8.2V稳压二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：平面芯片结构。 500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.3164
100+
￥0.257
300+
￥0.2274

有货

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型号：PTZTE258.2B 编号：C308718

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小功率模具类型。应用：电压调节

数据手册

15+
￥0.557172
30+
￥0.537273
100+
￥0.517375
500+
￥0.440842
1000+
￥0.422473

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型号：AZ23C8V2-7-F 编号：C151405

封装：SOT-23

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

3000+
￥0.1817
9000+
￥0.17696

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型号：CEZ8V2,L3F 编号：C6529146

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。典型VZ电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

5+
￥0.8025
50+
￥0.6263
150+
￥0.5382

有货

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型号：SZMM5Z8V2ST1G 编号：C894570

封装：SOD-523

数据手册

1+
￥1.45
10+
￥1.42
30+
￥1.4
100+
￥1.38

有货

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型号：MMSZ8V2ET1G 编号：C891739

封装：SOD-123

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1+
￥2.16
10+
￥2.11
30+
￥2.08
100+
￥2.05

有货

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型号：BZX584C8V2 编号：C5805788

封装：SOD-523

品牌：XZT(信展通)

特性：平面芯片结构。 150mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4-43V

50+
￥0.11
500+
￥0.0857
3000+
￥0.0722

有货

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型号：SZ8V2HD122 编号：C49207670

封装：SOD-123

品牌：SSGSEMI(世晶半导体)

特性：总功耗：最大500mW。宽齐纳反向电压范围：2.0V至39V。适合表面贴装设计的小型塑料封装

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915

有货

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型号：BZT52C8V2S 编号：C21882614

封装：SOD-323

品牌：GME(银河微电)

特性：紧密的电压容差：±5% HF。超薄封装，非常适合自动化组装。防潮等级1

20+
￥0.2084
200+
￥0.1624
600+
￥0.1368

有货

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型号：MMBZ5237BW-7-F 编号：C3740832

封装：SOT-323

特性：小尺寸表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

10+
￥0.2335
100+
￥0.228
300+
￥0.2243

有货

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型号：BZV55B8V2 编号：C2988344

封装：MiniMELF(SOD-80C)

品牌：EIC

特性：硅平面齐纳二极管。用作低压稳压器或电压基准。标准齐纳电压容差为 ±2%。无铅/符合RoHS标准

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1+
￥0.2595
10+
￥0.2076
30+
￥0.1817

有货

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型号：BZX84C8V2T-7-F 编号：C6756405

封装：SOT-523

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

5+
￥0.3112
50+
￥0.305
150+
￥0.3009

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型号：MMSZ5237B 编号：C3028996

封装：SOD-123F

品牌：DIOTEC(德欧泰克)

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10+
￥0.3537
100+
￥0.2865
300+
￥0.2529

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型号：MMBZ5237BT-7-F 编号：C5674165

封装：SOT-523

特性：超小表面贴装封装。平面芯片结构。通用型。非常适合自动化组装工艺。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥0.3594
50+
￥0.3523
150+
￥0.3476

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型号：TLZ8V2B-GS08 编号：C241931

封装：SOD-80

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。高可靠性。应用：电压稳定

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5+
￥0.5107
50+
￥0.4086
150+
￥0.3575
500+
￥0.3192
2500+
￥0.2885
5000+
￥0.2732

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型号：BZX384B8V2-HE3-08 编号：C7093739

封装：SOD-323

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。RoHS合规，商业级。RoHS合规，AEC-Q101认证

5+
￥0.5734
50+
￥0.562
150+
￥0.5544

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型号：BZX84C8V2S-7-F 编号：C5248751

封装：SOT-363

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

5+
￥0.6211
50+
￥0.6087
150+
￥0.6004

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型号：1N4738A-TR 编号：C3735835

封装：DO-204AL(DO-41)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。应用：电压稳定

5+
￥0.6721
50+
￥0.5419
150+
￥0.4768

有货

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型号：SZMM3Z8V2ST1G 编号：C231285

封装：SOD-323

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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单价：
￥0.3312 / 个

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型号：1N4738A-TAP 编号：C3737090

封装：DO-204AL(DO-41)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。应用：电压稳定

5+
￥0.6969
50+
￥0.5767
150+
￥0.5166

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型号：BZX84C8V2 编号：C5244798

封装：SOT-23

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.7752
50+
￥0.7597
150+
￥0.7494

有货

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型号：1N5344B-TP 编号：C725269

封装：DO-15

品牌：MCC(美微科)

特性：齐纳电压范围：5.1V至200V。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层/符合RoHS标准

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5+
￥1.5795
50+
￥1.2923
150+
￥1.1691
500+
￥1.0155
2500+
￥0.8468
4000+
￥0.8057

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型号：SZ1SMB5923BT3G 编号：C604752

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 ESD等级3（>16kV），符合人体模型。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.49
10+
￥2.44
30+
￥2.4

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型号：1N5344BG 编号：C898883

封装：插件,D3.3xL8.38mm