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  • 特性:内置SPAD(单光子雪崩二极管)。 不使用特定的溴化阻燃剂,如多溴联苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE)。 不包含消耗臭氧层物质(ODS),如氯氟烃(CFCs)、哈龙、四氯化碳、1,1,1-三氯乙烷(甲基氯仿)。 符合RoHS指令(2011/65/EU)。 符合《电子信息产品污染控制管理办法》规定的六种物质含量要求。 原产国:中国。应用:计算机。 办公自动化设备
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  • GP757XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。GP757XX支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM和QR两种工作模式。
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  • GP7596XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构,同时支持DCM,QR及CCM工作模式。内置VCC高压供电模块,无需VCC供电绕组,降低了系统成本。内部集成有VCC欠压保护功能,采用SOP8封装。
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  • GP7596XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构,同时支持DCM,QR及CCM工作模式。内置VCC高压供电模块,无需VCC供电绕组,降低了系统成本。内部集成有VCC欠压保护功能,采用SOP8封装。
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  • GP757XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。GP757XX支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM和QR两种工作模式。
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  • GP1710 是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET 以提升系统效率。GP1710 支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM 和QR 两种工作模式。
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  • GP757XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。GP757XX支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM和QR两种工作模式。
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  • GP7585BA是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。GP7585BA支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构。同时支持DCM,QR,CCM等工作模式。
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