TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP385(D4GR-TR,E 编号：C38086789

封装：SOP-4-300mil-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成，采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压（5000 Vrms）。与标准 DIP 封装相比，具有小而薄的封装，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.42
50+
￥1.91
150+
￥1.7
500+
￥1.43

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型号：TC7SU04FU.LF 编号：C2762704

封装：TSSOP-5-1.3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。

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5+
￥2.4442
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￥1.9424
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￥1.7274
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型号：TC74HC4052AFT(EL) 编号：C516176

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。实现了与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。8通道配置，4通道×2配置和2通道×3配置。数字信号到控制终端可打开每个通道的相应开关，大振幅信号(VCC-VEE)可以通过小逻辑振幅(VCC-GND)控制信号进行切换。每个开关的导通电阻低，可以连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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￥2.69
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￥2.62
30+
￥2.58
100+
￥2.53

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型号：TC74HC4050AFTEL 编号：C3755193

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥3.45
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￥2.8
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￥2.48

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型号：TLP184(TPR,SE 编号：C5370579

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小，适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。

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1+
￥3.8
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￥3.04
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￥2.66
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￥2.28

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型号：TC74HC4051AFT(EL) 编号：C5348958

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSSTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有不同的通道配置，控制终端的数字信号可打开相应通道的开关，能通过小逻辑幅度控制信号切换大幅度信号。由于每个开关的导通电阻低，可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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1+
￥4.43
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￥3.54
30+
￥3.1

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型号：TK10A60D(STA4,X,M) 编号：C2936833

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

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￥4.59
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￥3.76
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型号：TC7S04F,LF 编号：C7473284

封装：SSOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持C2MOS的低功耗。内部电路由3级组成，包括缓冲输出，具有高抗噪性和稳定的输出。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。

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￥4.65
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￥3.79
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￥3.35

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型号：TB67S109AFTG,EL 编号：C2653536

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S109A是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，额定值为50 V/4.0 A。

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1+
￥5
10+
￥4.88
30+
￥4.8
100+
￥4.72

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型号：TK8A60DA(STA4,X,S) 编号：C471289

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥5.22
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￥4.43
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￥4.04

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型号：TK10A60D(STA4,Q,M) 编号：C192040

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

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￥5.35
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￥4.27
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￥3.73

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型号：TPN1200APL,L1Q 编号：C6886409

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 7.5 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 24 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 9.8 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥8.05
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￥6.57
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￥5.76
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￥4.84

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型号：2SK3564(STA4,Q,M) 编号：C6997454

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|γfs| = 2.6S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

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￥8.51
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￥7.07
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型号：GT30J122A(STA1,E,D 编号：C435817

封装：TO-3PN

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第四代。增强模式。高速开关：U = 0.20 μs（典型值）(IC = 50 A)。低饱和电压：VCE(sat) = 1.7V（典型值）(IC = 50 A)。应用：专用电流谐振逆变器开关应用。专用部分开关功率因数校正（PFC）应用

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￥8.75
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￥8.04
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￥6.81
100+
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型号：TB6608FNG(C80EL,HZ 编号：C5340737

封装：SSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款PWM恒流型步进电机驱动IC，专为步进电机的正弦输入微步控制而设计。可用于需要2相、1-2相、W1-2相和2W1-2相励磁模式的应用中，仅使用时钟信号就能实现两相双极步进电机的正反转驱动。

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￥9.97
10+
￥8.46
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￥7.51
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型号：TLP700H(TP,F) 编号：C4153775

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP700H是一款采用6引脚SDIP封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电检测IC芯片光学耦合而成。它在高达125℃的温度下提供保证的性能和规格。TLP700H比采用8引脚DIP封装的产品体积更小，并符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小的占位解决方案。内部噪声屏蔽确保了±20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。它非常适合用于IGBT和功率MOSFET的栅极驱动。

1+
￥10.82
10+
￥9.11
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￥8.03

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型号：TB67B000HG(O) 编号：C412441

封装：PDIP-30

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高压PWM无刷直流电机驱动器，将正弦波PWM/广角换向控制器和高压驱动器集成在一个封装中（“二合一”），旨在通过使用来自微控制器的速度控制信号（模拟）直接改变无刷直流电机的速度。

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1+
￥13.792 ￥68.96
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￥9.878 ￥49.39

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型号：TLP521-2(GB) 编号：C43687163

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥10.64

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型号：TLP2372(TPL,E 编号：C5960885

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥14.9
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￥12.72
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￥11.35
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￥9.95

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型号：RFM01U7P(TE12L,F) 编号：C17561258

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥20.41
10+
￥17.33
30+
￥15.5

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型号：TC358743XBG(EL,NOK 编号：C3008606

封装：BGA-64

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥24.16
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￥20.68
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￥18.61

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型号：TLP3412(TP,F 编号：C2653904

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用VSON4封装。具有低CR乘积和低导通电阻，因此可提供高导通电流。

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1+
￥31.09
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￥26.46
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型号：TLX9309(TPL,F 编号：C17381893

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥31.51
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￥27.14
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￥24.54

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型号：TPWR6003PL,L1Q 编号：C7073615

封装：DSOPADVANCE-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.36 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VTH = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥34.87
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￥29.91
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￥26.89

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型号：TBC857B,LM 编号：C6329176

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：低频放大器

50+
￥0.0838
500+
￥0.0661
3000+
￥0.0563
6000+
￥0.0504
24000+
￥0.0453
51000+
￥0.0425

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型号：DF2S6.2ASL,L3F 编号：C6932276

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

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￥0.2546
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￥0.2483
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￥0.2441

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型号：2SA1832-GR,LF 编号：C5486909

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCDS = -50V。高集电极电流：IC = -150 mA (最大)。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。与2SC1738互补。应用：低频放大器

10+
￥0.2651
100+
￥0.2075
300+
￥0.1786

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型号：SSM3J332R,LF 编号：C784814

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 144 mΩ（最大值） (VG S =-1.8V)。 RDS(ON) = 72.0 mΩ（最大值） (VG S =-2.5V)。 RDS(ON) = 50.0 mΩ（最大值） (VG S =-4.5V)。 RDS(ON) = 42.0 mΩ（最大值） (VG S =-10V)

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1+
￥0.2823
10+
￥0.2207
30+
￥0.1899
100+
￥0.1669
500+
￥0.1484
1000+
￥0.1392

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型号：2SC4738-GR,LF 编号：C7174978

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = 50V。高集电极电流：Ic = 150 mA（最大值）。高hFE：hFE = 120至700。出色的hFE线性度：hFE (Ic = 0.1mA) / hFE (Ic = 2mA) = 0.95（典型值）。与2SA1832互补。应用：低频放大器。 AM放大器

5+
￥0.2879
50+
￥0.2808
150+
￥0.276

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型号：TC7SH125FU,LJ(CT 编号：C2676064

封装：SOT-353-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

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