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首页 > 热门关键词 > 30V肖特基二极管
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电压:30V 电流:200mA
型号：BAT54S 编号：C5243890
封装：SOT-23
品牌：JUXING(钜兴)
特性：极快的开关速度

  • 50+

    ￥0.07543 ￥0.0794

  • 500+

    ￥0.058805 ￥0.0619

  • 3000+

    ￥0.049495 ￥0.0521

  • 6000+

    ￥0.043985 ￥0.0463

  • 24000+

    ￥0.03914 ￥0.0412

  • 51000+

    ￥0.036575 ￥0.0385
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    RB521S30T1G-HXY
    型号：RB521S30T1G-HXY 编号：C52754543
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。

    • 20+

      ￥0.076 ￥0.08

    • 200+

      ￥0.07429 ￥0.0782

    • 600+

      ￥0.07315 ￥0.077

    • 3000+

      ￥0.072105 ￥0.0759
  • 有货
    • 立即购买
    SDM20U30-7-HXY
    型号：SDM20U30-7-HXY 编号：C52754547
    封装：SOD-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.5V，有助于降低导通损耗，同时在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为30μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

    • 20+

      ￥0.077235 ￥0.0813

    • 200+

      ￥0.075525 ￥0.0795

    • 600+

      ￥0.074385 ￥0.0783

    • 3000+

      ￥0.073245 ￥0.0771
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54 编号：C7528904
    封装：SOT-23
    品牌：AM(安美)
    二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@0.1A

    • 50+

      ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0609

    • 3000+

      ￥0.0513

    • 6000+

      ￥0.0456

    • 24000+

      ￥0.0406

    • 51000+

      ￥0.0379
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54WS 编号：C438012
    封装：SOD-323
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。过压保护。低功耗，高效率。高电流能力。低正向压降。高浪涌能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0822

    • 500+

      ￥0.0636

    • 3000+

      ￥0.0533
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54C 编号：C7528906
    封装：SOT-23
    品牌：AM(安美)
    二极管配置：1对共阳极 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@0.1A

    • 50+

      ￥0.088

    • 500+

      ￥0.0686

    • 3000+

      ￥0.0578

    • 6000+

      ￥0.0513

    • 24000+

      ￥0.0457

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 有货
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    电压:30V 电流:0.5A
    型号：HRB551V30TE17 编号：C42389391
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管具有0.5A的正向平均整流电流(IF)和30V的反向耐压(VR)，适用于需要高效能、低电压降的应用场景。其正向电压降(VF)仅为0.47V，确保了在导通状态下功耗较低。反向漏电流(IR)控制在100μA以内，表明其优秀的反向阻断能力。此外，它能够承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)，为电路提供额外的安全保护。这款二极管适合于对效率和稳定性有较高要求的电子设备中使用。

    • 20+

      ￥0.090304 ￥0.1088

    • 200+

      ￥0.088312 ￥0.1064

    • 600+

      ￥0.086984 ￥0.1048

    • 3000+

      ￥0.081921 ￥0.0987
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:0.2A
    型号：BAT54S 编号：C5278883
    封装：SOT-23
    品牌：PAKER(派克微)
    峰值前浪涌电流 (Ifsm) 0.6A SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等

    • 50+

      ￥0.09291 ￥0.0978

    • 500+

      ￥0.07239 ￥0.0762

    • 3000+

      ￥0.06099 ￥0.0642

    • 6000+

      ￥0.05415 ￥0.057

    • 24000+

      ￥0.048165 ￥0.0507

    • 51000+

      ￥0.04503 ￥0.0474
  • 有货
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    肖特基二极管
    型号：BAT54SDW 编号：C49309299
    封装：SOT-363
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：低正向压降。 快速开关。 小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 提供无铅版本

    • 20+

      ￥0.0931

    • 200+

      ￥0.091

    • 600+

      ￥0.0897

    • 3000+

      ￥0.0883
  • 有货
    • 立即购买
    肖特基二极管
    型号：BAT54CDW 编号：C49309300
    封装：SOT-363
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：低正向压降。 快速开关。 小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 提供无铅版本

    • 20+

      ￥0.0931

    • 200+

      ￥0.091

    • 600+

      ￥0.0897

    • 3000+

      ￥0.0883
  • 订货
    • 我要订货
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54A 编号：C466636
    封装：SOT-23
    品牌：High Diode(海德)
    特性：极快的开关速度
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0965

    • 500+

      ￥0.0768

    • 3000+

      ￥0.0585

    • 6000+

      ￥0.052

    • 24000+

      ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.0432
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54WSX 编号：C5364063
    封装：SOD-323
    品牌：晶扬电子
    特性：低正向电压。 保护环保护。 小型塑料贴片SOD-323封装。 无卤和无锑（HAF），符合RoHS标准。应用：超高速开关。 电压钳位
    数据手册

    • 50+

      ￥0.096906 ￥0.1042

    • 500+

      ￥0.07533 ￥0.081

    • 3000+

      ￥0.06417 ￥0.069

    • 6000+

      ￥0.056916 ￥0.0612

    • 24000+

      ￥0.050685 ￥0.0545

    • 51000+

      ￥0.047337 ￥0.0509
  • 有货
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    电压:30V 电流:0.1A
    型号：BAT54S 编号：C5342815
    封装：SOT-23
    品牌：XCH(旭昌辉)
    芯片采用外延平面结构，具有较低的导通压降，适用于开关电路。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0978

    • 500+

      ￥0.0762

    • 3000+

      ￥0.0642

    • 6000+

      ￥0.057

    • 24000+

      ￥0.0507

    • 51000+

      ￥0.0474
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:1A
    型号：B5818W 编号：C353566
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：金属硅结，多数载流子传导。 过压保护。 低功耗，高效率。 高电流能力。 低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1013

    • 500+

      ￥0.0786

    • 3000+

      ￥0.066
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54C 编号：C596242
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    特性：无卤和无锑（HAF），符合RoHS标准。 SOT-23塑料封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1032

    • 500+

      ￥0.0816

    • 3000+

      ￥0.0642
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:0.2A 停产
    型号：BAT54S 编号：C5249666
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    最大耗散功率(W) 0.2，最大反向恢复时间Trr(ns) 5
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1047

    • 100+

      ￥0.0762

    • 300+

      ￥0.0604

    • 3000+

      ￥0.0573

    • 6000+

      ￥0.0491

    • 9000+

      ￥0.0446
  • 订货
    • 我要订货
    电压:30V 电流:100mA
    型号：BAT43WS 编号：C2919745
    封装：SOD-323
    品牌：CBI(创基)
    电流:0.2A 电压:30V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.105

    • 500+

      ￥0.0818

    • 3000+

      ￥0.0637

    • 6000+

      ￥0.056

    • 24000+

      ￥0.0492

    • 51000+

      ￥0.0456
  • 有货
    • 立即购买
    200mA表面贴装肖特基二极管
    型号：RB521S-30 编号：C397596
    封装：SOD-523
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压30V、正向电流200mA、正向压降0.5V@200mA、SOD-523封装；功能：完成高频电路的低损耗整流、低压降续流；应用：便携式设备（如蓝牙耳机）的供电回路、高频信号整流电路等
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10678 ￥0.1124

    • 500+

      ￥0.083695 ￥0.0881

    • 3000+

      ￥0.063365 ￥0.0667

    • 6000+

      ￥0.05567 ￥0.0586

    • 24000+

      ￥0.048925 ￥0.0515

    • 51000+

      ￥0.045315 ￥0.0477
  • 订货
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    RKD700KL#R1-HXY
    型号：RKD700KL#R1-HXY 编号：C52754615
    封装：SOD-723
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于对效率和功耗敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

    • 20+

      ￥0.1083 ￥0.114

    • 200+

      ￥0.105925 ￥0.1115

    • 600+

      ￥0.104405 ￥0.1099

    • 2000+

      ￥0.10279 ￥0.1082
  • 有货
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    MBR0530-HXY
    型号：MBR0530-HXY 编号：C52754439
    封装：SOD-123
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管为独立式配置，具有0.5A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下为80μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。

    • 20+

      ￥0.110865 ￥0.1167

    • 200+

      ￥0.108395 ￥0.1141

    • 600+

      ￥0.10678 ￥0.1124

    • 3000+

      ￥0.105165 ￥0.1107
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：TPB01A30-0201 编号：C2858719
    封装：DFN0603-2
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款肖特基二极管，正向导通电压VF低，确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1129

    • 200+

      ￥0.1106

    • 600+

      ￥0.109

    • 2000+

      ￥0.1075
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装肖特基二极管
    型号：BAT54T 编号：C541629
    封装：SOT-523-3
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压30V，正向电流200mA，SOT-523封装；功能：小信号高速整流与开关；应用：微型传感器、超薄便携设备等
    数据手册

    • 50+

      ￥0.11343 ￥0.1194

    • 500+

      ￥0.088825 ￥0.0935

    • 3000+

      ￥0.06707 ￥0.0706

    • 6000+

      ￥0.0589 ￥0.062

    • 24000+

      ￥0.051775 ￥0.0545

    • 51000+

      ￥0.04788 ￥0.0504
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54SW 编号：C7432405
    封装：SOT-323
    品牌：KUU
    SBD肖特基二极管 LBAT54SWT1G BAT54SW_R1_00001 BAT54SW-7-F BAT54SWT-TP BAT54SW,115

    • 50+

      ￥0.1137

    • 500+

      ￥0.0894

    • 3000+

      ￥0.0722

    • 6000+

      ￥0.0641

    • 24000+

      ￥0.0571

    • 51000+

      ￥0.0533
  • 有货
    • 立即购买
    200mA表面贴装肖特基二极管
    型号：RB520S-30 编号：C541680
    封装：SOD-523
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压30V，正向电流200mA,正向电压0.6V@200mA，SOD-523封装；功能：小信号电路整流与续流，适配微型低功耗电路；应用：微型数码设备、传感器电源等
    数据手册

    • 20+

      ￥0.114665 ￥0.1207

    • 200+

      ￥0.08797 ￥0.0926

    • 600+

      ￥0.07315 ￥0.077

    • 3000+

      ￥0.064315 ￥0.0677

    • 9000+

      ￥0.056525 ￥0.0595

    • 21000+

      ￥0.05244 ￥0.0552
  • 订货
    • 我要订货
    电压:30V 电流:0.5A
    型号：B0530W 编号：C437999
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导率。 也有无铅版本
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    BAT760-7-HXY
    型号：BAT760-7-HXY 编号：C52754528
    封装：SOD-323
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在正常工作条件下维持合理水平。器件可承受的峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合，凭借较低的VF值和快速恢复特性，有助于提升系统整体效率与响应速度。

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    电压:30V 电流:500mA
    型号：B0530W 编号：C475611
    封装：SOD-123
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。也有无铅版本
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54CW 编号：C7528908
    封装：SOT-323
    品牌：AM(安美)
    二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@100mA

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    电压:30V 电流:0.2A
    型号：BAT54C 编号：C2992451
    封装：SOT-23
    品牌：PANJIT(强茂)
    特性：低开启电压。 快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
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    BAR43CFILM-HXY
    型号：BAR43CFILM-HXY 编号：C52754629
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在30V反向电压下漏电流（IR）仅为2μA，具备较低的导通损耗与优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源极性保护等电路场合。

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