30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：B0530W 编号：C475611

封装：SOD-123

品牌：SHIKUES(时科)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。也有无铅版本

数据手册

50+
￥0.11837 ￥0.1246
500+
￥0.09348 ￥0.0984
3000+
￥0.07372 ￥0.0776
6000+
￥0.065455 ￥0.0689
24000+
￥0.05833 ￥0.0614
51000+
￥0.054435 ￥0.0573

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型号：B5818WS 编号：C7603171

封装：SOD-323

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：金属硅结，多数载流子传导。过压保护。低功耗，高效率。高电流能力。低正向压降。高浪涌能力。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

50+
￥0.1199
500+
￥0.094
3000+
￥0.0768
6000+
￥0.0682
24000+
￥0.0607
51000+
￥0.0567

有货

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型号：BAT54CW 编号：C6069526

封装：SOT-323

品牌：YFW(佑风微)

特性：极快的开关速度。低正向电压

20+
￥0.12016 ￥0.1502
200+
￥0.09424 ￥0.1178
600+
￥0.07984 ￥0.0998
3000+
￥0.0712 ￥0.089
9000+
￥0.06376 ￥0.0797
21000+
￥0.05968 ￥0.0746

有货

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型号：BAT54 编号：C49435667

封装：SOT-23-3

品牌：Huixin(慧芯)

独立式，200mA/30V，正向压降：1000mV@100mA，适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
3000+
￥0.0832

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型号：BAT54AW 编号：C5240622

封装：SOT-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：极快的开关速度。低正向电压

数据手册

20+
￥0.12767 ￥0.1502
200+
￥0.10013 ￥0.1178
600+
￥0.08483 ￥0.0998
3000+
￥0.07259 ￥0.0854
9000+
￥0.064685 ￥0.0761
21000+
￥0.06035 ￥0.071

有货

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型号：RB751S-40 编号：C968412

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：YANGJIE(扬杰)

RB751S-40-F2-0000HF

数据手册

50+
￥0.1298
500+
￥0.1028
1500+
￥0.0878

有货

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型号：HBAT54SWT1G 编号：C42389390

封装：SOT-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流（IF），以及30V的最高反向电压（VR），确保了在多种电路设计中的可靠性。它在正向导通时的电压降（VF）为1V，有助于减少能量损耗。该二极管在无正向电流时的反向漏电流（IR）小于2微安，表明其良好的阻断性能。此外，它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流（IFSM）。鉴于这些特点，这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

20+
￥0.13107 ￥0.1542
200+
￥0.102085 ￥0.1201
600+
￥0.08602 ￥0.1012
3000+
￥0.07633 ￥0.0898
9000+
￥0.068 ￥0.08
21000+
￥0.063495 ￥0.0747

有货

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型号：BAT54WS 编号：C49435668

封装：SOD-323

品牌：Huixin(慧芯)

独立式，300mA/30V，正向压降：1000mV@100mA，适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

20+
￥0.132968 ￥0.1511
200+
￥0.10428 ￥0.1185
600+
￥0.088352 ￥0.1004
3000+
￥0.078848 ￥0.0896
9000+
￥0.070488 ￥0.0801
21000+
￥0.066088 ￥0.0751

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型号：MBRX130 编号：C2687558

封装：SOD-123FL

品牌：SHIKUES(时科)

特性：金属硅结，多数载流子传导。过压保护。低功耗，高效率。高电流能力。低正向压降。高浪涌能力

数据手册

20+
￥0.13452 ￥0.1416
200+
￥0.106685 ￥0.1123
600+
￥0.0912 ￥0.096
3000+
￥0.073435 ￥0.0773
9000+
￥0.06536 ￥0.0688
21000+
￥0.06099 ￥0.0642

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型号：NSVBAT54HT1G-HXY 编号：C52754521

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

20+
￥0.135565 ￥0.1427
200+
￥0.106305 ￥0.1119
600+
￥0.09006 ￥0.0948
3000+
￥0.08037 ￥0.0846
9000+
￥0.071915 ￥0.0757
21000+
￥0.067355 ￥0.0709

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型号：LRB521BS-30T5G 编号：C383262

封装：SOD-882

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：极小的表面贴装类型（SOD882）。低正向电压（VF）。高可靠性。产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：低电流整流

数据手册

20+
￥0.1361
200+
￥0.1091
600+
￥0.0941
2000+
￥0.0851

有货

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型号：MA729 编号：C475716

封装：SOD-323

品牌：SHIKUES(时科)

特性：低正向电压

数据手册

20+
￥0.13775 ￥0.145
200+
￥0.109345 ￥0.1151
600+
￥0.093575 ￥0.0985
3000+
￥0.074765 ￥0.0787
9000+
￥0.066595 ￥0.0701
21000+
￥0.062225 ￥0.0655

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型号：RB521D3-30 编号：C7529092

封装：DFN0603-2L

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：530mV@100mA

20+
￥0.13927 ￥0.1466
200+
￥0.10849 ￥0.1142
600+
￥0.09139 ￥0.0962
2000+
￥0.08113 ￥0.0854
15000+
￥0.072295 ￥0.0761
30000+
￥0.06745 ￥0.071

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型号：RB510SM-30T2R-HXY 编号：C52754597

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具备0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向截止特性。器件能承受最大1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源极性保护、信号解调以及低电压供电系统中的续流路径等应用场合。

20+
￥0.14269 ￥0.1502
200+
￥0.11191 ￥0.1178
600+
￥0.09481 ￥0.0998
3000+
￥0.08455 ￥0.089
9000+
￥0.075715 ￥0.0797
21000+
￥0.07087 ￥0.0746

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型号：RB521S30YL-HXY 编号：C52754544

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降典型值为0.5V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为30μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流达1A，适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或信号处理场合。由于其低VF与快速恢复特性，常用于电源管理、电池保护及高频开关电路中。

20+
￥0.14269 ￥0.1502
200+
￥0.11191 ￥0.1178
600+
￥0.09481 ￥0.0998
3000+
￥0.08455 ￥0.089
9000+
￥0.075715 ￥0.0797
21000+
￥0.07087 ￥0.0746

有货

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型号：RB521S30T1G-HXY 编号：C52754543

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低功耗；反向漏电流（IR）为30μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压整流、高频信号检波、电源极性保护及小型电子设备中的续流路径等应用场景。

20+
￥0.145065 ￥0.1527
200+
￥0.11381 ￥0.1198
600+
￥0.096425 ￥0.1015
3000+
￥0.085975 ￥0.0905
9000+
￥0.07695 ￥0.081
21000+
￥0.072105 ￥0.0759

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型号：LDSR01S30ST5G 编号：C383209

封装：DFN0603-2

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。超小表面贴装类型（DFN0603）。低反向电流（IR）。高可靠性。应用：低电流整流

数据手册

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
2000+
￥0.0854

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型号：RB520G-30 编号：C50176901

封装：SOD-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有0.2A的平均整流电流（IF）和30V的反向耐压（VR），适用于低电压、小电流的电源整流与续流应用。其正向导通压降仅为0.45V（VF），可有效降低功耗，提升系统效率。在反向截止状态下，漏电流低至0.5μA（IR），表现出良好的阻断特性。器件适用于便携式电子设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理电路，尤其适合对能效和空间布局有较高要求的场合，为高频开关电源、DC-DC转换器等提供可靠的性能支持。

20+
￥0.1502
200+
￥0.1178
600+
￥0.0998

有货

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型号：BAT54T 编号：C475621

封装：SOD-123

品牌：SHIKUES(时科)

特性：低开启电压。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。应用：肖特基势垒探测器和开关二极管

数据手册

20+
￥0.15333 ￥0.1614
200+
￥0.121125 ￥0.1275
600+
￥0.103265 ￥0.1087
3000+
￥0.084835 ￥0.0893
9000+
￥0.075525 ￥0.0795
21000+
￥0.07049 ￥0.0742

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型号：RB530SM-30T2R-HXY 编号：C52754545

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有0.2A的正向电流能力，最大反向电压为30V。其正向压降为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为30μA，表现出良好的阻断性能。器件可承受高达1A的峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能敏感的低功率电路，如便携设备电源管理、信号整流及高频开关应用等场景。

20+
￥0.15941 ￥0.1678
200+
￥0.12502 ￥0.1316
600+
￥0.105925 ￥0.1115
3000+
￥0.09443 ￥0.0994
9000+
￥0.08455 ￥0.089
21000+
￥0.079135 ￥0.0833

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型号：BAT54SW 编号：C5274444

封装：SOT-323

品牌：LGE(鲁光)

特性：低正向压降。快速开关。超小型表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。应用：通用开关应用

数据手册

20+
￥0.1627
200+
￥0.1276
600+
￥0.1081
3000+
￥0.0964
9000+
￥0.0863
21000+
￥0.0808

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型号：BAT43W-6AF 编号：C49009936

封装：SOD-123

品牌：FOSAN(富捷/富信)

20+
￥0.1702
200+
￥0.1313
600+
￥0.1096
3000+
￥0.0967

有货

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型号：BAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754537

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗电路中可有效减少能量损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，有助于提升系统能效。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。