Littelfuse二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：UDFN-10(1x2.5)

SP3420包含四个通道的超低电容、高等级ESD保护二极管，用于保护USB 3.1、DisplayPort、Thunderbolt和e-SATA等高数据速率接口。其典型电容为0.32pF，有助于确保信号完整性。该坚固的器件能够安全吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高等级（4级，±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，性能不会下降，还能安全泄放6A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第2版）。

5+
￥0.956
50+
￥0.8033
150+
￥0.727
500+
￥0.6698

有货

立即购买

型号：SP1001-04JTG 编号：C207267

封装：SC-70-5

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

数据手册

5+
￥1.2111
50+
￥0.9684
150+
￥0.8643
500+
￥0.7345

有货

立即购买

型号：SP3304NUTG 编号：C207285

封装：DFN-10-EP(2.6x2.6)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3304N集成了4通道低电容二极管和一个额外的齐纳二极管，用于保护敏感的I/O引脚免受雷击浪涌事件和静电放电（ESD）的影响。这款坚固的器件可根据IEC 61000 - 4 - 5第2版标准安全吸收高达20A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时依据IEC 61000 - 4 - 2国际标准，其最小ESD防护能力为±30kV。低负载电容使SP3304N非常适合保护高速信号引脚。

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.29
30+
￥2.06
100+
￥1.77
500+
￥1.63

有货

立即购买

型号：V18AUMLA1210NH 编号：C179031

封装：1210

品牌：Littelfuse(美国力特)

多层瞬态浪涌抑制器专为抑制汽车中破坏性的瞬态电压而设计。最常见的瞬态情况由大电感能量放电引起。汽车中的电子系统，如防抱死制动系统、直接点火系统、发动机控制、安全气囊控制系统、雨刮电机控制等，容易受到这些电压瞬变的损害，因此需要保护。AUML瞬态抑制器具有与温度无关的抑制特性，可在 -55℃ 至 125℃ 范围内提供保护。该抑制器由半导体陶瓷制成，在小封装中提供坚固的保护和出色的瞬态能量吸收能力。这些器件采用陶瓷无引脚芯片形式，消除了引脚电感，确保对瞬态浪涌的快速响应速度。与硅 TVS 二极管相比，这些抑制器所需的空间和焊盘明显更小，为设计人员提供了更大的电路板布局灵活性。

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥3.31
30+
￥2.89
100+
￥2.48
500+
￥2.24

有货

立即购买

型号：V5.5MLA1206NH 编号：C3260391

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，旨在抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

1+
￥7.49
10+
￥6.17
30+
￥5.44
100+
￥4.62

有货

立即购买

型号：SLD8S33A 编号：C434725

封装：SMTO-263

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

数据手册

1+
￥13.76
10+
￥12.08
30+
￥11.03
100+
￥9.96

有货

立即购买

型号：SMBJ7.5CA 编号：C374028

封装：DO-214AA

品牌：Littelfuse(美国力特)

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供用于浪涌和静电放电 (ESD) 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA (SMB) 尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供 5 V 至 495 V 的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

5+
￥0.5987
50+
￥0.4798
150+
￥0.4203
500+
￥0.3757

有货

立即购买

型号：AQ4021-01FTG-C 编号：C708873

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4021 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，用于单向或双向保护，以抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准安全吸收高达 25A 的浪涌电流（脉冲宽度 tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，具备最低 ±30kV 的 ESD 防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口和其他高速数据接口。

数据手册

5+
￥0.9667
50+
￥0.8124
150+
￥0.7352
500+
￥0.6773

有货

立即购买

型号：V18MLA0805NH 编号：C179034

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.1008
50+
￥0.873
150+
￥0.7754
500+
￥0.6536

有货

立即购买

型号：SM36-02HTG 编号：C1847664

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

SM系列瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。

数据手册

5+
￥1.1574
50+
￥0.9407
150+
￥0.8478
500+
￥0.7319

有货

立即购买

型号：AQ4020-01FTG 编号：C1975165

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ4020 组件分别集成了低电容转向二极管和一个或两个雪崩击穿二极管，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据 IEC 61000 - 4 - 5 第二版标准（tp = 8/20μs）安全吸收高达 30A 的电流，且性能不会下降，同时符合 IEC 61000 - 4 - 2 国际标准，最小静电放电能力为 ±30kV。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护以太网等电信端口以及其他高速数据接口。

数据手册

5+
￥1.1845
50+
￥0.9439
150+
￥0.8408
500+
￥0.7122

有货

立即购买

型号：SP4023-01FTG-C 编号：C720048

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4023系列分别将低电容转向二极管与一个或两个雪崩击穿二极管集成，以实现单向或双向保护，可抵御静电放电（ESD）和雷电感应浪涌事件。这些组件可根据IEC 61000 - 4 - 5第二版标准安全吸收高达12A的浪涌电流（脉冲宽度tp = 8/20μs），且性能不会下降，同时符合IEC 61000 - 4 - 2国际标准，具备最低±30kV的ESD防护能力。低负载电容和高浪涌能力使其非常适合保护诸如xDSL等电信端口以及其他高压、高速传统接口。

数据手册

5+
￥1.3665
50+
￥1.0982
150+
￥0.9832
500+
￥0.8397

有货

立即购买

型号：SP4203-01FTG-C 编号：C3705092

封装：SOD-323

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP4203集成了低电容二极管，可为电子设备提供保护，防止其受到破坏性静电放电（ESD）的影响。这些坚固的瞬态电压抑制器（TVS）能够承受±30 kV的重复接触或空气ESD放电事件，且性能不会下降。这超过了IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD接触和空气放电测试要求。此外，该TVS能够承受IEC 61000 - 4 - 5第二版中定义的高达10A的8/20浪涌电流事件，同时仍能提供低电压钳位水平。

5+
￥1.5603
50+
￥1.2626
150+
￥1.135
500+
￥0.9759

有货

立即购买

型号：SP3003-04JTG 编号：C316003

封装：SC-70-6

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3003具备超低电容的轨到轨二极管以及一个额外的齐纳二极管，采用专有硅雪崩技术制造，用于保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最高级别（4级，±8 KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其非常适合保护HDMI、DVI、USB2.0和IEEE 1394等高速度信号引脚。

数据手册

10+
￥1.5735
100+
￥1.2433
300+
￥1.1018

有货

立即购买

型号：SLD8S36A 编号：C468899

封装：SMD

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLD8S系列瞬态电压抑制（TVS）二极管采用引脚改进型SMTO - 263封装。它专为保护敏感电子设备而设计，可抵御雷电和感性负载开关电压瞬变事件，适用于严苛的汽车负载突降应用。

数据手册

1+
￥12.02
10+
￥10.06
30+
￥8.98
100+
￥7.77

有货

立即购买

型号：V14MLA1206NH 编号：C2655569

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.0844
50+
￥1.0629
150+
￥1.0486
500+
￥1.0342

有货

立即购买

型号：SLVU2.8-8BTG 编号：C1847673

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

SLVU2.8 - 8旨在保护低电压CMOS器件免受静电放电（ESD）和雷击引起的瞬态影响。每个低电压瞬态电压抑制器（TVS）都串联一个补偿二极管，以向受保护线路呈现低负载电容。这些坚固的结构可根据IEC 61000 - 4 - 2标准安全吸收±30kV（接触放电）的反复ESD冲击，并且能在极低的钳位电压下安全耗散高达30A（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）的电流。

数据手册

1+
￥7.93
10+
￥6.77
30+
￥6.13
100+
￥5.41

有货

立即购买

型号：AQ36-02HTG 编号：C1977430

封装：SOT-23-3

品牌：Littelfuse(美国力特)

A0x-02H TG系列TVS二极管阵列旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷电感应浪涌造成的损坏。该AO×X系列能够安全吸收±30 kV的重复性ESD冲击（符合IEC 61000-4-2标准规定的接触放电和空气放电），且性能不会下降。此外，AQ05能够在低电压钳位水平下，安全传导符合IEC 61000-4-5第二版标准规定的33A 8/20浪涌电流。

数据手册

5+
￥0.58596 ￥1.9532
50+
￥0.31086 ￥1.5543
150+
￥0.13833 ￥1.3833
500+
￥0.117 ￥1.17
3000+
￥0.1075 ￥1.075
6000+
￥0.1018 ￥1.018

有货

立即购买

型号：V14MLA0805LNH 编号：C2655524

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.1261
50+
￥0.8903
150+
￥0.7893
500+
￥0.6632

有货

立即购买

型号：SP1001-05XTG 编号：C207269

封装：SOT-563

品牌：Littelfuse(美国力特)

采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管可保护每个I/O引脚，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这些坚固的二极管能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准（4级，±8 kV接触放电）规定的最大电平的重复性ESD冲击，且性能不会下降。其极低的负载电容也使其成为保护高速信号引脚的理想选择。

数据手册

5+
￥1.9726
50+
￥1.5943
150+
￥1.4321

有货

立即购买

型号：SP3530-01ETG 编号：C1974595

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

这款SP3530单向二极管采用专有的硅雪崩技术制造。它能为可能遭受静电放电（ESD）的电子设备提供高级别的保护。这款耐用的元件能够安全地承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V - By - One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

5+
￥0.4229
50+
￥0.4144
150+
￥0.4088
500+
￥0.4031

有货

立即购买

型号：SP1326-01LTG 编号：C1975601

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP1326背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高等级的ESD（静电放电）保护。SP1326 TVS能够安全吸收±30 kV（接触和空气放电，符合IEC 61000 - 4 - 2标准）的反复ESD冲击，且性能不会下降。此外，每个二极管能够在极低的钳位电压下安全耗散4A的8/20μs浪涌电流（符合IEC 61000 - 4 - 5第二版标准）。

数据手册

10+
￥0.4666
100+
￥0.3745
300+
￥0.3284

有货

立即购买

型号：SP1026-01UTG 编号：C316002

封装：UDFN

品牌：Littelfuse(美国力特)

背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高静电放电（ESD）保护水平。TVS 可安全吸收 ±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复静电放电冲击，而不会降低性能。此外，每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

数据手册

5+
￥0.7294
50+
￥0.5926
150+
￥0.5242
500+
￥0.4729

有货

立即购买

型号：SC1333-01ETG 编号：C3709801

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

SC1333-01ETG背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供了高ESD（静电放电）保护等级。SC1333-01ETG TVS能够在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）下安全吸收反复的ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置为数据线提供对称的ESD保护。此外，SC1333-01ETG可提供高达5A的8/20μs浪涌额定值，且钳位电压较低。

5+
￥0.8498
50+
￥0.687
150+
￥0.6057

有货

立即购买

型号：V14MLA0805NH 编号：C2655725

封装：0805

品牌：Littelfuse(美国力特)

瞬态电压浪涌抑制器件基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容（EMC）标准规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.0058
50+
￥0.9826
150+
￥0.9671

有货

立即购买

型号：SP3213-01UTG 编号：C3712066

封装：DFN0603-2

品牌：Littelfuse(美国力特)

双向 TVS 二极管，为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供超低电容和高级别的保护。典型电容为 0.09pF，有助于确保最具挑战性的消费电子接口（如 USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt 和 v-by-One）的信号完整性。可安全吸收 ±12kV（接触放电，IEC 61000-4-2）的重复 ESD 冲击，性能不会下降，并能安全耗散 2A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5 第 2 版）。

5+
￥1.4719
50+
￥1.1871
150+
￥1.0651
500+
￥0.9128

有货

立即购买

型号：V5.5MLA0402NR 编号：C126844

封装：0402

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，设计用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容标准中规定的事件。通常用于在电路板级别保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围，适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无引线表面贴装封装，与现代回流和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，并且比塑料外壳组件占用的空间小得多。

数据手册

1+
￥3.32
10+
￥2.67
30+
￥2.39
100+
￥2.04

有货

立即购买

型号：SP3422-04UTG 编号：C1974549

封装：DFN-5(0.6x1)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SP3422集成了4通道超低电容轨到轨二极管和一个额外的齐纳二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这款耐用的元件能够安全吸收超过IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平（±8kV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。极低的负载电容也使其非常适合保护高速信号引脚，如V-by-One、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394。

数据手册

5+
￥0.57375 ￥1.9125
50+
￥0.30436 ￥1.5218
150+
￥0.13544 ￥1.3544
500+
￥0.11456 ￥1.1456
3000+
￥0.10526 ￥1.0526
6000+
￥0.09968 ￥0.9968

有货

立即购买

型号：AQ3118-01ETG 编号：C1974967

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQ3118包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置可为数据线提供对称的ESD保护。

数据手册

5+
￥0.5846
50+
￥0.573
150+
￥0.5653

有货

立即购买

型号：V68MLA1206NH 编号：C187755

封装：1206

品牌：Littelfuse(美国力特)

基于多层制造技术，用于抑制各种瞬态事件，包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性 (EMC) 标准中规定的事件。通常用于在电路板级保护集成电路和其他组件。宽工作电压和能量范围使其适用于电源、控制和信号线上的众多应用。由半导体陶瓷制成，采用无铅表面贴装封装，与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。可在比齐纳二极管更宽的温度范围内工作，且占地面积比塑料外壳组件小得多。

数据手册

5+
￥1.2575
50+
￥1.2316
150+
￥1.2143

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示