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首页 > 热门关键词 > HT二极管
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价格(含税)
库存
操作
100-300 PNP 电流:600mA 电压:60V
型号：MMBT2907A 编号：C239019
封装：SOT-23
品牌：HT(金誉)
特性：外延平面芯片结构。 有互补NPN类型（MMBT2222A）
数据手册

  • 50+

    ￥0.059

  • 500+

    ￥0.0577

  • 3000+

    ￥0.0568

  • 6000+

    ￥0.056
  • 订货
    • 我要订货
    PNP晶体管
    型号：PXT8550 编号：C24254207
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：高集电极电流。 与SS8050互补

    • 20+

      ￥0.08094 ￥0.0852

    • 200+

      ￥0.079135 ￥0.0833

    • 1000+

      ￥0.077995 ￥0.0821

    • 2000+

      ￥0.07676 ￥0.0808
  • 有货
    • 立即购买
    200-400 NPN 150mA 50V
    型号：2SC1815 编号：C239021
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.0467

    • 24000+

      ￥0.0413

    • 51000+

      ￥0.0383
  • 订货
    • 我要订货
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C746284
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高集电极电流。 与SS8550互补
    数据手册

    • 100+

      ￥0.13964

    • 600+

      ￥0.098886

    • 1200+

      ￥0.087014
    我要订货
    晶体管（NPN）高压开关与放大
    型号：PXT5551 编号：C23334800
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 低电流（最大600mA）。 高电压（最大180V）

    • 20+

      ￥0.10583 ￥0.1114

    • 200+

      ￥0.10355 ￥0.109

    • 1000+

      ￥0.101935 ￥0.1073

    • 2000+

      ￥0.100415 ￥0.1057
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:32V
    型号：2SB1132 编号：C28928392
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-0.2V（典型值，Ic / Ib = -500mA / -50mA）。 与2SD1664互补

    • 20+

      ￥0.124545 ￥0.1311

    • 200+

      ￥0.12179 ￥0.1282

    • 1000+

      ￥0.119985 ￥0.1263

    • 2000+

      ￥0.118085 ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：JEU005SS5 编号：C48782952
    封装：SOT-23-6L
    品牌：HT(金誉)
    特性：每条线100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流

    • 20+

      ￥0.17841 ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.139935 ￥0.1473

    • 600+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 3000+

      ￥0.105735 ￥0.1113

    • 9000+

      ￥0.09462 ￥0.0996

    • 21000+

      ￥0.088635 ￥0.0933
  • 有货
    • 立即购买
    100V N沟道增强型MOSFET
    型号：BSS123 编号：C23661579
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：VDS = 100V，ID = 0.17A。 RDS(ON) < 10Ω，VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 6Ω，VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.19266 ￥0.2028

    • 200+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 600+

      ￥0.12806 ￥0.1348

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.102125 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.095665 ￥0.1007
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：D882 编号：C27156147
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散

    • 10+

      ￥0.199215 ￥0.2097

    • 100+

      ￥0.194845 ￥0.2051

    • 300+

      ￥0.1919 ￥0.202

    • 1000+

      ￥0.188955 ￥0.1989
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道MOSFET
    型号：2N7002KDW 编号：C5188646
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(on)）。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

    • 20+

      ￥0.20425 ￥0.215

    • 200+

      ￥0.159125 ￥0.1675

    • 600+

      ￥0.134045 ￥0.1411

    • 3000+

      ￥0.119035 ￥0.1253

    • 9000+

      ￥0.105925 ￥0.1115

    • 21000+

      ￥0.09899 ￥0.1042
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2305 编号：C23856992
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低侧负载开关。 电池开关

    • 20+

      ￥0.223535 ￥0.2353

    • 200+

      ￥0.17537 ￥0.1846

    • 600+

      ￥0.14858 ￥0.1564

    • 3000+

      ￥0.132525 ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.111055 ￥0.1169
  • 有货
    • 立即购买
    -60V/-0.13A P沟道先进功率MOSFET
    型号：BSS84 编号：C29496302
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：功率因数校正 (PFC)。 开关电源 (SMPS)

    • 20+

      ￥0.223535 ￥0.2353

    • 200+

      ￥0.17537 ￥0.1846

    • 600+

      ￥0.14858 ￥0.1564

    • 3000+

      ￥0.132525 ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.111055 ￥0.1169
  • 有货
    • 立即购买
    60V/3A N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PT2308 编号：C25306259
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 20+

      ￥0.224105 ￥0.2359

    • 200+

      ￥0.178505 ￥0.1879

    • 600+

      ￥0.155705 ￥0.1639

    • 3000+

      ￥0.138605 ￥0.1459

    • 9000+

      ￥0.124925 ￥0.1315

    • 21000+

      ￥0.118085 ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：JEU005SP4 编号：C48782963
    封装：DFN2510-10L
    品牌：HT(金誉)
    特性：每条线路65瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流

    • 20+

      ￥0.22591 ￥0.2378

    • 200+

      ￥0.177175 ￥0.1865

    • 600+

      ￥0.1501 ￥0.158

    • 3000+

      ￥0.133855 ￥0.1409

    • 9000+

      ￥0.119795 ￥0.1261

    • 21000+

      ￥0.112195 ￥0.1181
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 5.8A
    型号：PT3404 编号：C28948785
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT2310 编号：C24555180
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT3415 编号：C25306266
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关

    • 10+

      ￥0.280155 ￥0.2949

    • 100+

      ￥0.223155 ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.194655 ￥0.2049

    • 3000+

      ￥0.17328 ￥0.1824

    • 6000+

      ￥0.15618 ￥0.1644

    • 9000+

      ￥0.14763 ￥0.1554
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 15V 7A
    型号：PTL16P07C 编号：C49384230
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.280155 ￥0.2949

    • 100+

      ￥0.223155 ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.194655 ￥0.2049

    • 3000+

      ￥0.17328 ￥0.1824

    • 6000+

      ￥0.15618 ￥0.1644

    • 9000+

      ￥0.14763 ￥0.1554
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 20V 3A
    型号：PTL04C02 编号：C49384227
    封装：SOT-23-6
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.30932 ￥0.3256

    • 100+

      ￥0.24643 ￥0.2594

    • 300+

      ￥0.21489 ￥0.2262

    • 3000+

      ￥0.19133 ￥0.2014

    • 6000+

      ￥0.172425 ￥0.1815

    • 9000+

      ￥0.16302 ￥0.1716
  • 有货
    • 立即购买
    电流:1A 电压:80V
    型号：BCX56 编号：C28014239
    封装：SOT-89-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：PNP互补型。 低电压。 高电流。应用：音频放大器的驱动级

    • 10+

      ￥0.3303

    • 100+

      ￥0.2631

    • 300+

      ￥0.2295

    • 1000+

      ￥0.2043
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 25A
    型号：PTD3020 编号：C49384203
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.50426 ￥0.5308

    • 50+

      ￥0.40166 ￥0.4228

    • 150+

      ￥0.35036 ￥0.3688

    • 500+

      ￥0.311885 ￥0.3283

    • 2500+

      ￥0.281105 ￥0.2959

    • 5000+

      ￥0.265715 ￥0.2797
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 80A
    型号：PTY4080 编号：C49384093
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最大结温

    • 5+

      ￥1.66991 ￥1.7578

    • 50+

      ￥1.32278 ￥1.3924

    • 150+

      ￥1.17401 ￥1.2358

    • 800+

      ￥0.98838 ￥1.0404

    • 2400+

      ￥0.90573 ￥0.9534

    • 4800+

      ￥0.85614 ￥0.9012
  • 有货
    • 立即购买
    60V/80A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTY80N06 编号：C49384095
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器

    • 5+

      ￥2.16049 ￥2.2742

    • 50+

      ￥1.711425 ￥1.8015

    • 150+

      ￥1.518955 ￥1.5989

    • 800+

      ￥1.278795 ￥1.3461

    • 2400+

      ￥1.171825 ￥1.2335

    • 4800+

      ￥1.1077 ￥1.166
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 150A
    型号：PTY30N150 编号：C49384087
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：高雪崩电流。100%雪崩测试。应用：电源。DC-DC转换器

    • 1+

      ￥2.5935 ￥2.73

    • 10+

      ￥2.0615 ￥2.17

    • 30+

      ￥1.824 ￥1.92

    • 100+

      ￥1.539 ￥1.62

    • 500+

      ￥1.406 ￥1.48

    • 800+

      ￥1.33 ￥1.4
  • 有货
    • 立即购买
    100-200 PNP 电流:0.6A 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C239014
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关
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    200-300 PNP 电流:0.6A 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C239015
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关
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    • 50+

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    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：PXT8050 编号：C28527285
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：高集电极电流。 与SS8550互补

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    N沟道MOSFET
    型号：BSS123 SA 编号：C692856
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
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    PNP晶体管高压开关与放大应用
    型号：PXT5401 编号：C29416975
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大，如电话应用。 低电流（最大500mA）。 高电压（最大160V）

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    NPN 电流:1A 电压:32V
    型号：2SD1664 编号：C28608121
    封装：SOT-89-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.15V（典型值）（IC / IB = 500mA / 50mA）。 与2SB1132互补

    • 20+

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