Littelfuse二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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型号：HE3621A0510 编号：C1519207

封装：SIP,19.1x5.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款UL封装的微型干簧继电器，具有常开触点，能够在10W功率下切换高达200Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈，并有外部磁屏蔽和二极管抑制线圈等选项。

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型号：HE722A2410 编号：C1524824

封装：DIP,7.2x19.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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型号：AQ3522-01FTG 编号：C1512966

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3522-01FTG集成了超低电容二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护V-By-One、HDMI、USB3.0和USB2.0等高速度信号引脚。

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型号：SP3522-01UTG 编号：C3715418

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3522集成了超低电容的阴极对阴极硅雪崩二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。该耐用组件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8 kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

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型号：SP4022-01FTG 编号：C1974804

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件每IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）可安全吸收高达15A的电流，性能不会下降，且每IEC61000 - 4 - 2国际标准可承受最小±30kV的ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

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型号：V5.5MLA0805LNH 编号：C2655726

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：SP4044-04ATG 编号：C1975848

封装：MSOP-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4044将低电容二极管与额外的齐纳二极管集成在一起，以保护每个I/O引脚免受静电放电（ESD）和高浪涌事件的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达24A的电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），性能不会下降，并且按照IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小静电放电抗扰度为±30kV。其低负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

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型号：AQ1205-01ETG 编号：C3713749

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1205-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1205-01ETG TVS可以安全地吸收重复的±30 kV ESD冲击（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现任何性能下降。此外，它还可以安全地耗散7A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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型号：AQ3102-02JTG 编号：C3705570

封装：SC-70-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。能够安全吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0、USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

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型号：SLD8S18A 编号：C3705315

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列TVS二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它旨在保护敏感电子设备，使其免受雷电和感性负载开关电压瞬变事件的影响，适用于严苛的汽车负载突降应用。

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型号：HE721C1200 编号：C1519209

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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型号：HE3621A1210 编号：C151692

封装：SIP,19.1x5.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是SIL封装的微型干簧继电器，具有常开触点，能够在10W下切换高达200Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈，并有外部磁屏蔽和二极管抑制线圈选项。

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型号：V18MLA1210NH 编号：C2655806

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：V9MLA0805LNH 编号：C3260701

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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型号：AQ4021-01FTG 编号：C1976053

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御 ESD 和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第 2 版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 25A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最低可承受 ±30kV 的 ESD。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

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型号：SP3025-04HTG 编号：C5346089

封装：SOT-23-6L

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3025-04HTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用SOT23 - 6L封装，每个器件最多可保护4个通道，可承受高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的电流和高达±30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。SP3025-04HTG具有低电容和低钳位电压的特性，使其非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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型号：SC1115-01UTG 编号：C3700113

封装：DFN-2(1x1.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术制造，可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管可以安全地承受±30kV（接触和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准）的反复ESD冲击，而不会出现性能下降。此外，每个二极管可以在极低的钳位电压下安全耗散80A（SC1105）的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

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￥0.8679
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￥0.8485
150+
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型号：V30MLA0805LNH 编号：C2655525

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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5+
￥1.0062
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￥0.7956
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型号：AQ4023-01FTG-C 编号：C3708453

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些元件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲持续时间tp = 8 / 20μs），且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护电信端口，如+DSL以及其他高压、高速传统接口

5+
￥1.0919
50+
￥1.07
150+
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型号：AQ05-02HTG 编号：C1976978

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

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3000+
￥0.6254
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型号：AQ1210-01ETG 编号：C3712221

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ1210-01ETG双向TVS采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高水平的ESD（静电放电）保护。AQ1210-01ETG TVS可以安全吸收重复的±30 kV ESD（接触放电和空气放电，符合IEC 61000-4-2标准），而不会出现性能下降。此外，每个TVS可以安全耗散15A 8/20us浪涌事件（符合IEC 61000-4-5第二版标准）。

5+
￥2.191
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型号：V18MLA0603NHAUTO 编号：C3262702

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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￥2.2687
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￥1.8336
150+
￥1.6471

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型号：V14MLA0805LNHAUTO 编号：C2655589

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。较宽的工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装。与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。与齐纳二极管相比，可在更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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1+
￥2.98
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￥2.34
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￥2.06

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型号：V48MLA1210NH 编号：C2760142

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件占用的空间小得多。

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1+
￥10.06
10+
￥8.29
30+
￥7.32

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型号：SP720APP 编号：C5342243

封装：PDIP-16

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电和过压保护的SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有2个保护SCR/二极管器件结构，共有14个可用输入，可保护多达14条外部信号或总线线路。过压保护从IN（引脚1-7和9-15）到V+或V-。SCR结构设计为在高于V+（引脚16）一个+VBE二极管阈值或低于V-（引脚8）一个-VBE二极管阈值的阈值下快速触发。如果瞬态脉冲使输入电压升高到比V+高一个VBE的电压水平，则会激活到V+的钳位；如果向IN输入施加比V-低一个VBE的负脉冲，则会激活到V-的类似钳位。标准静电放电人体模型（HBM）能力如下。

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1+
￥22.15
10+
￥19.23
25+
￥17.5

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型号：IXTQ69N30P 编号：C27756225

封装：TO-3P

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。快速本征二极管。雪崩额定。低导通电阻和栅极电荷。低封装电感。高功率密度。应用：DC-DC转换器。电池充电器

1+
￥76
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￥75.6
30+
￥75.34

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型号：IXTX40P50P 编号：C5773480

封装：-

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。坚固的PolarPTM工艺。雪崩额定。快速本征二极管。低封装电感。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器

1+
￥178.22
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￥173.99

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型号：V12MLA0805LNH 编号：C2655532

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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￥1.4976
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型号：V30MLA0603NHAUTO 编号：C3263832

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

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