8.9V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-80C

采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件（SMD）封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%（BZV55 - B）和近似±5%（BZV55 - C）的规格可供选择。该系列包含37种型号，标称工作电压从2.4 V 至 75 V

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10+
￥0.5569
100+
￥0.4495
300+
￥0.3958
2500+
￥0.3555
5000+
￥0.3233
10000+
￥0.3071

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型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

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型号：SZ455G 编号：C5369357

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整的电压范围：2.7至200V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

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5+
￥0.5853
50+
￥0.4653
150+
￥0.4053
500+
￥0.3603
2500+
￥0.3118
5000+
￥0.2938

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型号：SMA5913A 编号：C2917850

封装：SMA

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.5957
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￥0.4709
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￥0.4085
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￥0.3617
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

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型号：1SMA5955B 编号：C53403621

封装：SMA

品牌：YFW(佑风微)

PD/W：1.5、VZ (V)：180、1.5W稳压管、SMA、最小包装量：5000PCS

5+
￥0.5976
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￥0.476
150+
￥0.4152
500+
￥0.3696
2500+
￥0.3331
5000+
￥0.3149

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型号：1N5387B 编号：C5334281

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

数据手册

5+
￥0.6087
50+
￥0.4839
150+
￥0.4215
500+
￥0.3747
3000+
￥0.3217
6000+
￥0.3029

有货

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型号：1SMB5927B 编号：C2992884

封装：SMB

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

5+
￥0.625536 ￥0.6516
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￥0.503424 ￥0.5244
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￥0.442368 ￥0.4608
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￥0.396576 ￥0.4131
3000+
￥0.359904 ￥0.3749
6000+
￥0.341568 ￥0.3558

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型号：SMF5913A 编号：C5293669

封装：SOD-123FL

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

IZT(mA)113.6

数据手册

5+
￥0.6313
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￥0.5045
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￥0.4412
500+
￥0.3937

有货

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型号：TP1SMB5925BT3G 编号：C49452359

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6626
50+
￥0.5191
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￥0.4474
500+
￥0.3935

有货

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型号：BZX85C15-TAP 编号：C467533

封装：DO-41 (DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E24标准分级。用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。通过AEC-Q101认证。符合RoHS标准且无卤。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.6653
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￥0.5405
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￥0.4781
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￥0.4313
2500+
￥0.3572
5000+
￥0.3384

有货

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型号：TP1SMB5949BT3G 编号：C49452383

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6657
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￥0.5221
150+
￥0.4504
500+
￥0.3966

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型号：TP1SMB5938BT3G 编号：C49452372

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散Pd：3.0W。齐纳电压Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.6657
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￥0.5221
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￥0.4504
500+
￥0.3966

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型号：TP1SMB5935BT3G 编号：C49452369

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Pd 3.0W。 Vz 3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6657
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6000+
￥0.332

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型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6732
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￥0.5484
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￥0.486
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￥0.4392
3000+
￥0.3386

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型号：TP1SMB5932BT3G 编号：C49452366

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散 Pd：3.0W。齐纳电压 Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.6746
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￥0.5311
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￥0.4055

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型号：1SMA5914B 编号：C5455735

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200 V。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。封装：SMA (DO-214AC) 模压塑料。环氧树脂：UL94V-0级阻燃。引脚：表面贴装成型引脚。极性：色带表示阴极。安装位置：任意。重量：0.093克

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￥0.6874
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￥0.4714
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￥0.4174
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

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型号：TP1SMB5927BT3G 编号：C49452361

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散（Pd）：3.0W。齐纳电压（Vz）：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

5+
￥0.7084
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￥0.5649
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型号：TP1SMB5921BT3G 编号：C49452355

封装：SMB

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：功率耗散Pd：3.0W。齐纳电压Vz：3.3V-200V。玻璃钝化芯片。标记条指示阴极。应用：稳定电压

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￥0.7144
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￥0.5709
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￥0.4453

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型号：SMAZ7V5-13-F 编号：C155270

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7152
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￥0.5515
150+
￥0.4697
500+
￥0.4083
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3346

有货

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型号：1N5359B 编号：C5308028

封装：DO-201AD

品牌：SUNMATE(森美特)

特性：完整电压范围5.1至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7391 ￥0.778
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￥0.5909 ￥0.622
150+
￥0.5168 ￥0.544
1000+
￥0.45201 ￥0.4758
2000+
￥0.40755 ￥0.429
5000+
￥0.385225 ￥0.4055

有货

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型号：SMBJ5369B 编号：C7421472

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

5+
￥0.74601 ￥0.8289
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￥0.65151 ￥0.7239
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￥0.61101 ￥0.6789
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￥0.56043 ￥0.6227
3000+
￥0.53793 ￥0.5977
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￥0.52443 ￥0.5827

有货

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型号：1SMB5929B 编号：C688898

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7643
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￥0.6059
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￥0.5267
500+
￥0.4673
3000+
￥0.4115
6000+
￥0.3878

有货

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型号：BZX84J-B5V6,115 编号：C550989

封装：SOD-323F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90) 非常小且扁平引脚的表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.7678
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￥0.6142
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￥0.5374
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￥0.4798
3000+
￥0.4337
6000+
￥0.4107

有货

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型号：1SMB5928B 编号：C713632

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流

数据手册

5+
￥0.7932
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￥0.6362
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￥0.5577
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￥0.4989
3000+
￥0.4079
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￥0.3844

有货

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型号：1SMA5919A 编号：C713639

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流

数据手册

5+
￥0.8083
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￥0.6544
150+
￥0.5775
500+
￥0.5198
2500+
￥0.3766
5000+
￥0.3536

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8127
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￥0.6521
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￥0.5718
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￥0.5116
2500+
￥0.4506

有货

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型号：SMAZ10-13-F 编号：C500781

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
50+
￥0.6774
150+
￥0.6008
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￥0.5433
2500+
￥0.4973

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型号：1N5386B 编号：C5334280

封装：DO-15

品牌：LGE(鲁光)

特性：硅平面功率齐纳二极管，用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%，添加后缀 “B” 可实现 ±5% 的公差，其他齐纳电压和公差可按需提供

数据手册

5+
￥0.8922
50+
￥0.702
150+
￥0.6068
500+
￥0.5355
3000+
￥0.4547
6000+
￥0.4261

有货

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型号：BZT52H-C6V2,115 编号：C179382

封装：SOD-123F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.9799
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￥0.8472
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￥0.7809
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￥0.7311
3000+
￥0.6557
6000+
￥0.6358

有货

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0014
50+
￥0.7773
150+
￥0.6812
500+
￥0.5613
2500+
￥0.508
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