SINO-IC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MSEMF12HC 编号：C355244

封装：SOT-563

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

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50+
￥0.1243
500+
￥0.0973
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：SE2302U 编号：C238636

封装：SOT-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

数据手册

20+
￥0.2198
200+
￥0.1717
600+
￥0.145
3000+
￥0.1268
9000+
￥0.1129
21000+
￥0.1054

有货

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型号：SESD5L5V 编号：C355208

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

ESD5L5V 旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。由于其电容较低，它适用于 USB 2 等高频设计

数据手册

20+
￥0.2201
200+
￥0.1726
600+
￥0.1462
3000+
￥0.1238
9000+
￥0.11
21000+
￥0.1026

有货

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型号：SE8205A 编号：C238644

封装：SOT-23-6

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.2348
200+
￥0.1829
600+
￥0.1541
3000+
￥0.1368
9000+
￥0.1218
21000+
￥0.1137

有货

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型号：SEBLC12C 编号：C355199

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压引起的瞬态影响。

数据手册

10+
￥0.248
100+
￥0.1976
300+
￥0.1724
3000+
￥0.1461
6000+
￥0.131
9000+
￥0.1234

有货

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型号：SESD3Z12V 编号：C355219

封装：SOD-323

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2902
100+
￥0.2326
300+
￥0.2038
3000+
￥0.167
6000+
￥0.1497
9000+
￥0.141

有货

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型号：SED8830A 编号：C393124

封装：DFNWB-6L(2x5)

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道，20V

数据手册

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
2500+
￥0.2504
5000+
￥0.2245
10000+
￥0.2115

有货

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型号：SMBJ12CA 编号：C355280

封装：SMB

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

旨在保护对电压敏感的组件免受高电压、高能量瞬态影响。具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。

数据手册

10+
￥0.4304
100+
￥0.344
300+
￥0.3008
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

有货

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型号：SMBJ70CA 编号：C2920975

封装：SMB

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SMBJ系列旨在保护电压敏感元件免受高压、高能瞬变的影响。它具有出色的钳位能力、高浪涌能力、快速响应时间和成本效益。

数据手册

5+
￥0.513
50+
￥0.4141
150+
￥0.3647
500+
￥0.3276
3000+
￥0.2568
6000+
￥0.242

有货

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型号：SE30100B 编号：C417340

封装：TO-252

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道,30V,100A,3mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.4382
50+
￥1.1486
150+
￥1.0245
500+
￥0.8696
2500+
￥0.7109
5000+
￥0.6696

有货

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型号：SE85130GA 编号：C2920985

封装：TO-220

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.2
50+
￥1.76
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：SE1991G 编号：C7419529

封装：TO-263

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

该系列是高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。

1+
￥3.22
10+
￥2.87
30+
￥2.7
100+
￥2.52
500+
￥2.32
800+
￥2.27

有货

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型号：SESD5Z12V 编号：C355232

封装：SOD-523

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限的设计中 ESD 保护的理想选择。

数据手册

50+
￥0.0814
500+
￥0.0625
3000+
￥0.052
6000+
￥0.0456
24000+
￥0.0402
51000+
￥0.0372

有货

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型号：SESMF05AC 编号：C355220

封装：SOT-363

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

标准 TVS 旨在保护低电压集成电路免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他感应电压引起的瞬态影响。

数据手册

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：SEBT9015 编号：C393127

封装：SOT-23

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。高电流增益带宽积。应用：逆变器。接口

数据手册

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0697
21000+
￥0.0651

有货

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型号：SE2N7002E 编号：C238634

封装：SOT-523-3

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

数据手册

20+
￥0.1347
200+
￥0.1034
600+
￥0.086
3000+
￥0.0755
9000+
￥0.0665
21000+
￥0.0616

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型号：SESD9D5V 编号：C5120944

封装：SOD-923

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

数据手册

20+
￥0.1778
200+
￥0.1411
600+
￥0.1207
2000+
￥0.1085
8000+
￥0.0956
16000+
￥0.0898

有货

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型号：SE0503 编号：C355216

封装：SOT-143

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

表面贴装阵列系列产品旨在抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件。这些阵列用于满足国际电工兼容性（IEC）瞬态抗扰度标准 IEC 61000-4-2 的静电放电要求。该系列产品有助于保护数据、信号或控制线路上的敏感数字或模拟输入电路，其电压最高可达 5VDC。单片硅阵列由专门设计的瞬态电压抑制（TVS）结构组成。这些结构的尺寸和形状经过定制，以实现瞬态保护。低电容和钳位电压使其非常适合高速信号线保护。

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