30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：高可靠性。小型封装。超低正向电压（VF）。应用：小电流整流

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型号：SBAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754546

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降为0.8V，反向漏电流低至2μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流，适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路，如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

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￥0.268945 ￥0.2831
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￥0.214225 ￥0.2255
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￥0.186865 ￥0.1967
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￥0.166345 ￥0.1751
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￥0.14174 ￥0.1492

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型号：SMMSD301T1G-HXY 编号：C52754567

封装：SOD-123

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流能力，反向耐压达30V。其正向压降典型值为0.45V，有助于降低导通损耗；在关断状态下，反向漏电流仅为0.5μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达4A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、箝位及电源路径切换等电路场合。

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￥0.280155 ￥0.2949
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￥0.223155 ￥0.2349
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￥0.194655 ￥0.2049
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￥0.17328 ￥0.1824
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￥0.14763 ￥0.1554

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型号：SDM03U40-7 编号：C151333

封装：SOD-523

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容

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10+
￥0.2833
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￥0.2305
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￥0.2042

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型号：BAT54TW 编号：C5155462

封装：SOT-363

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低正向压降。快速开关。超小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本。应用：高速开关应用

数据手册

10+
￥0.2892
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￥0.2297
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￥0.1999
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型号：SDM20U30LP-7 编号：C139438

封装：X1-DFN1006-2

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。低电容。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.2893
100+
￥0.2255
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￥0.1936
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￥0.1697

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型号：RB751SM-40FHT2R 编号：C880928

封装：SOD-523

特性：高可靠性。小封装类型。低电容。应用：高速开关

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10+
￥0.2921
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￥0.228
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￥0.1959
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型号：BAT54W-7-F 编号：C134417

封装：SOT-323(SC-70)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

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20+
￥0.3041
200+
￥0.2388
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￥0.2025

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型号：BAT54CTA 编号：C460164

封装：SOT-23-3

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电（ESD）保护，完全无铅，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

10+
￥0.305
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￥0.2535
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￥0.2278
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￥0.2085

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型号：RB521S-30GTE61 编号：C38967733

封装：SOD-523

特性：超小型表面安装型（EMD2）。尽管尺寸小，但可保证10 = 200mA。低Vr，正向电压Vf = 0.40V（典型值，200mA时）。应用：低电流整流。高速开关

10+
￥0.3062
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￥0.2386
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￥0.2049
3000+
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型号：WSB5558N-2/TR 编号：C240198

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：100mA平均整流正向电流。低正向电压。低漏电流。小型DFN1006-2L封装。应用：低电流整流

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10+
￥0.3067
100+
￥0.2443
300+
￥0.2131
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￥0.171

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型号：RB520CS-30T2R 编号：C308729

封装：SOD-923

特性：超小功率模塑类型 (VMN2)。低反向电流 (IR)。高可靠性。应用：低电流整流

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5+
￥0.3224
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￥0.2804
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￥0.2594
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2500+
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型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

10+
￥0.34067 ￥0.3586
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￥0.271415 ￥0.2857
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￥0.23674 ￥0.2492
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￥0.21071 ￥0.2218
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型号：BAT54TW 编号：C77327

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低正向压降。快速开关。小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。提供无铅版本

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10+
￥0.3437
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型号：NSR0230M2T5G-HXY 编号：C52754555

封装：SOD-323

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向截止特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对功耗敏感的整流、信号检波、电源管理及便携式电子设备中的高效能电路。

10+
￥0.358625 ￥0.3775
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￥0.285665 ￥0.3007
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￥0.249185 ￥0.2623
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￥0.221825 ￥0.2335
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型号：RB751G-40T2R-HXY 编号：C52754614

封装：SOD-723

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

10+
￥0.36309 ￥0.3822
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￥0.28918 ￥0.3044
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￥0.25232 ￥0.2656
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￥0.22458 ￥0.2364
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￥0.202445 ￥0.2131
8000+
￥0.19133 ￥0.2014

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。

10+
￥0.378765 ￥0.3987
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￥0.30172 ￥0.3176
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￥0.26315 ￥0.277
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￥0.23427 ￥0.2466
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￥0.211185 ￥0.2223
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￥0.199595 ￥0.2101

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型号：BAT42WS-7-F 编号：C134397

封装：SOD-323

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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单价：
￥0.377897 / 个

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型号：BAT54SDW-7-F-HXY 编号：C50177005

封装：SOT-363

该肖特基二极管额定平均整流电流（IF）为0.2A，最大反向重复电压（VR）为30V，适用于低电压直流电路中的整流与隔离应用。其正向导通压降为1V，在低电流条件下可有效减少功率损耗，提高电源效率。反向漏电流为2µA，具备较好的反向阻断能力。该器件常用于便携式电子设备、电池供电系统、开关电源、适配器以及各类消费类电子产品中的续流、防反接和保护电路，具有响应速度快、开关特性优良的特点，适合高频工作环境。

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￥0.403465 ￥0.4247
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￥0.321385 ￥0.3383
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￥0.280345 ￥0.2951
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￥0.249565 ￥0.2627
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￥0.224865 ￥0.2367
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￥0.21261 ￥0.2238

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型号：SD107WS-7-F-HXY 编号：C52754583

封装：SOD-323