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首页 > 热门关键词 > SINO-IC二极管
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描述
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操作
80V 100A TO-263
型号：SE80100G 编号：C5116038
封装：TO-263
品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
数据手册

  • 1+

    ￥3.14

  • 10+

    ￥2.8

  • 30+

    ￥2.63

  • 100+

    ￥2.46

  • 500+

    ￥2.25

  • 800+

    ￥2.2
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:60A
    型号：SE100P60A 编号：C238705
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥5.04

    • 10+

      ￥4.13

    • 50+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.85

    • 500+

      ￥2.58

    • 1000+

      ￥2.44
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止
    型号：SEMF05LC 编号：C355236
    封装：SOT-353
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    该集成瞬态电压抑制器 (TVS) 适用于需要瞬态过电压保护的应用，如打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其集成设计仅用一个封装就能为独立线路提供非常有效和可靠的保护，适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1161

    • 500+

      ￥0.0891

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0651

    • 24000+

      ￥0.0573

    • 51000+

      ￥0.053
  • 订货
    • 我要订货
    SESMF3V3C
    型号：SESMF3V3C 编号：C355255
    封装：SOT-563
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 50+

      ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.0952

    • 3000+

      ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.0712

    • 24000+

      ￥0.0634

    • 51000+

      ￥0.0592
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 12V截止
    型号：SEMF12 编号：C355237
    封装：SOT-353
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    标准TVS设计用于保护低电压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.0952

    • 3000+

      ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.0712

    • 24000+

      ￥0.0634

    • 51000+

      ￥0.0592
  • 订货
    • 我要订货
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：SEBT3906U 编号：C393130
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    PNP开关晶体管，采用SOT323塑料封装。NPN互补型号：SEBT3904U
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1344

    • 200+

      ￥0.1047

    • 600+

      ￥0.0882

    • 3000+

      ￥0.0783

    • 9000+

      ￥0.0697

    • 21000+

      ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    SESD3Z36V
    型号：SESD3Z36V 编号：C355250
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.1417

    • 200+

      ￥0.1104

    • 600+

      ￥0.093

    • 3000+

      ￥0.0826

    • 9000+

      ￥0.0735

    • 21000+

      ￥0.0687
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
    型号：SE2300 编号：C359182
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 20V 5.9A 50mΩ@2.5V,
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2196

    • 200+

      ￥0.1711

    • 600+

      ￥0.1441

    • 3000+

      ￥0.128

    • 9000+

      ￥0.1139

    • 21000+

      ￥0.1064
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SE3401B 编号：C396092
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    P沟道 -20V -2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.231

    • 200+

      ￥0.1824

    • 600+

      ￥0.1554

    • 3000+

      ￥0.1177

    • 9000+

      ￥0.1036

    • 21000+

      ￥0.0961
  • 订货
    • 我要订货
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SE3400 编号：C238643
    封装：SOT-23-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2391

    • 100+

      ￥0.1863

    • 300+

      ￥0.1599
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
    型号：SE2N7002K(ESD) 编号：C238638
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：SE2N7002 编号：C238637
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3527

    • 100+

      ￥0.2807

    • 300+

      ￥0.2447

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：80A@10/1000us
    型号：P0080SB 编号：C2920971
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    双对称瞬态电压抑制器是固态撬棒式器件，专门设计用于保护敏感的电信设备免受雷击和其他瞬态过电压的影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3765

    • 100+

      ￥0.3045

    • 300+

      ￥0.2685

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 22V截止 峰值浪涌电流：16.9A
    型号：SMBJ22CA 编号：C355273
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    600W

    • 10+

      ￥0.4465

    • 100+

      ￥0.3595

    • 300+

      ￥0.3159

    • 3000+

      ￥0.2524

    • 6000+

      ￥0.2263

    • 9000+

      ￥0.2132
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应管 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SE9926 编号：C238653
    封装：SOP-8
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：VDS = 20V, I = 6A。 RDS(ON) < 37.5mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 27.5mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5063

    • 100+

      ￥0.4103

    • 300+

      ￥0.3623

    • 3000+

      ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强模式场效应晶体管 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE8810A(ESD) 编号：C238647
    封装：SOT-23-6
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET。 VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.527

    • 50+

      ￥0.4166

    • 150+

      ￥0.3614

    • 500+

      ￥0.32

    • 3000+

      ￥0.2869

    • 6000+

      ￥0.2703
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：SE2333 编号：C729826
    封装：SOT-23-3
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适用于用作负载开关或 PWM 应用。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5799

    • 50+

      ￥0.4599

    • 150+

      ￥0.3999

    • 500+

      ￥0.3549

    • 3000+

      ￥0.3118

    • 6000+

      ￥0.2938
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：SE6050B 编号：C238622
    封装：TO-252
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷的出色导通电阻，可用于多种应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1736

    • 50+

      ￥0.9215

    • 150+

      ￥0.8135

    • 500+

      ￥0.6787

    • 2500+

      ￥0.6187

    • 5000+

      ￥0.5827
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
    型号：SE100180GA 编号：C359175
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 100V 180A
    数据手册

    • 1+

      ￥6.51

    • 10+

      ￥5.3

    • 50+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥3.8

    • 500+

      ￥3.44

    • 1000+

      ￥3.25
  • 有货
    • 立即购买
    SESD3Z3.3C
    型号：SESD3Z3.3C 编号：C355247
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.1522

    • 200+

      ￥0.1171

    • 600+

      ￥0.0976

    • 3000+

      ￥0.0859

    • 9000+

      ￥0.0757

    • 21000+

      ￥0.0702
  • 订货
    • 我要订货
    SESD3Z36C
    型号：SESD3Z36C 编号：C355251
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    -

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0824

    • 21000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.3A
    型号：SE3018 编号：C417335
    封装：SOT-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道,50V,0.3A,2.3Ω@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1955

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1283

    • 3000+

      ￥0.1139

    • 9000+

      ￥0.1014

    • 21000+

      ￥0.0947
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 5V截止
    型号：SEBLC05 编号：C355200
    封装：SOD-323
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    超低电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT)、浪涌和其他感应电压引起的瞬态影响。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2032

    • 200+

      ￥0.1573

    • 600+

      ￥0.1318

    • 3000+

      ￥0.1089

    • 9000+

      ￥0.0956

    • 21000+

      ￥0.0884
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
    型号：SE2102M 编号：C393133
    封装：SOT-723
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET 具备快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.1523

    • 2000+

      ￥0.1352

    • 8000+

      ￥0.1204

    • 16000+

      ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V
    型号：SE2302 编号：C238641
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.1352

    • 9000+

      ￥0.1204

    • 21000+

      ￥0.1124
  • 订货
    • 我要订货
    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.3A
    型号：SMBJ36CA 编号：C355276
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.443

    • 100+

      ￥0.3566

    • 300+

      ￥0.3134

    • 3000+

      ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.2115
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
    型号：SE60210GA 编号：C396088
    封装：TO-220
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    N沟道 60V 210A
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：SE3401 编号：C238684
    封装：SOT-23
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
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    单向ESD 5V截止
    型号：MSEMF05LC 编号：C355243
    封装：SOT-553
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    这款集成式瞬态电压抑制器（TVS）专为需要瞬态过压保护的应用而设计，适用于打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其集成设计仅用一个封装就能为独立线路提供非常有效且可靠的保护。这些器件非常适合电路板空间有限的场景。
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    双向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：23.1A@10/1000us
    型号：SMBJ16A 编号：C355271
    封装：SMB
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。
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