SINO-IC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SE4020B 编号：C396085

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 40V 20A

数据手册

5+
￥1.0396
50+
￥0.838
150+
￥0.7516
500+
￥0.6438
2500+
￥0.4946
5000+
￥0.4658

有货

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型号：SE6020DB 编号：C396090

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 60V 20A

数据手册

5+
￥1.0843
50+
￥0.8575
150+
￥0.7603
500+
￥0.639
2500+
￥0.5567
5000+
￥0.5243

有货

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型号：SMCJ75A 编号：C355275

封装：SMC

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SMCJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变影响。它们具备出色的钳位能力、高浪涌承受能力、快速响应时间和成本效益。

数据手册

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583
3000+
￥1.0158
6000+
￥0.9903

有货

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型号：SED4060GM 编号：C238672

封装：DFN-8(3x3)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于各种应用。

数据手册

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269
2500+
￥1.0189
5000+
￥0.954

有货

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型号：SEDFN2105C 编号：C355213

封装：DFN0603-D

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SEDFN2105C 专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与 MLV 相比，不会出现器件性能退化的问题。

数据手册

20+
￥0.1699
200+
￥0.1348
600+
￥0.1153
2000+
￥0.1036
15000+
￥0.0824
30000+
￥0.0769

有货

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型号：SESD3Z12C 编号：C355241

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。

数据手册

20+
￥0.1957
200+
￥0.1552
600+
￥0.1327
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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型号：SEDFN05V4 编号：C355202

封装：DFN-10

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SEDFN05V4是超低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。

数据手册

10+
￥0.3141
100+
￥0.2517
300+
￥0.2205
3000+
￥0.1971
6000+
￥0.1784
9000+
￥0.169

有货

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型号：SMBJ33CA 编号：C355278

封装：SMB

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。

数据手册

5+
￥0.3554
50+
￥0.3121
150+
￥0.2904
500+
￥0.2742
3000+
￥0.2612
6000+
￥0.2547

有货

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型号：FKBA4903 编号：C730093

封装：DFN-8(5x6)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。低 RDS(on),小封装外形,ESD 保护。

数据手册

5+
￥0.8121
50+
￥0.7092
150+
￥0.6651
500+
￥0.6101
2500+
￥0.5856
5000+
￥0.5709

有货

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型号：SE3080K 编号：C238623

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.2497
50+
￥1.0062
150+
￥0.9019
500+
￥0.7716
2500+
￥0.5977
5000+
￥0.5629

有货

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型号：SESD5Z18V 编号：C355248

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

-

20+
￥0.1353
200+
￥0.1056
600+
￥0.0891
2000+
￥0.0792
8000+
￥0.0697
16000+
￥0.0651

有货

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型号：SEBT8050 编号：C393132

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：与SEBT8050互补。应用：高电流应用

数据手册

20+
￥0.1836
200+
￥0.1458
600+
￥0.1248
3000+
￥0.0998
9000+
￥0.0888
21000+
￥0.0829

有货

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型号：SE10015 编号：C238621

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。简单的驱动要求。小封装尺寸。表面贴装器件

数据手册

5+
￥1.1689
50+
￥0.9366
150+
￥0.8371
500+
￥0.7129
2500+
￥0.5701
5000+
￥0.5369

有货

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型号：SE2N60B 编号：C2920978

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

这是一种高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。

数据手册

5+
￥1.263
50+
￥1.1202
150+
￥1.059
500+
￥0.9827
2500+
￥0.8126
5000+
￥0.7922

有货

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型号：SESD9D3V3 编号：C355226

封装：SOD-923

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求较高的便携式应用。

数据手册

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0783
8000+
￥0.0697
16000+
￥0.0651

有货

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型号：SESD3Z5V 编号：C355217

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

设计用于保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。

数据手册

20+
￥0.202
200+
￥0.1615
600+
￥0.139
3000+
￥0.1068
9000+
￥0.0951
21000+
￥0.0888

有货

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型号：SESD3Z5CL 编号：C355230

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3Z5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2185
200+
￥0.1699
600+
￥0.1429
3000+
￥0.1267
9000+
￥0.1127
21000+
￥0.1051

有货

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型号：SEC113ZU 编号：C5138328

封装：SOT-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。每个偏置电阻都是薄膜电阻，完全绝缘，输入可以负偏置，且绝缘消除了大部分寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2253
200+
￥0.1767
600+
￥0.1497
3000+
￥0.1281
9000+
￥0.1141
21000+
￥0.1065

有货

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型号：SESD3Z5C 编号：C355223

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电 (ESD) 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。

数据手册

20+
￥0.232
200+
￥0.184
600+
￥0.1573
3000+
￥0.1267
9000+
￥0.1128
21000+
￥0.1053

有货

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型号：SE2301 编号：C238681

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。高密单元设计，实现超低导通电阻；具备完全表征的雪崩电压和电流；改善了直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；为表面贴装器件；可提供无铅封装。

数据手册

20+
￥0.2347
200+
￥0.1871
600+
￥0.1607
3000+
￥0.1253
9000+
￥0.1115
21000+
￥0.1042

有货

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型号：SEBT818BA 编号：C393134

封装：SOT-23-6L

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

该器件采用“基岛”布局的低压PNP平面技术制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。

数据手册

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

有货

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型号：SE2305Q 编号：C5116036

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.4339
100+
￥0.3475
300+
￥0.3043
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

有货

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型号：SE0108A 编号：C5272817

封装：SOT-89

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它适用于各种应用。

数据手册

5+
￥0.4938
50+
￥0.393
150+
￥0.3426
500+
￥0.3048
2500+
￥0.2619
4000+
￥0.2468

有货

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型号：SE1003 编号：C729820

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计，实现超低导通电阻。雪崩电压和电流完全表征。改进的直通品质因数。简单的驱动要求。小封装外形。表面贴装器件

数据手册

5+
￥0.5107
50+
￥0.4051
150+
￥0.3523
500+
￥0.3127
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

有货

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型号：SE2305 编号：C238685

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

采用高单元密度DMOS沟槽技术生产，该技术专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理和其他电池供电电路，并且在非常小的外形表面贴装中需要低在线功耗。

数据手册

5+
￥0.5477
50+
￥0.4373
150+
￥0.3821
500+
￥0.3407
3000+
￥0.2869
6000+
￥0.2703

有货

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型号：SE4610 编号：C238711

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n 通道：VDS(V) = 30V，ID = 8.5A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS=4.5V)，RDS(ON) = 21mΩ (VGS=2.5V)。 p 通道：VDS(V) = -30V，ID = -4.9A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS = -4.5V)，RDS(ON) = 23mΩ (VGS=-2.5V)。应用：台式机或 DC/DC 转换器中的电源管理

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