350mW稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX84C2V7 编号：C5244777

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.7972
50+
￥0.7813
200+
￥0.7707

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型号：BZX84B18-TP 编号：C779205

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：平面芯片结构。齐纳电压范围：2.4V-75V。非常适合自动化组装过程。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准

数据手册

1+
￥1.42
10+
￥1.39
30+
￥1.37

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型号：BZX84C10 编号：C5244761

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.5743
50+
￥1.2709
150+
￥1.1409

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型号：BZX84C6V8 编号：C5244796

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.6946
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￥1.3681
150+
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型号：BZX84C5V6 编号：C5244792

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.7365
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500+
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型号：BZX84C4V3 编号：C5244785

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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型号：BZX84C33 编号：C5244778

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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￥2.1314
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型号：BZX84C16 编号：C5244770

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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￥2.4252
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型号：BZT52B11 编号：C21714223

封装：SOD-123

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