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首页 > 热门关键词 > 3.3V稳压二极管
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齐纳二极管，SOT-23封装，双齐纳共阳极配置，300mW功率耗散
型号：AZ23C3V3 编号：C50168057
封装：SOT-23
品牌：LGE(鲁光)
稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 3.3V；反向电流(Ir) 5uA@1V；稳压值(范围) 3.1V~3.5V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 95Ω

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    稳压二极管
    型号：1N4743A,113 编号：C551368
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。
    数据手册

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    稳压二极管
    型号：1N4744A,113 编号：C551370
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。
    数据手册

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    稳压二极管
    型号：1N4742A,113 编号：C551366
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。
    数据手册

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      ￥0.3544

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      ￥0.3444
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    稳压二极管
    型号：1N4746A,113 编号：C551373
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。
    数据手册

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      ￥0.2601
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    独立式 耐压:16V 电流:5uA@12.2V
    型号：1N4745A,113 编号：C455054
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。
    数据手册

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    稳压二极管
    型号：1N4739A,113 编号：C503415
    封装：DO-41
    品牌：Nexperia(安世)
    低电压稳压二极管，采用密封小型SOD66（DO-41）玻璃封装。该系列包含22种类型，标称工作电压范围为3.3V至24V。

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    硅平面齐纳二极管
    型号：1SMA4733A 编号：C382953
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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    独立式 耐压:62V 电流:1uA@47V
    型号：1SMA4759AG 编号：C433992
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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      ￥0.24985 ￥0.263

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1W18 编号：C382948
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大1W。 齐纳反向电压范围宽：3.3V至330V。 小型塑料封装，适用于表面贴装设计
    数据手册

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    硅平面齐纳二极管
    型号：1SMA4746A 编号：C382821
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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      ￥0.2142

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    独立式 耐压:4.3V 电流:25uA@1V
    型号：1SMA4731AG 编号：C433398
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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      ￥0.222585 ￥0.2343

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      ￥0.13604 ￥0.1432

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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA
    型号：1SMA5918BT3G 编号：C59797
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7583

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      ￥0.5994

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      ￥0.4604

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      ￥0.3641
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    硅平面齐纳二极管
    型号：1SMAF4745A 编号：C353581
    封装：SMAF
    品牌：晶导微电子
    特性：总功耗：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1803

    • 200+

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      ￥0.1049

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      ￥0.0934

    • 21000+

      ￥0.0872
  • 有货
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    独立式 耐压:12V 电流:5uA@9V
    型号：1SMA4742A 编号：C382772
    封装：SMA
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1983

    • 200+

      ￥0.1544

    • 600+

      ￥0.13

    • 5000+

      ￥0.1153

    • 10000+

      ￥0.1026

    • 20000+

      ￥0.0958
  • 有货
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    独立式 耐压:24V 电流:5uA@18V
    型号：1SMA4749AG 编号：C433982
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.22401 ￥0.2358

    • 100+

      ￥0.177745 ￥0.1871

    • 300+

      ￥0.15466 ￥0.1628

    • 1000+

      ￥0.13737 ￥0.1446

    • 5000+

      ￥0.1235 ￥0.13

    • 10000+

      ￥0.116565 ￥0.1227
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    独立式 耐压:5.1V 电流:10uA@1V
    型号：MM1W5V1 编号：C382836
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1879

    • 200+

      ￥0.1475

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.1115

    • 9000+

      ￥0.0999

    • 21000+

      ￥0.0936
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    独立式 耐压:18V 电流:0.5uA@13.7V
    型号：1SMA5931BT3G 编号：C94872
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7936

    • 50+

      ￥0.6313

    • 150+

      ￥0.5501

    • 500+

      ￥0.4892

    • 2500+

      ￥0.4405

    • 5000+

      ￥0.4161
  • 有货
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    独立式 耐压:15V 电流:1uA@11.4V
    型号：1SMB5929BT3G 编号：C55497
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0423

    • 50+

      ￥0.8217

    • 150+

      ￥0.7272

    • 500+

      ￥0.6093

    • 2500+

      ￥0.4954

    • 5000+

      ￥0.4639
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    ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
    型号：1SMA5917BT3G-MS 编号：C18547725
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型3级静电放电等级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低外形封装。 是MELF封装的理想替代品

    • 10+

      ￥0.316065 ￥0.3327

    • 100+

      ￥0.247665 ￥0.2607

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      ￥0.213465 ￥0.2247

    • 2000+

      ￥0.187815 ￥0.1977

    • 4000+

      ￥0.167295 ￥0.1761

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      ￥0.157035 ￥0.1653
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    独立式 耐压:7.5V 电流:2.5uA
    型号：1SMA5922BT3G 编号：C47074
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥0.91

    • 50+

      ￥0.7215

    • 150+

      ￥0.6273

    • 500+

      ￥0.5566

    • 2500+

      ￥0.4623

    • 5000+

      ￥0.4341
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    独立式 耐压:10V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5925BT3G 编号：C50840
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2154

    • 50+

      ￥0.9876

    • 150+

      ￥0.89

    • 500+

      ￥0.7682

    • 2500+

      ￥0.5795

    • 5000+

      ￥0.5469
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    独立式 耐压:5.6V 电流:5uA@3V
    型号：1SMB5919BT3G 编号：C70260
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3

    • 50+

      ￥1.0241

    • 150+

      ￥0.9059

    • 500+

      ￥0.6853

    • 2500+

      ￥0.6196

    • 5000+

      ￥0.5802
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    独立式 耐压:75V 电流:1uA@56V
    型号：1SMA4761AG 编号：C433994
    封装：SMA
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：总功率耗散：最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册

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      ￥0.24662 ￥0.2596

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      ￥0.197885 ￥0.2083

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      ￥0.11875 ￥0.125
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    独立式 耐压:5.6V 电流:2.5uA@3.0V
    型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    • 5+

      ￥0.8522

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      ￥0.6794

    • 150+

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    6.2V 10uA@3V
    型号：1SMA4735A 编号：C5356016
    封装：DO-214AC(SMA)
    品牌：JUXING(钜兴)
    特性：总功耗：最大1W。宽齐纳反向电压范围：3.3V至330V。适合表面贴装设计的小型塑料封装
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    • 10+

      ￥0.23332 ￥0.2456

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      ￥0.119225 ￥0.1255
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    独立式 耐压:100V 电流:1uA@76V
    型号：1SMB5949BT3G 编号：C7503108
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：批量处理设计，出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽，为3.3V至200V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

    • 5+

      ￥0.34224 ￥0.4278

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      ￥0.24552 ￥0.3069
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    独立式 耐压:6.2V 电流:5uA@4.0V
    型号：1SMB5920BT3G 编号：C7422623
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：批量处理设计，出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽，为3.3V至200V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

    • 5+

      ￥0.5897

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      ￥0.265
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    独立式 耐压:5.6V 电流:5uA@3.0V
    型号：1SMB5919BT3G 编号：C7422622
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：批量处理设计，出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽，为3.3V至200V。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

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      ￥0.6332

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      ￥0.3011
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    独立式 耐压:6.8V 电流:5uA
    型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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      ￥0.7606

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