号：C699110

封装：SOD-123

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：VR 20V/30V/40V-IFAV 1A。应用：极快开关

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10+
￥0.2979
100+
￥0.2393
300+
￥0.21

有货

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型号：BAT43WS-HE3-08-HXY 编号：C50176895

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压开关电路。其正向导通压降（VF）典型值为1V，在小电流工作条件下可有效降低功耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）低至0.5μA，表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器以及信号整流等场景，尤其适合对功耗和空间有严格要求的低功率应用，能够满足高频开关和高效能转换的技术需求。

5+
￥0.31122 ￥0.3276
50+
￥0.30438 ￥0.3204
150+
￥0.29982 ￥0.3156
500+
￥0.29526 ￥0.3108

有货

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型号：RB520CS-30T2R 编号：C308729

封装：SOD-923

品牌：ROHM(罗姆)

特性：超小功率模塑类型 (VMN2)。低反向电流 (IR)。高可靠性。应用：低电流整流

数据手册

5+
￥0.3224
50+
￥0.2804
150+
￥0.2594
500+
￥0.2436
2500+
￥0.231
5000+
￥0.2247

有货

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型号：BAT30KFILM(TOKMAS) 编号：C52940998

封装：SOD-523

品牌：Tokmas(托克马斯)

正反向耐压：30V 正向压(VF)：550mV@300mA 整流电流：350mA

10+
￥0.34677 ￥0.3853
100+
￥0.27333 ￥0.3037
300+
￥0.23661 ￥0.2629
3000+
￥0.20907 ￥0.2323
6000+
￥0.18702 ￥0.2078
9000+
￥0.17595 ￥0.1955

有货

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3707
100+
￥0.2978
300+
￥0.2614
3000+
￥0.2175

有货

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型号：SBA130CS_R1_00001 编号：C391693

封装：SOD-323

品牌：PANJIT(强茂)

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10+
￥0.4116
100+
￥0.33
300+
￥0.2892
1000+
￥0.2586

有货

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型号：BAT54WS-E3-08 编号：C917483

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的开启电压。快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。可提供符合AEC-Q101标准的产品。 RoHS合规，有商业级和符合AEC-Q101标准的等级

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10+
￥0.4701
100+
￥0.3908
300+
￥0.3512

有货

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型号：1N5818-T 编号：C156296

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.4942
100+
￥0.4016
300+
￥0.3553
1000+
￥0.3206

有货

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型号：BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754527

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及高频开关等应用场景，具备响应速度快、导通损耗小的特点。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
150+
￥0.479655 ￥0.5049
500+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

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型号：RB520SM-30FHT2R 编号：C2971749

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小型封装。低正向电压。应用：小电流整流

数据手册

5+
￥0.5398
50+
￥0.4289
150+
￥0.3735
500+
￥0.3319

有货

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型号：1PS79SB31,135 编号：C551404

封装：SOD-523

品牌：Nexperia(安世)

采用SOD523（SC - 79）超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的平面肖特基势垒二极管。

数据手册

5+
￥0.5429
50+
￥0.4344
150+
￥0.3802
500+
￥0.3395
2500+
￥0.307
5000+
￥0.2907

有货

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型号：B330B-13-F 编号：C134450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

2+
￥0.5677
20+
￥0.4591
60+
￥0.4047
200+
￥0.364

有货

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型号：SK53AFL-TP 编号：C780074

封装：DO-221AC

品牌：MCC(美微科)

特性：无卤“绿色”器件。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合标准）。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1

数据手册

5+
￥0.6287
50+
￥0.5087
150+
￥0.4487
500+
￥0.4037

有货

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型号：BAT54JW-7-F 编号：C134409

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2个独立式

数据手册

5+
￥0.71355 ￥1.065
50+
￥0.535344 ￥0.9392
150+
￥0.416091 ￥0.8853
500+
￥0.384507 ￥0.8181
3000+
￥0.370454 ￥0.7882
6000+
￥0.361994 ￥0.7702

有货

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型号：NSR0140P2T5G 编号：C146796

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装 SOD923 封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

5+
￥0.7196
50+
￥0.5945
150+
￥0.532
500+
￥0.485

有货

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型号：B130LB-13-F 编号：C110478

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功率损耗，高效率。浪涌过载额定值为 40A 峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：260℃/10 秒（端子）。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.7564
50+
￥0.6106
150+
￥0.5377
500+
￥0.4831

有货

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型号：PMEG3010CEJ,115 编号：C552863

封装：SOD-323F

品牌：Nexperia(安世)

平面最大效率通用型（MEGA）肖特基势垒整流器，带有用于应力保护的集成保护环，封装在小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

数据手册

1+
￥1.59952
10+
￥1.3806
30+
￥1.05053
100+
￥0.9763
300+
￥0.87948

我要订货

型号：CMDSH-3-HXY 编号：C52754582

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。

5+
￥1.12024 ￥1.1792
50+
￥1.095635 ￥1.1533
150+
￥1.0792 ￥1.136
500+
￥1.062765 ￥1.1187

有货

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型号：B330LA-E3/61T 编号：C3758459

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。应用：用于低压、高频逆变器。续流

1+
￥1.35
10+
￥1.32
30+
￥1.3
100+
￥1.2544 ￥1.28

有货

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型号：MBRM130LT3G 编号：C897014

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.5293
50+
￥1.2257
150+
￥1.0955
500+
￥0.8447
2500+
￥0.7724
5000+
￥0.7291

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