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首页 > 热门关键词 > HT二极管
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30V/80A N沟道先进功率MOSFET
型号：PTN3080 编号：C48782990
封装：PDFN5X6-8L
品牌：HT(金誉)
特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。 最高结温范围：150℃。应用：高端负载开关。 电池开关

  • 5+

    ￥1.02961 ￥1.0838

  • 50+

    ￥0.815575 ￥0.8585

  • 150+

    ￥0.7239 ￥0.762

  • 500+

    ￥0.609425 ￥0.6415

  • 2500+

    ￥0.558505 ￥0.5879

  • 5000+

    ￥0.527915 ￥0.5557
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    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PGN06P420 编号：C49384069
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：DC风扇。无刷电机

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
  • 有货
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    18V/16A双N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTM1816DE 编号：C49384223
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥1.153965 ￥1.2147

    • 50+

      ￥0.91409 ￥0.9622

    • 150+

      ￥0.8113 ￥0.854

    • 500+

      ￥0.68305 ￥0.719

    • 2500+

      ￥0.625955 ￥0.6589

    • 5000+

      ￥0.59166 ￥0.6228
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 150V 4A
    型号：PTH150N04 编号：C49384219
    封装：SOT-223
    品牌：HT(金誉)
    特性：VDS = 150V, ID = 4.0A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = 10V。 高密度单元设计，实现超低电阻。 完全表征雪崩电压和电流。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.72748 ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.36838 ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.21448 ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.022485 ￥1.0763

    • 2500+

      ￥0.936985 ￥0.9863

    • 4000+

      ￥0.885685 ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    80V/90A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD90N08 编号：C49384215
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。100%雪崩测试。应用：电源。DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.87264 ￥1.9712

    • 50+

      ￥1.48333 ￥1.5614

    • 150+

      ￥1.31651 ￥1.3858

    • 500+

      ￥1.108365 ￥1.1667

    • 2500+

      ￥1.015645 ￥1.0691

    • 5000+

      ￥0.96007 ￥1.0106
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 65A
    型号：PGN10N100 编号：C49384067
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关。 低导通电阻和品质因数。 低栅极电荷。应用：高频开关。 同步整流

    • 5+

      ￥2.072995 ￥2.1821

    • 50+

      ￥1.642075 ￥1.7285

    • 150+

      ￥1.457395 ￥1.5341

    • 500+

      ￥1.226925 ￥1.2915

    • 2500+

      ￥1.124325 ￥1.1835

    • 5000+

      ￥1.062765 ￥1.1187
  • 有货
    • 立即购买
    PNP晶体管
    型号：B772M 编号：C49384218
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低速开关

    • 5+

      ￥0.519

    • 50+

      ￥0.4134

    • 150+

      ￥0.3606

    • 500+

      ￥0.321

    • 2500+

      ￥0.2893

    • 5000+

      ￥0.2735
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    N沟道 20V 60A
    型号：PTN2060 编号：C49384071
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围(150℃)。 100%雪崩测试。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.60515 ￥0.637

    • 50+

      ￥0.48203 ￥0.5074

    • 150+

      ￥0.42047 ￥0.4426

    • 500+

      ￥0.3743 ￥0.394

    • 2500+

      ￥0.337345 ￥0.3551

    • 5000+

      ￥0.318915 ￥0.3357
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 30V 30A
    型号：PTM30P30F8 编号：C49384222
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围 (150℃)。应用：电源管理。 负载开关

    • 5+

      ￥0.672315 ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.535515 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.467115 ￥0.4917

    • 500+

      ￥0.415815 ￥0.4377

    • 2500+

      ￥0.374775 ￥0.3945

    • 5000+

      ￥0.354255 ￥0.3729
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 30A
    型号：PTN7530 编号：C42457693
    封装：PDFN3333
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻 (RDS(on)) 。 4.5V逻辑电平。 5V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.694735 ￥0.7313

    • 50+

      ￥0.553375 ￥0.5825

    • 150+

      ￥0.482695 ￥0.5081

    • 500+

      ￥0.429685 ￥0.4523

    • 2500+

      ￥0.387315 ￥0.4077

    • 5000+

      ￥0.36613 ￥0.3854
  • 有货
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    场效应管
    型号：PTN10HN03 编号：C49384072
    封装：PDFN5X6
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许在最高结温下进行重复雪崩。 无铅，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.869535 ￥0.9153

    • 50+

      ￥0.692645 ￥0.7291

    • 150+

      ￥0.6042 ￥0.636

    • 500+

      ￥0.537795 ￥0.5661

    • 2500+

      ￥0.484785 ￥0.5103

    • 5000+

      ￥0.458185 ￥0.4823
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 80A
    型号：PTQ3006 编号：C49384061
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.92131 ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.72979 ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.64771 ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.5453 ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.4997 ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.47234 ￥0.4972
  • 有货
    • 立即购买
    100V/65A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PGD10N100 编号：C49384204
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关。 低导通电阻和品质因数。 低栅极电荷。应用：高频开关。 同步整流

    • 5+

      ￥2.08221 ￥2.1918

    • 50+

      ￥1.64939 ￥1.7362

    • 150+

      ￥1.463855 ￥1.5409

    • 500+

      ￥1.232435 ￥1.2973

    • 2500+

      ￥1.12936 ￥1.1888

    • 5000+

      ￥1.067515 ￥1.1237
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 100V 30A
    型号：PTD100P30 编号：C49384097
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：DC-DC转换器。 负载开关

    • 1+

      ￥2.451 ￥2.58

    • 10+

      ￥1.9475 ￥2.05

    • 30+

      ￥1.729 ￥1.82

    • 100+

      ￥1.4535 ￥1.53

    • 500+

      ￥1.33 ￥1.4

    • 1000+

      ￥1.2635 ￥1.33
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 80V 200A
    型号：PGT08N033H 编号：C49384079
    封装：TOLL-8L
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动

    • 1+

      ￥4.1895 ￥4.41

    • 10+

      ￥3.401 ￥3.58

    • 30+

      ￥3.0115 ￥3.17

    • 100+

      ￥2.6125 ￥2.75

    • 500+

      ￥2.3845 ￥2.51

    • 1500+

      ￥2.261 ￥2.38
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 343A
    型号：PGT10N018H 编号：C49384081
    封装：TOLL-8L
    品牌：HT(金誉)
    特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 不间断电源 (UPS)

    • 1+

      ￥6.441 ￥6.78

    • 10+

      ￥5.358 ￥5.64

    • 30+

      ￥4.769 ￥5.02

    • 100+

      ￥4.104 ￥4.32

    • 500+

      ￥3.8095 ￥4.01

    • 1500+

      ￥3.667 ￥3.86
  • 有货
    • 立即购买
    100V/200A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PGT10N027 编号：C48782995
    封装：TOLL
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围175℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 不间断电源（UPS）

    • 1+

      ￥7.79 ￥8.2

    • 10+

      ￥6.4885 ￥6.83

    • 30+

      ￥5.776 ￥6.08

    • 100+

      ￥4.9685 ￥5.23

    • 500+

      ￥4.6075 ￥4.85

    • 1500+

      ￥4.446 ￥4.68
  • 有货
    • 立即购买
    30V/100A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTQ10HN03B 编号：C49384054
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。100%雪崩测试。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥0.705945 ￥0.7431

    • 50+

      ￥0.562305 ￥0.5919

    • 150+

      ￥0.490485 ￥0.5163

    • 500+

      ￥0.43662 ￥0.4596

    • 2500+

      ￥0.393585 ￥0.4143

    • 5000+

      ￥0.37202 ￥0.3916
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 30V 30A
    型号：PTN30P30 编号：C49384073
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：-4.5V逻辑电平控制。 PDFN5x6 SMD封装。应用：负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.806835 ￥0.8493

    • 50+

      ￥0.642675 ￥0.6765

    • 150+

      ￥0.560595 ￥0.5901

    • 500+

      ￥0.499035 ￥0.5253

    • 2500+

      ￥0.44973 ￥0.4734

    • 5000+

      ￥0.425125 ￥0.4475
  • 有货
    • 立即购买
    -30V/-10A双P沟道先进功率MOSFET
    型号：PTS3110D 编号：C49384248
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最高结温范围150℃。应用：PWM应用。负载开关

    • 5+

      ￥1.0089 ￥1.062

    • 50+

      ￥0.79914 ￥0.8412

    • 150+

      ￥0.70927 ￥0.7466

    • 500+

      ￥0.59717 ￥0.6286

    • 3000+

      ￥0.5472 ￥0.576

    • 6000+

      ￥0.517275 ￥0.5445
  • 有货
    • 立即购买
    30V/18A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PT4430 编号：C49384252
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.094115 ￥1.1517

    • 50+

      ￥0.866685 ￥0.9123

    • 150+

      ￥0.769215 ￥0.8097

    • 500+

      ￥0.647615 ￥0.6817

    • 3000+

      ￥0.593465 ￥0.6247

    • 6000+

      ￥0.560975 ￥0.5905
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 60V 40A
    型号：PGD06P270 编号：C49384202
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.70677 ￥1.7966

    • 50+

      ￥1.351945 ￥1.4231

    • 150+

      ￥1.199945 ￥1.2631

    • 500+

      ￥1.01023 ￥1.0634

    • 2500+

      ￥0.925775 ￥0.9745

    • 5000+

      ￥0.875045 ￥0.9211
  • 有货
    • 立即购买
    40V/120A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD40N120 编号：C49384099
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.87264 ￥1.9712

    • 50+

      ￥1.48333 ￥1.5614

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      ￥1.31651 ￥1.3858

    • 500+

      ￥1.108365 ￥1.1667

    • 2500+

      ￥1.015645 ￥1.0691

    • 5000+

      ￥0.96007 ￥1.0106
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：JEN005DP1 编号：C48782972
    封装：DFN1006-2L
    品牌：HT(金誉)
    特性：低反向电流。 双向高可靠性。 低电容

    • 50+

      ￥0.04997 ￥0.0526

    • 500+

      ￥0.039235 ￥0.0413

    • 1500+

      ￥0.03325 ￥0.035

    • 10000+

      ￥0.02964 ￥0.0312

    • 20000+

      ￥0.026505 ￥0.0279

    • 50000+

      ￥0.02489 ￥0.0262
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    档位：200-400 NPN 150mA 50V
    型号：2SC945 编号：C692855
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：200-400
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06897 ￥0.0726

    • 500+

      ￥0.054625 ￥0.0575

    • 3000+

      ￥0.042655 ￥0.0449

    • 6000+

      ￥0.037905 ￥0.0399

    • 24000+

      ￥0.033725 ￥0.0355

    • 51000+

      ￥0.03154 ￥0.0332
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    MMST3904
    型号：MMST3904 编号：C5188623
    封装：SOT-323
    品牌：HT(金誉)

    • 50+

      ￥0.07429 ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.057855 ￥0.0609

    • 3000+

      ￥0.048735 ￥0.0513

    • 6000+

      ￥0.04332 ￥0.0456

    • 24000+

      ￥0.03857 ￥0.0406

    • 51000+

      ￥0.036005 ￥0.0379
  • 有货
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    档位：220-475 100mA 65V
    型号：BC856 编号：C692850
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：220-475
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0798 ￥0.084

    • 500+

      ￥0.063365 ￥0.0667

    • 3000+

      ￥0.048735 ￥0.0513

    • 6000+

      ￥0.04332 ￥0.0456

    • 24000+

      ￥0.03857 ￥0.0406

    • 51000+

      ￥0.036005 ￥0.0379
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    P沟道 30V 2.6A
    型号：PT3409 编号：C26037602
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.26676 ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.212515 ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.185345 ￥0.1951

    • 3000+

      ￥0.165015 ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.148675 ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1406 ￥0.148
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    20V/60A N沟道增强型MOSFET
    型号：PTQ6002 编号：C49384063
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 5+

      ￥0.62757 ￥0.6606

    • 50+

      ￥0.49989 ￥0.5262

    • 150+

      ￥0.43605 ￥0.459

    • 500+

      ￥0.38817 ￥0.4086

    • 2500+

      ￥0.34979 ￥0.3682

    • 5000+

      ￥0.330695 ￥0.3481
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    60V/13A N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTN6013 编号：C49384068
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的 dv/dt 能力。 高耐用性。 最大结温范围 150℃。应用：DC 风扇。 无刷电机

    • 5+

      ￥0.672315 ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.535515 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.467115 ￥0.4917

    • 500+

      ￥0.415815 ￥0.4377

    • 2500+

      ￥0.374775 ￥0.3945

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      ￥0.354255 ￥0.3729
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