IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SK34B 编号：C50168049

封装：SMB

品牌：LGE(鲁光)

肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 0.55V@3A；直流反向耐压(Vr) 40V；整流电流 3A；反向电流(Ir) 500uA

10+
￥0.3303
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￥0.2631
300+
￥0.2295

有货

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型号：SS10100 编号：C41424784

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种高性能的半导体元件，其设计支持高达10A的连续正向电流（IF/A），并能承受最高100V的反向电压（VR/V）。在正向导通状态下，该二极管展现出0.85V的低电压降（VF/V），有助于减少电力损耗，提升效率。同时，它在反向偏置条件下的漏电流（IR/uA）被限制在20微安以内，确保了电路的可靠性。该二极管还能够承受瞬间峰值电流（IFSM/A）达到175A，这使得它非常适合应用于高频开关电源、整流电路以及电子设备中的瞬态保护等场景。

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￥0.572136 ￥0.6152
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￥0.452259 ￥0.4863
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￥0.392367 ￥0.4219
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￥0.347355 ￥0.3735
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￥0.311457 ￥0.3349
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￥0.293415 ￥0.3155

有货

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型号：BYG22B 编号：C20618082

封装：SMA

品牌：LGE(鲁光)

雪崩二极管正向压降(Vf)：1.1V@2A；直流反向耐压(Vr)：100V；平均整流电流(Io)：2A；反向电流(Ir)：1uA@100V；反向恢复时间(trr)：25ns

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￥1.0773
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￥0.9408
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￥0.8823
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￥0.8093
2500+
￥0.7768
5000+
￥0.7573

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型号：60F30 编号：C41433069

封装：TO-3P

品牌：minos(迈诺斯)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：300V 连续正向电流IF(AV)：2*30A 正向压降(Vf)：0.85V@40A 反向电流(Ir)：100μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

1+
￥4.01
10+
￥3.56
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￥3.33
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￥3.11
510+
￥2.97
990+
￥2.9

有货

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型号：1N914W 编号：C41419582

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管设计精良，适用于多种高频信号切换场合。其最大整流电流IF/A为0.15安培，反向击穿电压VR/V可达100伏特，正向电压降VF/V为1.25伏特，在微安级别的反向漏电流IR/uA仅为1，显示出优秀的阻断性能。此外，瞬时峰值电流IFSM/A可承受2安培，使其在快速开关应用中表现出色。该二极管凭借其可靠的电气特性，成为数字电路及通信设备中的理想选择。

50+
￥0.031527 ￥0.0339
500+
￥0.030783 ￥0.0331
3000+
￥0.029016 ￥0.0312
6000+
￥0.028551 ￥0.0307

有货

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型号：ZMM16V 编号：C41419600

封装：LL-34

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款稳压二极管设计用于提供精确的电压稳定，其标称稳压值（VR）为16V，确保了在各种电路中的可靠性能。器件的正向电压降（VF）为1V，在保证电流顺畅通过的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）低至0.1微安，意味着在无正向偏置电压下几乎无电流泄漏，提升了整体电路的效率。最大耗散功率（PD）为0.5瓦，适用于多种需要电压稳定的场合，如消费电子产品中的电源管理部分，有助于维持系统的稳定运行。

50+
￥0.0514
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￥0.04
2500+
￥0.0337
5000+
￥0.0299
25000+
￥0.0267
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￥0.0249

有货

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型号：ZMM10V-TD 编号：C46550825

封装：LL-34

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

此款LL-34封装稳压二极管，提供10V稳定电压输出（VZ），具备超低反向漏电流0.1uA（IR），确保长时间高效稳定运行。5mA的瞬态电流IZT特性，使其在快速变化的电路条件下仍能保持卓越响应速度。最大功率耗散0.5W，适用于各类高精度稳压与保护应用场合，以其出众性能，保障您的电路安全稳定。

50+
￥0.0528
500+
￥0.0409
2500+
￥0.0343
5000+
￥0.0303

有货

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型号：GS1M 编号：C41419595

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具有稳定的性能，其最大整流电流IF可达1A，峰值反向电压VR最高可承受1000V，正向电压降VF仅为1.1V，在微小的反向电流IR（≤5μA）下表现优异，瞬时正向浪涌电流IFSM能够达到30A。该二极管适用于多种电路中的整流、保护以及信号处理应用，能够在保证低功耗的同时提供高效的电流控制功能。其特性使得它成为设计中不可或缺的基础元件，特别是在需要高可靠性和精确电流管理的场合中。

50+
￥0.0625
500+
￥0.0487
2000+
￥0.0411
4000+
￥0.0365
24000+
￥0.0325
50000+
￥0.0303

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型号：BZT52C18T 编号：C2993017

封装：SOD-523

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

1+
￥0.081795 ￥0.0861
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￥0.07068 ￥0.0744
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￥0.064505 ￥0.0679
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￥0.0608 ￥0.064
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￥0.05757 ￥0.0606
1000+
￥0.055765 ￥0.0587

有货

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型号：BZT52C30S 编号：C173441

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.0836 ￥0.088
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￥0.06517 ￥0.0686
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￥0.05491 ￥0.0578
3000+
￥0.048735 ￥0.0513
6000+
￥0.043415 ￥0.0457
9000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：BZT52C10S 编号：C173450

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.086925 ￥0.0915
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￥0.068495 ￥0.0721
300+
￥0.058235 ￥0.0613
3000+
￥0.05206 ￥0.0548
6000+
￥0.04674 ￥0.0492
9000+
￥0.043795 ￥0.0461

有货

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型号：BZT52C47S 编号：C2993036

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.088255 ￥0.0929
500+
￥0.06878 ￥0.0724
3000+
￥0.05795 ￥0.061
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￥0.051395 ￥0.0541
24000+
￥0.04579 ￥0.0482
51000+
￥0.04275 ￥0.045

有货

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型号：HFDLL4148 编号：C42389381

封装：LL-34

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有良好的电气特性，其正向电流（IF/A）额定值为0.2安培，适用于低电流应用。反向电压（VR/V）最高可达100伏特，适用于广泛的电压范围。该二极管的正向电压（VF/V）为1伏特，有效降低了导通时的能耗。反向漏电流（IR/uA）控制在5微安，体现了出色的绝缘性能。瞬态正向电流（IFSM/A）峰值可达0.5安培，适合于需要快速开关的应用，例如在消费电子产品中的信号检测与保护功能。

50+
￥0.091466 ￥0.1102
500+
￥0.071712 ￥0.0864
2500+
￥0.060756 ￥0.0732
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￥0.054199 ￥0.0653
25000+
￥0.048472 ￥0.0584
50000+
￥0.045401 ￥0.0547

有货

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型号：BZT52B4V7 编号：C41419603

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管具备精确的电压稳定功能，其标称稳压值（VR）为4.7伏特，正向电压降（VF）为0.9伏特。在待机或低电流状态下，其反向漏电流（IR）控制在3微安以下，显示了良好的电气性能。该二极管的最大功率耗散能力（PD）为0.2瓦，适合用于各种便携式及家用电子设备中的稳压电路，能够为小型电子系统提供可靠的电压基准，确保在不同工作条件下输出电压的一致性和准确性。适用于个人电子设备中对电压精度要求较高的场合，保障设备运行的安全与高效。

50+
￥0.0958
500+
￥0.0746
3000+
￥0.0629

有货

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型号：MM1ZB18 编号：C6798267

封装：SOD-123

品牌：Huixin(慧芯)

稳压二极管稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.64V~18.36V 精度：±2% 功率：500mW 反向电流(Ir)：0.1μA@13V 阻抗(Zzt)：45Ω

50+
￥0.104808 ￥0.1191
500+
￥0.081048 ￥0.0921
3000+
￥0.067848 ￥0.0771
6000+
￥0.059928 ￥0.0681
24000+
￥0.053064 ￥0.0603
51000+
￥0.04928 ￥0.056

有货

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型号：MMSZ5243B 编号：C2993577

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.110485 ￥0.1163
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￥0.08588 ￥0.0904
3000+
￥0.072295 ￥0.0761
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￥0.06403 ￥0.0674
24000+
￥0.057 ￥0.06
51000+
￥0.053105 ￥0.0559

有货

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型号：MMSZ5231B 编号：C2993565

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

1+
￥0.11343 ￥0.1194
10+
￥0.089395 ￥0.0941
30+
￥0.076 ￥0.08
100+
￥0.067925 ￥0.0715
500+
￥0.06099 ￥0.0642
1000+
￥0.05719 ￥0.0602

有货

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型号：BZX84C36 编号：C2993106

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.114855 ￥0.1209
500+
￥0.08949 ￥0.0942
3000+
￥0.075335 ￥0.0793
6000+
￥0.06688 ￥0.0704
24000+
￥0.059565 ￥0.0627
51000+
￥0.055575 ￥0.0585

有货

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型号：BZT52B20 编号：C2992947

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

20+
￥0.120745 ￥0.1271
200+
￥0.09405 ￥0.099
600+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.0703 ￥0.074
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￥0.062605 ￥0.0659
21000+
￥0.05852 ￥0.0616

有货

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型号：BZT52B5V6 编号：C2992992

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

20+
￥0.120745 ￥0.1271
200+
￥0.09405 ￥0.099
600+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.0703 ￥0.074
9000+
￥0.062605 ￥0.0659
21000+
￥0.05852 ￥0.0616

有货

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型号：BZT52B5V1 编号：C2992990

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度2%，较低的IR漏电流

20+
￥0.120745 ￥0.1271
200+
￥0.09405 ￥0.099
600+
￥0.07923 ￥0.0834
3000+
￥0.0703 ￥0.074
9000+
￥0.062605 ￥0.0659
21000+
￥0.05852 ￥0.0616

有货

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型号：BZT52C2V4T 编号：C2858496

封装：SOD-523

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

1+
￥0.1311 ￥0.138
10+
￥0.104405 ￥0.1099
30+
￥0.089585 ￥0.0943
100+
￥0.08075 ￥0.085
500+
￥0.073055 ￥0.0769
1000+
￥0.068875 ￥0.0725

有货

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型号：HUS1ME361T 编号：C42389402

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款快恢复二极管设计用于高频开关应用，具有1A的平均正向电流（IF），并在反向电压（VR）下可承受高达1000V的电压。其正向电压降（VF）仅为1.7V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级别（5µA），保证了设备在非导通状态下的低功耗特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30A，适用于需要承受短时电流峰值的应用场景。这些特性使得该二极管成为在需要快速切换及高效率表现的电路设计中的理想选择。

10+
￥0.20408 ￥0.2551
100+
￥0.16256 ￥0.2032
300+
￥0.14176 ￥0.1772
2000+
￥0.12144 ￥0.1518
4000+
￥0.10904 ￥0.1363
10000+
￥0.1028 ￥0.1285

有货

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型号：1SMA4743A 编号：C364307

封装：SMA

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.23769 ￥0.2502
100+
￥0.18753 ￥0.1974
300+
￥0.16245 ￥0.171
1000+
￥0.14364 ￥0.1512
5000+
￥0.122075 ￥0.1285
10000+
￥0.11457 ￥0.1206

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型号：1SMA4764A 编号：C173482

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.2527 ￥0.266
100+
￥0.20254 ￥0.2132
300+
￥0.17746 ￥0.1868
1000+
￥0.15865 ￥0.167
5000+
￥0.12749 ￥0.1342
10000+
￥0.119985 ￥0.1263

有货

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型号：SS2200B 编号：C41424792

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种高效的半导体元件，适用于高频信号处理。本产品具有2A的最大正向电流IF，能够在高达200V的反向电压VR下正常工作。其正向电压VF为0.95V，有效降低了能量损失。反向漏电流IR在室温条件下不超过300微安，显示出良好的阻断特性。此外，该二极管能承受50A的瞬时峰值电流IFSM，增强了在动态环境下的可靠性。凭借其快速的开关特性和低导通电压，这款肖特基二极管特别适合用于高频开关电源、整流电路以及消费电子产品中的保护电路。

10+
￥0.30837 ￥0.3246
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￥0.24377 ￥0.2566
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￥0.21147 ￥0.2226
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￥0.187245 ￥0.1971
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￥0.167865 ￥0.1767
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￥0.158175 ￥0.1665

有货

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型号：Z2E24B 编号：C7466350

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：24V 精度：±5% 功率：2W 反向电流(Ir)：500nA@18.2V 阻抗(Zzt)：13Ω 2W

10+
￥0.39178 ￥0.4124
100+
￥0.3097 ￥0.326
300+
￥0.26866 ￥0.2828
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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型号：SS10100B 编号：C41424790

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

肖特基二极管是一种具备快速开关特性的半导体器件，适用于高频电路中。本款肖特基二极管的最大正向电流IF可达10A，在反向电压VR下可承受的最大电压为100V，同时在正向电压VF仅为0.85V时能提供高效的电流传输。其反向漏电流IR在室温下小于1000微安，展现了良好的阻断性能。此外，该二极管的瞬态峰值电流IFSM能够达到250A，使其在需要快速响应和高效率转换的应用中表现出色，如开关电源中的整流环节或是保护电路中的瞬态抑制等。此器件以其低导通电压降和高速度特性满足了现代电子设备对高效能组件的需求。

5+
￥0.671181 ￥0.7217
50+
￥0.530565 ￥0.5705
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￥0.460257 ￥0.4949
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￥0.407526 ￥0.4382
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￥0.365397 ￥0.3929
6000+
￥0.344286 ￥0.3702

有货

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型号：F60UP30DN 编号：C41433068

封装：TO-3P

品牌：minos(迈诺斯)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：300V 连续正向电流IF(AV)：2*30A 正向压降(Vf)：0.85V@40A 反向电流(Ir)：100μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

1+
￥5.06
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￥3.98
30+
￥3.69
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￥3.15
510+
￥2.83
990+
￥2.67

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型号：HSCS210KNHRTRL 编号：C42389228

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向平均电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，适用于高电压环境。其正向电压(VF)为1.4V，有助于保持较低的导通损耗。该器件拥有100μA的反向漏电流(IR)，确保了良好的电性能。最大浪涌电流(IFSM)可达90A，提高了应对瞬态大电流的能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及其他需要高效能与稳定性的电子设备的理想选择。

1+
￥25.488 ￥28.32
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￥21.87 ￥24.3
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￥19.719 ￥21.91
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￥17.55 ￥19.5
500+
￥16.542 ￥18.38
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￥16.092 ￥17.88

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