IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C33S 编号：C2993027

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

1+
￥0.0836 ￥0.088
10+
￥0.06517 ￥0.0686
30+
￥0.05491 ￥0.0578
100+
￥0.048735 ￥0.0513
500+
￥0.043415 ￥0.0457
1000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：BZT52C3V9S 编号：C173437

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.0836 ￥0.088
100+
￥0.06517 ￥0.0686
300+
￥0.05491 ￥0.0578
3000+
￥0.048735 ￥0.0513
6000+
￥0.043415 ￥0.0457
9000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：BZT52C24S 编号：C173444

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.0836 ￥0.088
500+
￥0.06517 ￥0.0686
3000+
￥0.05491 ￥0.0578
6000+
￥0.048735 ￥0.0513
24000+
￥0.043415 ￥0.0457
51000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：BZT52C6V8S 编号：C173433

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.08531 ￥0.0898
500+
￥0.06688 ￥0.0704
3000+
￥0.05491 ￥0.0578
6000+
￥0.048735 ￥0.0513
24000+
￥0.043415 ￥0.0457
51000+
￥0.04047 ￥0.0426

有货

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型号：BZT52C20S 编号：C173445

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

50+
￥0.08759 ￥0.0922
500+
￥0.06916 ￥0.0728
3000+
￥0.0589 ￥0.062
6000+
￥0.052725 ￥0.0555
24000+
￥0.047405 ￥0.0499
51000+
￥0.04446 ￥0.0468

有货

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型号：BZT52C5V1T 编号：C2993046

封装：SOD-523

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

20+
￥0.11761 ￥0.1238
200+
￥0.090915 ￥0.0957
600+
￥0.076095 ￥0.0801
3000+
￥0.06726 ￥0.0708
9000+
￥0.059565 ￥0.0627
21000+
￥0.055385 ￥0.0583

有货

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型号：ZHCS350TA 编号：C154768

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

这款新增的Zetex肖特基二极管采用SOD523封装，具备出色的低正向压降（VF）/反向电流（IR）性能，且封装高度仅为0.9mm，使其适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

数据手册

5+
￥1.188
50+
￥0.9349
150+
￥0.8265
500+
￥0.6912
3000+
￥0.631

有货

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型号：80F40 编号：C41433071

封装：TO-3P

品牌：minos(迈诺斯)

二极管配置：1对共阴极直流反向耐压(Vr)：400V 连续正向电流IF(AV)：2*40A 正向压降(Vf)：1.1V@40A 反向电流(Ir)：300μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

1+
￥6.24
10+
￥4.99
30+
￥4.38
90+
￥3.75
510+
￥3.38
990+
￥3.19

有货

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型号：BAV99LT1G-HXY 编号：C50176893

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复耐压（VR）达70V，适用于低电流、中等电压的电路环境。其正向导通压降（VF）为1.25V，在小电流工况下具备良好的整流效率。反向漏电流（IR）典型值为2.5μA，表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合，适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。

50+
￥0.026885 ￥0.0283
500+
￥0.02622 ￥0.0276
3000+
￥0.025745 ￥0.0271
6000+
￥0.02527 ￥0.0266

有货

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型号：HL1N4148WT1G 编号：C42389383

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款开关二极管具有典型正向电流（IF/A）0.3A的特点，其最大反向电压（VR/V）可达100V，确保了在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.25V，在通过电流时能量损失较小。同时，反向漏电流（IR/uA）低至1µA，表明其在阻断状态下的漏电极少。瞬态峰电流（IFSM/A）为2A，表明该元件能承受短时过载电流。这些特性使得该二极管适用于高频信号处理及电源管理电路中的快速切换应用。

50+
￥0.04842 ￥0.0538
500+
￥0.03771 ￥0.0419
3000+
￥0.03177 ￥0.0353
6000+
￥0.02826 ￥0.0314
24000+
￥0.02511 ￥0.0279
51000+
￥0.02349 ￥0.0261

有货

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型号：ZMM24 编号：C7470923

封装：LL-34

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款LL-34封装稳压二极管，提供高达24V的精准电压稳压能力（VZ），搭载超低反向漏电流0.1uA（IR），确保器件在高电压下仍能保持卓越效能与节能性。5mA瞬态IZT电流赋予其出色的响应速度，适应快速变化的电路环境。最大功率耗散为0.5W，适用于高电压精密稳压及电路保护应用，以强大性能满足严苛需求。