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首页 > 热门关键词 > 3.3V稳压二极管
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独立式 耐压:100V 电流:1uA
型号：1SMB5949BT3G 编号：C150045
封装：SMB
品牌：onsemi(安森美)
特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:27V 电流:1uA
    型号：1SMB5935BT3G 编号：C49827
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    独立式 耐压:6.2V 电流:2.5uA@4.0V
    型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:24V 电流:1uA@18.2V
    型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:4.7V 电流:5uA
    型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:4.3V 电流:2.5uA@1.0V
    型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:30V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:13V 电流:1uA@9.9V
    型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    独立式 耐压:100V 电流:1uA@76V
    型号：MM1W100 编号：C382947
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    独立式 耐压:16V 电流:15uA
    型号：1SMAF4745A 编号：C475440
    封装：SMAF
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。宽齐纳反向电压范围3.3V至91V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    独立式 耐压:15V 电流:5uA@11V
    型号：1SMA4744AG 编号：C433411
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    耐压:17V 电流:5uA
    型号：1SMAF4746A 编号：C41369512
    封装：SMAF
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：总功率耗散：最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装

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    独立式 耐压:8.2V 电流:10uA@6V
    型号：1SMA4738AG 编号：C433405
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    独立式 耐压:51V 电流:1uA@38V
    型号：1SMA4757AG 编号：C433990
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    • 10+

      ￥0.24719 ￥0.2602

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    耐压:15V 电流:1uA@11.4V
    型号：1SMB5929B 编号：C7528251
    封装：SMB
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大3W。 宽齐纳反向电压范围：3.3V至200V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装

    • 5+

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    独立式 耐压:9.1V 电流:2.5uA@7.0V
    型号：1SMA5924BT3G 编号：C50839
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:3.6V 电流:35.5uA
    型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5923BT3G 编号：C231286
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:47V 电流:1uA@35V
    型号：1SMA4756AG 编号：C433989
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    独立式 耐压:3.9V 电流:50uA
    型号：1SMA4730AG 编号：C433397
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    独立式 耐压:5.6V 电流:10uA@2V
    型号：1SMA4734AG 编号：C433401
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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    独立式 耐压:22V 电流:5uA@17V
    型号：1SMA4748AG 编号：C433981
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.229615 ￥0.2417

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    独立式 耐压:10V 电流:10uA@7V
    型号：1SMA4740AG 编号：C433407
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2356 ￥0.248

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    独立式 耐压:15V 电流:5uA@11V
    型号：1SMA4744A 编号：C7499433
    封装：DO-214AC(SMA)
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

    • 10+

      ￥0.2427

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    独立式 耐压:6.8V 电流:10uA@4V
    型号：1SMA4736A 编号：C37635981
    封装：DO-214AC(SMA)
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：总功率耗散：最大 1 W。宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。适合表面贴装设计的小型塑料封装。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

    • 10+

      ￥0.2602

    • 100+

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    独立式 耐压:5.1V 电流:10uA
    型号：1SMA4733A 编号：C6069513
    封装：DO-214AC(SMA)
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5919BT3G-MS 编号：C18547727
    封装：SMA
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

    • 10+

      ￥0.3483

    • 100+

      ￥0.2763

    • 300+

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      ￥0.2133

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      ￥0.1808
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    独立式 耐压:82V 电流:1uA@62V
    型号：1SMA5947B 编号：C20606475
    封装：DO-214AC(SMA)
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：总功耗：最大1.5W。宽齐纳反向电压范围：3.3V至240V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

    • 10+

      ￥0.35811 ￥0.3979

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      ￥0.17874 ￥0.1986
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    18V
    型号：1SMB5931B 编号：C7528192
    封装：SMB
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大3W。 宽齐纳反向电压范围：3.3V至200V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装

    • 5+

      ￥0.4644

    • 50+

      ￥0.3636

    • 150+

      ￥0.3132

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      ￥0.2451
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    独立式 耐压:56V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    • 5+

      ￥0.8399

    • 50+

      ￥0.6538

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