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钳位电压60V 0.1焦耳 0603压敏电阻

型号：V26MLA0603NH 编号：C2655584

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.61
30+
￥2.34

有货

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单向TVS 24V截止峰值浪涌电流：7A@8/20us

型号：SP4024-01FTG 编号：C316005

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4024系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达7A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

1+
￥5.43
10+
￥4.43
30+
￥3.93

有货

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ESD 6V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：SP1011-04UTG 编号：C1975078

封装：UDFN-6(1x1.3)

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的雪崩击穿二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为高速信号引脚保护的理想选择。

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.83
30+
￥5.24

有货

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5V 30A@8/20us

型号：SRDA05-4BTG 编号：C1973111

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SRDA05集成了低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，以保护I/O引脚免受ESD和雷电感应浪涌事件的影响。该耐用设备可根据IEC61000-4-5标准（脉冲宽度tp = 8/20μs）安全吸收高达30A的电流，且性能不会下降，同时符合IEC61000-4-2国际标准，具有至少±30kV的ESD防护能力。其低负载电容使其非常适合用于高速接口保护。

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1+
￥7.4
10+
￥6.24
30+
￥5.61

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

型号：SP7538PUTG 编号：C1976609

封装：UDFN-9(3.8x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP7538P集成了8通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的器件能够安全吸收超过国际标准IEC 61000 - 4 - 2规定的最大电平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0、IEEE 1394。

1+
￥10.2
10+
￥8.56
30+
￥7.66

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TVS 3.3V截止峰值脉冲电流：40A@8/20us

型号：SP3374NUTG 编号：C1973296

封装：DFN3020-10

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3374NUTG是一款低电容TVS二极管阵列，旨在为高速差分数据线提供针对ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）、EFT（电快速瞬变）和雷电感应浪涌的保护。它采用μDFN封装（3.0 × 2.0mm），每个器件最多可保护4个通道或2个差分对，可承受高达40A（IEC 61000 - 4 - 5第2版）的浪涌电流和高达30kV的ESD（IEC 61000 - 4 - 2）。“直连式”设计可最大程度减少信号失真、降低电压过冲，并简化PCB设计。SP3374NUTG具有低电容和低钳位电压的特性，非常适合用于高速数据接口，如笔记本电脑、交换机等设备中的1GbE应用。

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1+
￥16.43
10+
￥16.12
30+
￥15.91

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MOSFET驱动器

型号：FDA215S 编号：C5373318

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

FDA215 是一款双光伏 MOSFET 驱动器，它采用一对光耦合 LED 来驱动两个光电二极管阵列。当向 LED 施加输入电流时，发出的光会激活光电二极管阵列，并在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生足以驱动高功率 MOSFET 晶体管的浮动源电压和电流

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1+
￥27
10+
￥23.36
50+
￥21.2

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耐压:100V 电流:90A

型号：IXTH90P10P 编号：C6280796

封装：TO-247

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。雪崩额定。快速本征二极管。坚固的PolarPTM工艺。低封装电感。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器

1+
￥91.39
10+
￥88.81

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：8A@3/20us

型号：SP3014-02UTG 编号：C207282

封装：UDFN-6(1x1.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3014系列集成了两路低电容导向二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。SP3014能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。低负载电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0和1Gb以太网，其极低的动态电阻可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬态影响。

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1+
￥2.68
10+
￥2.12
30+
￥1.88

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钳位电压92V 1206压敏电阻停产

型号：V42MLA1206H 编号：C187738

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

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1+
￥3.77
10+
￥3.1
30+
￥2.76

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TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：150A@8/20us

型号：LC03-3.3BTG 编号：C315938

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款 LC03 - 3.3 系列产品可为诸如 10/100/1000 BaseT 以太网和 T3/E3 接口等应用提供过压保护。这款新型保护器将 TVS 二极管元件与二极管整流桥相结合，在一个封装内同时提供纵向和差分保护。

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1+
￥8.78
10+
￥7.34
30+
￥6.55
100+
￥5.66

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5V继电器单刀单掷-常开

型号：HE3621A0500 编号：C151666

封装：SIP,19.1x5.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是SIL封装的微型干簧继电器，具有常开触点，能够在10W下切换高达200Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈，并有外部磁屏蔽和二极管抑制线圈选项。

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800+
￥7.15
1600+
￥7.085
2400+
￥7.02

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HE721C0510

型号：HE721C0510 编号：C142934

封装：DIP,7.2x19.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款DIL封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。它提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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1+
￥41.74
10+
￥40.76
50+
￥40.11

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12V继电器单刀双掷

型号：HE721C1210 编号：C27044

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

HE700是一款采用DIL封装的微型干簧继电器，提供常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。该继电器有5V、12V和24V线圈可选，并带有二极管抑制功能，还可选择配备磁屏蔽。

数据手册

1+
￥53.44
10+
￥46.68
30+
￥42.56

有货

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5V继电器单刀单掷-常开

型号：HE721A0500 编号：C151704

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

HE700是一款采用DIL封装的微型干簧继电器，提供常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。该继电器有5V、12V和24V线圈可选，并带有二极管抑制功能，还可选择配备磁屏蔽。

数据手册

1+
￥24
10+
￥20.77
50+
￥18.86
100+
￥16.92
500+
￥16.03
1000+
￥15.63

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双向TVS 5.3V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：AQ3045-01ETG 编号：C3710326

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些坚固的二极管可以安全地吸收高达 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最大水平（±30kV 接触放电）的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护，低负载电容使其非常适合保护高速数据线，如 HDMI、USB2.0、USB3.0 和 eSATA。

1+
￥0.648
50+
￥0.6318
1000+
￥0.6102

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单向ESD 6V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：SP3003-02XTG 编号：C207278

封装：SOT-553

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

数据手册

1+
￥1.4049
10+
￥1.1209
30+
￥0.9992
100+
￥0.8473
500+
￥0.7796
1000+
￥0.7391

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：SP1305-02HTG 编号：C1974930

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1305 TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌造成的损坏。SP1305能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降，还能以极低的钳位电压安全耗散高达5A的8/20μs感应浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）。

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1+
￥1.11192
50+
￥1.084122
1000+
￥1.047058

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3A@8/20us

型号：SP721ABTG 编号：C17272510

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

是用于静电放电 (ESD) 和过压保护的 SCR/二极管双极结构阵列，可保护敏感输入电路。每个输入有 2 个保护 SCR/二极管器件结构，共有 6 个可用输入，可保护多达 6 条外部信号或总线线路。过压保护范围是从 IN（引脚 1-3 和引脚 5-7）到 V+ 或 V-。SCR 结构设计用于在高于 V+（引脚 8）一个 +VBE 二极管阈值或低于 V-（引脚 4）一个 -VBE 二极管阈值的阈值下快速触发

1+
￥15.75
10+
￥15.43
30+
￥15.21
100+
￥15

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1个N沟道耐压:200V 电流:220A

型号：IXFN230N20T 编号：C6069251

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse(美国力特)

特性：国际标准封装。 miniBLOC，带氮化铝隔离。隔离电压2500 V~。高电流处理能力。快速本征二极管。雪崩额定。应用：同步整流。 DC-DC转换器

1+
￥273.38
10+
￥263.82

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单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：AQ4022-01FTG 编号：C468894

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4022系列分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可防护ESD和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版（tp = 8/20μs）安全吸收高达15A的电流，且性能不会下降，同时根据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最低ESD防护能力为±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

5+
￥0.9294
50+
￥0.911
150+
￥0.8987
500+
￥0.8865

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单向TVS 6V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：SP1006-01UTG 编号：C1665891

封装：UDFN-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地承受±30kV（接触放电，IEC 81000 - 4 - 2）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地消散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5，第2版）

5+
￥1.0769
50+
￥1.0556
150+
￥1.0414
500+
￥1.0272

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TVS 3.3V截止峰值脉冲电流：80A@8/20us

型号：SP1103C-01UTG 编号：C1976607

封装：DFN1610-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1103C采用专利硅雪崩技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管，对每个I/O引脚进行保护，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的防护。这些耐用的二极管能够安全地吸收±30kV（接触放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的重复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下，安全地耗散80A的8/20ms浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

数据手册

35+
￥2.358662
100+
￥1.89543
500+
￥1.588877
1000+
￥1.4812

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ESD 300mV截止峰值脉冲电流：3A@8/20us

型号：SP00R6-01WTG 编号：C3700768

封装：0201

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP00R6的特点是击穿/导通电压极低，使其成为-0.3 V至+0.3 V低压数据线的理想保护器件。这些耐用的二极管能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。

1+
￥12.14
10+
￥10.33
30+
￥9.2
100+
￥8.05
500+
￥7.52
1000+
￥7.3

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5V继电器单刀单掷-常开

型号：HE751A0510 编号：C1524789

封装：插件

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

数据手册

1+
￥20.2
10+
￥17.29
25+
￥15.56
100+
￥13.81
500+
￥13
1000+
￥12.64

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0.3焦耳压敏电阻

型号：V26MLA0805NHAUTO 编号：C3262487

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

这些组件旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他用于电磁兼容性 (EMC) 的标准中规定的事件。通常应用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使该系列适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件的占用空间小得多。

1+
￥0.3819
10+
￥0.3036
30+
￥0.2645
100+
￥0.2351

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0.1焦耳 0603压敏电阻

型号：V3.5MLA0603NH 编号：C2655533

封装：0603

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥1.71
10+
￥1.67
30+
￥1.65
100+
￥1.63

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我要订货

1.5SMC6.8A

型号：1.5SMC6.8A 编号：C116952

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬变二极管1.5SMC6.8A/UNIDO-214AB/SMC

数据手册

单价：
￥0.98394 / 个

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单向ESD 6V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：AQ3102-02HTG 编号：C3704297

封装：SOT-23-3L

品牌：Littelfuse(美国力特)

集成2通道低电容转向二极管和一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的汽车电子设备提供保护。可以安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准（4级，2kV接触放电）规定的最大接触水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。低关态电容使其非常适合保护高速信号线，如USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网，具有极低的动态电阻，可保护最敏感的先进芯片组免受ESD瞬变影响。

1+
￥3
10+
￥2.94
30+
￥2.89
100+
￥2.85

订货

我要订货

双向TVS 3.3V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

型号：SP1333-01UTG 编号：C3704931

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1333背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的ESD（静电放电）保护。SP1333 TVS能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8KV接触放电）规定的最大接触放电水平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置为数据线提供对称的ESD保护。此外，SP1333可提供高达5A的8/20浪涌额定值，且钳位电压低。

1+
￥3.37
10+
￥2.68
30+
￥2.39
100+
￥2.02
500+
￥1.86
1000+
￥1.76

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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