DIODES二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBZ5237BQ-7-F 编号：C460902

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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10+
￥0.386
100+
￥0.3089
300+
￥0.2703

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型号：DDZ9688Q-7 编号：C2759896

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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10+
￥0.3863
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型号：SDM20U40Q-7 编号：C3757805

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。可忽略的反向恢复时间。低反向电容。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC 转换器

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5+
￥0.39
50+
￥0.3822
150+
￥0.377

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型号：BZX84C27-7-F 编号：C560269

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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10+
￥0.3957
100+
￥0.3189
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￥0.2805

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型号：MMSZ5258BQ-7-F 编号：C5205157

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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10+
￥0.3994
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￥0.3195
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型号：SDMP0340LT-7-F 编号：C460260

封装：SOT-523-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.407335 ￥0.9935
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￥0.324146 ￥0.7906
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￥0.288517 ￥0.7037
500+
￥0.243991 ￥0.5951
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￥0.224188 ￥0.5468
6000+
￥0.212298 ￥0.5178

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型号：AZ23C30-7-F 编号：C260940

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.4348
100+
￥0.3534
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￥0.3126

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型号：DDZ9685Q-7 编号：C2942992

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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10+
￥0.4354
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型号：BAS70W-7-F 编号：C134388

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：DIODES(美台)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.461203 ￥0.7817
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￥0.306495 ￥0.6255
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￥0.213486 ￥0.5474
500+
￥0.190632 ￥0.4888
3000+
￥0.17238 ￥0.442
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￥0.163215 ￥0.4185

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型号：AZ23C4V7-7-F 编号：C150713

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.462
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￥0.3753
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￥0.332

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型号：SD107WS-7-F 编号：C124210

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性

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单价：
￥0.317344 / 个

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型号：MMBZ5246BW-7-F 编号：C5249085

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：小尺寸表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

5+
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型号：DZ9F5V6S92-7 编号：C5244908

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.5142
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型号：US1A-13-F 编号：C150462

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.5204
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￥0.3958
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￥0.3646

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型号：BZT52HC5V6WFQ-7 编号：C5157832

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低轮廓和高功率耗散。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。符合AEC-Q101标准。具备PPAP能力。在通过IATF 16949认证的工厂生产

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5+
￥0.5237
50+
￥0.4191
150+
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500+
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型号：D3Z6V2BF-7 编号：C3729229

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：400mW功率耗散（FR-4 PCB）。 VZ容差极小。非常适合自动化装配工艺。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.5271
50+
￥0.4218
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型号：SBR1A40SA-13 编号：C5157725

封装：DO-214AC

品牌：DIODES(美台)

特性：低漏电流。专利超势垒整流器技术。软、快速开关能力。工作结温为 +150℃。无铅涂层：符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。DC-DC 转换器

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5+
￥0.603
50+
￥0.4825
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￥0.4222
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型号：SDM1100S1F-7 编号：C460257

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

该器件是一款采用SOD123F（B型）封装的单整流器。此器件具有低正向电压（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如升压二极管、阻塞二极管。

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5+
￥0.6343
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型号：B2100AE-13 编号：C526416

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：极性保护二极管。再循环二极管

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￥0.6371
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￥0.6242
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￥0.6155

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型号：RS1G-13-F 编号：C85103

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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￥0.6553
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￥0.5338
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￥0.4731
500+
￥0.4275

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型号：SBR2A40P1-7 编号：C155283

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。低漏电流。卓越的反向雪崩能力。出色的高温稳定性。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流能力。专利超级势垒整流器技术 (SBR)。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

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