350mW稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX84C3V9 编号：C5244782

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.7752
50+
￥0.7597
150+
￥0.7494

有货

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型号：BZX84C47 编号：C5244787

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.5876
50+
￥1.2929
150+
￥1.1666

有货

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型号：BZX84C3V0 编号：C5244780

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.7522
50+
￥1.3743
150+
￥1.2296

有货

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型号：MMSZ4679-MS 编号：C41383961

封装：SOD-123

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款稳压二极管。采用SOD-123,具有较低的稳压值（2V）,因此它可能更适用于那些需要低电压稳压的应用场合。此外，它的表面贴装形式使其非常适合现代PCB设计，特别是在空间受限的应用中，被广泛用于电源管理、信号处理、电池充电器、精密测量仪器、音频设备

20+
￥0.0751
200+
￥0.0733
600+
￥0.0722
2000+
￥0.071

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型号：MMSZ5248C 编号：C7529087

封装：SOD-123

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.64V~18.36V 精度：±2% 功率:500mW

50+
￥0.1173
500+
￥0.0914
3000+
￥0.077
6000+
￥0.0684
24000+
￥0.0609
51000+
￥0.0568

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型号：BZX84C6V2-7-01-F 编号：C5244795

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1489
100+
￥0.1454
300+
￥0.143

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型号：MMBZ5225B-7-F 编号：C3728926

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

10+
￥0.1768
100+
￥0.1733
300+
￥0.171

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型号：MMBZ5248B 编号：C2978874

封装：SOT-23

品牌：EIC

特性：齐纳击穿电压范围：3.3V 至 47V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。无铅/符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥0.2368
10+
￥0.1866
30+
￥0.1587

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型号：BZT585B3V9TQ-13 编号：C5605357

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.3287
50+
￥0.3222
150+
￥0.3179

有货

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型号：BZX84C7V5Q-7-F 编号：C7093941

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.3535
50+
￥0.3467
150+
￥0.3423

有货

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型号：MMBZ5255B-7-F 编号：C5244939

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

10+
￥0.3998
100+
￥0.3198
300+
￥0.2798

有货

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型号：BZT585B30TQ-7 编号：C5248686

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.4631
50+
￥0.4539
150+
￥0.4478

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型号：BZT585B9V1TQ-7 编号：C6522730

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.4966
50+
￥0.4868
150+
￥0.4803

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型号：BZT585B10TQ-7 编号：C5583752

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.52
50+
￥0.5097
150+
￥0.5029

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型号：BZT585B24TQ-7 编号：C6522724

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.5346
50+
￥0.5241
150+
￥0.5171

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型号：BZT585B39TQ-7 编号：C5957661

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

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￥0.5346
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￥0.5241
150+
￥0.5171

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型号：BZT585B15TQ-13 编号：C5248683

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.5419
50+
￥0.5312
150+
￥0.5241

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型号：BZX84C8V2 编号：C5244798

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.7752
50+
￥0.7597
150+
￥0.7494

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型号：BZX84C2V7 编号：C5244777

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.7972
50+
￥0.7813
200+
￥0.7707

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型号：CZRF52C5V6 编号：C3765167

封装：SOD-323F

品牌：Comchip(典琦)

5+
￥0.9329
50+
￥0.9117
150+
￥0.8976
500+
￥0.8835

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型号：BZX84C10 编号：C5244761

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.5743
50+
￥1.2709
150+
￥1.1409

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型号：BZX84C6V8 编号：C5244796

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.6946
50+
￥1.3681
150+
￥1.2281

有货

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型号：BZX84C5V6 编号：C5244792

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥1.7365
50+
￥1.362
150+
￥1.2186

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型号：BZT585B12TQ-7 编号：C5566319

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

1+
￥1.76
10+
￥1.73
30+
￥1.7

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型号：BZX84C33 编号：C5244778

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥2.1314
50+
￥1.6717
150+
￥1.4957

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型号：BZX84C16 编号：C5244770

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥2.2796
50+
￥1.7664
150+
￥1.5698

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型号：BZX84B18-TP 编号：C779205

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：平面芯片结构。齐纳电压范围：2.4V-75V。非常适合自动化组装过程。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.54
10+
￥2.03
30+
￥1.82

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型号：BZX84C3V3 编号：C46532940

封装：SOT-23

品牌：POPPULA(宝浦莱)

平面芯片结构 | 功耗350毫瓦 | 齐纳电压范围2.4V-75V | 符合RoHS/绿色EMC标准

50+
￥0.0877
500+
￥0.0688
3000+
￥0.0583

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型号：BZX84C13 编号：C20623317

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

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￥0.1152
500+
￥0.0887
3000+
￥0.0755
6000+
￥0.0667
24000+
￥0.059
51000+
￥0.0549

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型号：BZX84C16 编号：C20623319

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

50+
￥0.1152
500+
￥0.0887
3000+
￥0.0755
6000+
￥0.0667
24000+
￥0.059
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