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首页 > 热门关键词 > 3.3V稳压二极管
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特性:批量处理设计,出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽,为3.3V至200V。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准
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    ¥0.2385 ¥0.265
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  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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      ¥0.6425
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      ¥0.4456
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      ¥0.4173
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
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      ¥0.7471
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      ¥0.472
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      ¥0.442
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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      ¥1.1037
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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      ¥1.3392
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  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
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      ¥0.125115 ¥0.1317
  • 有货
  • 特性:批量处理设计,出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽,为3.3V至200V。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准
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  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    • 5+

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  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    • 20+

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      ¥0.1136
  • 有货
  • 特性:总功耗:最大1W。宽齐纳反向电压范围:3.3V至330V。适合表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册
    • 10+

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      ¥0.125115 ¥0.1317
  • 有货
  • 特性:总功耗:最大1.5W。宽齐纳反向电压范围:3.3V至240V。适用于表面贴装设计的小型塑料封装。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
    • 10+

      ¥0.367365 ¥0.3867
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    • 1000+

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      ¥0.202635 ¥0.2133
    • 10000+

      ¥0.19095 ¥0.201
  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大3W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至200V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.48868 ¥0.5144
    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

      ¥0.312075 ¥0.3285
    • 3000+

      ¥0.258305 ¥0.2719
    • 6000+

      ¥0.24415 ¥0.257
  • 有货
  • 特性:批量处理设计,出色的功率耗散提供更好的反向泄漏电流和热阻。 齐纳反向电压范围宽,为3.3V至200V。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 非常适合自动化组装过程。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准
    • 5+

      ¥0.56988 ¥0.6332
    • 50+

      ¥0.46188 ¥0.5132
    • 150+

      ¥0.40788 ¥0.4532
    • 500+

      ¥0.36738 ¥0.4082
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      ¥0.28728 ¥0.3192
    • 6000+

      ¥0.27099 ¥0.3011
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5797
    • 50+

      ¥0.5037
    • 150+

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    • 2500+

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    • 5000+

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  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9901
    • 50+

      ¥0.7803
    • 150+

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      ¥0.4574
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0014
    • 50+

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    • 5000+

      ¥0.4759
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

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  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1828
    • 50+

      ¥0.9431
    • 150+

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      ¥0.5753
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1909
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      ¥0.9346
    • 150+

      ¥0.8247
    • 500+

      ¥0.6877
    • 2500+

      ¥0.5758
    • 5000+

      ¥0.5391
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1947
    • 50+

      ¥0.9327
    • 150+

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      ¥0.6178
    • 5000+

      ¥0.5803
  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1859
    • 200+

      ¥0.1456
    • 600+

      ¥0.1232
    • 3000+

      ¥0.1097
  • 有货
  • 特性:总功耗:最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2069
    • 200+

      ¥0.1633
    • 600+

      ¥0.139
    • 3000+

      ¥0.1245
  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大 1 W。 宽齐纳反向电压范围 3.3V 至 330V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装
    • 20+

      ¥0.2283
    • 200+

      ¥0.1765
    • 600+

      ¥0.1477
    • 3000+

      ¥0.1304
    • 9000+

      ¥0.1154
    • 21000+

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