350mW稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZX84C6V8Q-13-F 编号：C5585000

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1948
100+
￥0.1901
300+
￥0.187

有货

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型号：BZX84C24Q-13-F 编号：C6870226

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.1948
100+
￥0.1901
300+
￥0.187

有货

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型号：BZX84C5V1Q-13-F 编号：C5566732

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.1948
100+
￥0.1901
300+
￥0.187

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型号：BZX84B9V1-7-F 编号：C461802

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

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10+
￥0.1985
100+
￥0.1949
300+
￥0.1926

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型号：MMBZ5254B-7-F 编号：C151817

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

数据手册

10+
￥0.2016
100+
￥0.1976
300+
￥0.195

有货

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型号：BZX84B22-7-F 编号：C460805

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.2031
100+
￥0.1991
300+
￥0.1964

有货

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型号：BZX84C24 编号：C499788

封装：SOT-23

品牌：SMC(桑德斯)

特性：平面芯片结构。350mW 功率耗散。2.4V-51V 标称齐纳电压。5% 标准齐纳电压容差。专为表面贴装应用设计。塑料材料 — UL 认可阻燃等级 94V-0。“- A” 是 AEC-Q101 合格器件。无卤器件。所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次

数据手册

20+
￥0.2098
200+
￥0.1639
600+
￥0.1384
3000+
￥0.1231
9000+
￥0.1099
21000+
￥0.1027

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型号：BZX84C18 编号：C499791

封装：SOT-23

品牌：SMC(桑德斯)

特性：平面芯片结构。350mW 功率耗散。2.4V-51V 标称齐纳电压。5% 标准齐纳电压容差。专为表面贴装应用设计。塑料材料 — UL 认可阻燃等级 94V-0。“- A” 是 AEC-Q101 合格器件。无卤器件。所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次

数据手册

1+
￥0.2115
10+
￥0.1659
30+
￥0.1405
100+
￥0.1253
500+
￥0.1122
1000+
￥0.1051

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型号：BZX84C5V1 编号：C499784

封装：SOT-23

品牌：SMC(桑德斯)

特性：平面芯片结构。350mW 功率耗散。2.4V-51V 标称齐纳电压。5% 标准齐纳电压容差。专为表面贴装应用设计。塑料材料 — UL 认可阻燃等级 94V-0。“- A” 是 AEC-Q101 合格器件。无卤器件。所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次

数据手册

20+
￥0.2124
200+
￥0.1666
600+
￥0.1411
3000+
￥0.1126
9000+
￥0.0994
21000+
￥0.0923

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型号：BZX84B4V3Q-7-F 编号：C5244758

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.2178
100+
￥0.2132
300+
￥0.2101

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型号：MMBZ5244B-7-F 编号：C460908

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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10+
￥0.2235
100+
￥0.2191
300+
￥0.2162

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型号：BZX84C4V3Q-13-F 编号：C7224182

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.2236
100+
￥0.2193
300+
￥0.2165

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型号：BZX84B11-7-F 编号：C5244746

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.225
100+
￥0.2206
300+
￥0.2176

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型号：BZX84C33-7-F 编号：C507919

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

3000+
￥0.108
9000+
￥0.1035
27000+
￥0.1008
36000+
￥0.099

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型号：BZX84B27-7-F 编号：C5244754

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.2281
100+
￥0.2238
300+
￥0.2209

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型号：BZX84C6V2Q-13-F 编号：C705321

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

40000+
￥0.21756
80000+
￥0.213934
160000+
￥0.208495
320000+
￥0.19943

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型号：BZX84C3V9Q-13-F 编号：C7093915

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.2353
100+
￥0.2306
300+
￥0.2275

有货

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型号：MMBZ5250B-7-F 编号：C2987013

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

数据手册

20+
￥0.2532
200+
￥0.1995
600+
￥0.1697

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型号：MMBZ5230B-7-F 编号：C460893

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

数据手册

50+
￥0.1716
3000+
￥0.103983

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型号：BZX84C4V3-7-F 编号：C460825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

54000+
￥0.13404
108000+
￥0.131806
216000+
￥0.128455
432000+
￥0.12287

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型号：BZT585B6V8TQ-13 编号：C6756135

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.2762
50+
￥0.2697
150+
￥0.2654

有货

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型号：BZT585B7V5TQ-7 编号：C6870987

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.2836
50+
￥0.2769
150+
￥0.2725

有货

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型号：BZX84B10-7-F 编号：C151605

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

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3000+
￥0.1403
9000+
￥0.13664

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型号：BZX84C18-TP 编号：C668903

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：平面芯片结构。齐纳电压范围为2.4V-75V。非常适合自动化组装工艺。湿度敏感度等级为1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）

数据手册

10+
￥0.2862
100+
￥0.2358
300+
￥0.2106
3000+
￥0.1732
6000+
￥0.1581
9000+
￥0.1505

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型号：BZX84C3V3-TP 编号：C668905

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：平面芯片结构。齐纳电压范围为2.4V-75V。非常适合自动化组装工艺。湿度敏感度等级为1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）

数据手册

10+
￥0.2884
100+
￥0.238
300+
￥0.2128
3000+
￥0.1754
6000+
￥0.1603
9000+
￥0.1527

订货

我要订货

型号：MMBZ5238B-7-F 编号：C460903

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

数据手册

36000+
￥0.1992
72000+
￥0.19588
144000+
￥0.1909
288000+
￥0.1826

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型号：BZT585B3V6TQ-13 编号：C5605354

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.3287
50+
￥0.3222
150+
￥0.3179

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型号：BZT585B2V4TQ-7 编号：C5248685

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在符合IATF16949:2016认证的工厂生产

5+
￥0.3331
50+
￥0.3265
150+
￥0.3221

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型号：BZX84B3V6-7-F 编号：C3009949

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

10+
￥0.3374
100+
￥0.2742
300+
￥0.2426

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型号：BZX84C12Q-7-F 编号：C2988279

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

48000+
￥0.14892
96000+
￥0.146438
192000+
￥0.142715
384000+
￥0.13651

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