30V肖特基二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RB160M-30 环保编号：C21558

封装：SOD-123

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：小电流整流。低电压

数据手册

10+
￥0.349
100+
￥0.2832
300+
￥0.2503
3000+
￥0.2257

有货

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型号：CDBQC0130L-HF 编号：C2886012

封装：SOD-923F

品牌：Comchip(典琦)

特性：低正向电压。设计用于小表面安装。超薄封装。多数载流子传导

数据手册

10+
￥0.355
100+
￥0.2854
300+
￥0.2506
1000+
￥0.2245
5000+
￥0.2036

有货

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型号：BAR43SFILM 编号：C163328

封装：SOT-23-3L

品牌：ST(意法半导体)

30 V、100 mA Vf 0.33 V @ 2 mA SMD通用信号肖特基二极管

数据手册

10+
￥0.3561
100+
￥0.2835
300+
￥0.2473
3000+
￥0.2201

有货

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型号：RSX051VAM30TR 编号：C3020227

封装：SOD-323HE-2

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。低正向电压（VF）和低反向电流（IR）。应用：一般整流

数据手册

5+
￥0.37005 ￥0.7401
50+
￥0.23076 ￥0.5769
150+
￥0.14859 ￥0.4953
500+
￥0.1302 ￥0.434
3000+
￥0.11553 ￥0.3851
6000+
￥0.10818 ￥0.3606

有货

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型号：RB550VAM-30TR 编号：C250129

封装：SOD-323HE

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。低正向电压。应用：一般整流

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10+
￥0.3754
100+
￥0.3017
300+
￥0.2648

有货

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型号：B130LAW-7-F 编号：C129191

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。极低正向压降。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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单价：
￥0.30644 / 个

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型号：B230-13-F(MS) 编号：C22399267

封装：SMB

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款肖特基采用SMB封装,他具备正向压降(Vf)：0.55V@2A,直流反向耐压(Vr):30V平均整流电流(Io):2A适用于各种需要高效能电源转换、高频信号处理、电池充电保护、以及任何需要快速响应和低功耗特性的电路设计，强劲的性能满足你的电路设计需求

5+
￥0.45369 ￥0.5041
50+
￥0.35865 ￥0.3985
150+
￥0.31113 ￥0.3457
500+
￥0.27549 ￥0.3061
2500+
￥0.24696 ￥0.2744
5000+
￥0.23265 ￥0.2585

有货

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型号：BAT54LP-7 编号：C134410

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向电压降。快速开关。超小无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所述），具有高可靠性

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5+
￥0.4788
50+
￥0.3777
150+
￥0.3271
500+
￥0.2892

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型号：BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY 编号：C52754527

封装：SOD-323

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为1000μA，适用于对效率和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适合用于电源整流、信号检波及高频开关等应用场景，具备响应速度快、导通损耗小的特点。