DIODES二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAS40-04Q-7-F 编号：C442630

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低正向压降和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电保护，完全无铅镀层，符合RoHS标准，是“绿色”器件。

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30000+
￥0.25428
60000+
￥0.250042
120000+
￥0.243685
240000+
￥0.23309

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型号：AZ23C8V2-7-F 编号：C151405

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.372664 ￥0.5036
50+
￥0.25792 ￥0.403
150+
￥0.190458 ￥0.3527
500+
￥0.170046 ￥0.3149
3000+
￥0.153792 ￥0.2848
6000+
￥0.145638 ￥0.2697

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型号：DDZ9714Q-7 编号：C460865

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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10+
￥0.3751
100+
￥0.3049
300+
￥0.2697

有货

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型号：DDZ9705S-7 编号：C2760585

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）的容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。无铅设计/RoHS合规。 “绿色”器件

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10+
￥0.3866
100+
￥0.3161
300+
￥0.2808

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型号：BZX84C27-7-F 编号：C560269

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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10+
￥0.3957
100+
￥0.3189
300+
￥0.2805

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型号：DDZ8V2C-7 编号：C445498

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：非常严格的Vz公差。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.39582 ￥0.8796
50+
￥0.31671 ￥0.7038
150+
￥0.2772 ￥0.616
500+
￥0.247545 ￥0.5501
3000+
￥0.223785 ￥0.4973
6000+
￥0.21195 ￥0.471

有货

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型号：DZ23C9V1-7-F 编号：C151402

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

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10+
￥0.4012
100+
￥0.3259
300+
￥0.2883

有货

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型号：AZ23C18-7-F 编号：C332303

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.4019
100+
￥0.3308
300+
￥0.2953

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型号：ABS10B-13 编号：C442623

封装：SMD-4P

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

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5+
￥0.425915 ￥1.2169
50+
￥0.2421 ￥0.9684
150+
￥0.129285 ￥0.8619
500+
￥0.10935 ￥0.729
2500+
￥0.10047 ￥0.6698
5000+
￥0.095145 ￥0.6343

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型号：DDZ6V2BS-7 编号：C780805

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.4636
100+
￥0.3727
300+
￥0.3272

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型号：DZ23C13-7-F 编号：C3009954

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

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10+
￥0.4722
100+
￥0.3836
300+
￥0.3394

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型号：BAS70-05Q-13-F 编号：C6469813

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

该器件是采用 SOT23 封装的表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向压降和快速开关能力，设计有 PN 结保护环，可用于瞬态和 ESD 保护。

5+
￥0.5068
50+
￥0.4079
150+
￥0.3584
500+
￥0.3213
2500+
￥0.2917

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型号：SBR0220T5-7 编号：C700438

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。卓越的反向雪崩能力。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。 150℃工作结温。无铅表面处理，符合RoHS标准。 “绿色”模塑料 (无溴、锑)

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10+
￥0.5204
100+
￥0.4221
300+
￥0.373

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型号：DDZ10BSF-7 编号：C5712049

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

5+
￥0.5244
50+
￥0.4212
150+
￥0.3697
500+
￥0.331

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型号：PD3SD2580-7 编号：C526694

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥0.5346
50+
￥0.5232
150+
￥0.5156
500+
￥0.508

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型号：B1100LB-13-F 编号：C85106

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：260℃/10秒（端子处）。无铅表面处理，符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

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5+
￥0.5641
50+
￥0.5558
150+
￥0.5502

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型号：RS1K-13-F 编号：C155337

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.57924 ￥0.6436
50+
￥0.46998 ￥0.5222
150+
￥0.41535 ￥0.4615
500+
￥0.3744 ￥0.416
2500+
￥0.34164 ￥0.3796
5000+
￥0.32517 ￥0.3613

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型号：1SMB5949B-13 编号：C460774

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.608902 ￥1.3237
50+
￥0.383004 ￥1.0639
150+
￥0.247676 ￥0.9526
500+
￥0.211536 ￥0.8136
3000+
￥0.195468 ￥0.7518
6000+
￥0.185822 ￥0.7147

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型号：RS1A-13-F 编号：C156339

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.6341
50+
￥0.5038
150+
￥0.4387

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型号：SDM2U30CSP-7 编号：C3001723

封装：X3-WLB1608-2

品牌：DIODES(美台)

30 伏 2A 肖特基势垒整流器，针对低正向压降和低漏电流进行了优化，采用紧凑的芯片级封装 (CSP)，仅占用 1.28mm² 的电路板空间，且外形低矮。低热阻使设计人员能够在提高效率的同时减少电路板空间。

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5+
￥0.6844
50+
￥0.6711
150+
￥0.6622

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型号：S1KB-13-F 编号：C460934

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7139
50+
￥0.5844
150+
￥0.5196
500+
￥0.471

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型号：SBRT05U20LPSQ-7B 编号：C5249210

封装：X2-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

封装在紧凑的X2-DFN1006-2中，提供超低正向压降（VF），在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。适用于整流、续流或极性保护。

5+
￥0.7507
50+
￥0.6019
150+
￥0.5275
500+
￥0.4717

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型号：RS2G-13-F 编号：C460737

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.812804 ￥1.1953
50+
￥0.662048 ￥0.9736
150+
￥0.59738 ￥0.8785
500+
￥0.516732 ￥0.7599
3000+
￥0.480828 ￥0.7071
6000+
￥0.459272 ￥0.6754

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型号：BAT46WQ-7-F 编号：C134400

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒二极管专为满足AEC Q101的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥0.837
50+
￥0.693
150+
￥0.621

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型号：BAT54SWQ-7-F 编号：C460165

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅涂层，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥0.9257
50+
￥0.7359
150+
￥0.641

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型号：BAT400D-7-F 编号：C134393

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。高电导。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合JEDEC标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.9282
50+
￥0.7375
150+
￥0.6421
500+
￥0.5706

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型号：DFLZ33-7 编号：C2987008

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥0.9791
50+
￥0.7955
150+
￥0.7037

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型号：SD103ATW-7-F 编号：C3758863

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。快速开关。低泄漏电流。三个完全隔离的肖特基二极管。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

5+
￥0.9835
50+
￥0.7663
150+
￥0.6732
500+
￥0.557

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型号：BAT760Q-7 编号：C3759252

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。无铅设计/符合RoHS标准

5+
￥1.0426 ￥1.604
50+
￥0.82966 ￥1.2764
150+
￥0.7384 ￥1.136
500+
￥0.62452 ￥0.9608
3000+
￥0.57382 ￥0.8828
6000+
￥0.5434 ￥0.836

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型号：SDM1100LP-7 编号：C6999905

封装：UDFN2020-2

品牌：DIODES(美台)

肖特基势垒整流器采用低VF和低反向泄漏设计，采用薄型U-DFN2020-2（B型）封装。它非常适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.1194
50+
￥0.9084
150+
￥0.818
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