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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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描述
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操作
特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用:开关。 逆变器电路
  • 10+

    ¥0.3745
  • 100+

    ¥0.2996
  • 300+

    ¥0.2621
  • 3000+

    ¥0.234
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。输出驱动能力:5个LSTTL负载。对称输出阻抗:|IO_H| = |IO_L| = 2mA(最小值)。平衡传播延迟:tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6225
    • 50+

      ¥0.4913
    • 150+

      ¥0.4257
    • 500+

      ¥0.3765
    • 3000+

      ¥0.3149
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 400mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V),RDS(ON) = 300mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6646
    • 50+

      ¥0.5206
    • 150+

      ¥0.4487
    • 500+

      ¥0.3947
    • 3000+

      ¥0.3515
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.2mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IRSS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8813
    • 50+

      ¥0.7763
    • 150+

      ¥0.7313
    • 500+

      ¥0.6751
    • 3000+

      ¥0.5401
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Q1:RMS(ON) = 0.7Ω (max)(@VGS = 10V);Q2:RMS(ON) = 2.7Ω (max)(@VGS =-10V)
    • 5+

      ¥0.8883
    • 50+

      ¥0.7681
    • 150+

      ¥0.7166
    • 500+

      ¥0.6524
    • 3000+

      ¥0.6238
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hT 在 200 至 500 之间(IC = -0.3 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.2V(最大值)。 高速开关:tr = 90 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9574
    • 50+

      ¥0.8276
    • 150+

      ¥0.7719
    • 1000+

      ¥0.7025
    • 2000+

      ¥0.6716
    • 5000+

      ¥0.6531
  • 有货
  • 是高速C²MOS反相器,采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持C²MOS低功耗。内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。输入配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0039
    • 50+

      ¥0.7872
    • 150+

      ¥0.6943
    • 500+

      ¥0.5526
  • 有货
  • TC7WT125FU 是采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 双总线缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 相似的高速运行。其输入阈值电平与 TTL 输出电压兼容
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3285
    • 50+

      ¥1.15
    • 150+

      ¥1.0735
    • 500+

      ¥0.978
  • 有货
  • 74LCX00FT是一款高性能CMOS二输入与非门。它专为3.3 V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行
    • 5+

      ¥1.4924
    • 50+

      ¥1.2909
    • 150+

      ¥1.2046
    • 500+

      ¥1.0968
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 5+

      ¥1.5453
    • 50+

      ¥1.1421
    • 150+

      ¥0.9693
    • 500+

      ¥0.7537
    • 2500+

      ¥0.6577
  • 有货
  • 74LCX541FT 是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器。它专为 3.3 V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5769
    • 50+

      ¥1.254
    • 150+

      ¥1.1157
    • 500+

      ¥0.943
  • 有货
    • 1+

      ¥1.9228 ¥2.53
    • 10+

      ¥1.6948 ¥2.23
    • 30+

      ¥1.596 ¥2.1
    • 100+

      ¥1.4744 ¥1.94
    • 500+

      ¥1.4212 ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.3832 ¥1.82
  • 有货
  • 特性:高 DC 电流增益:hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.27V (max)。 高速开关:tf = 55 ns (typ.)。 重量:0.36 g (typ.)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0172
    • 50+

      ¥1.5687
    • 150+

      ¥1.3764
    • 500+

      ¥1.1366
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型触发器,具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压 (3.3V) VCC 应用,但也可用于输入和输出与 5V 电源环境的接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    • 1+

      ¥2.11
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.75
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 4.3nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.8mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。 低泄漏电流:ISS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:Vtot = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:开关稳压器。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
    • 10+

      ¥1.83
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.0608 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.0132 ¥1.49
    • 1000+

      ¥0.986 ¥1.45
  • 有货
  • 特性:4.5V驱动。 低导通电阻:RDS(ON) = 8.0mΩ(典型值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 6.5mΩ(典型值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥2.1704
    • 50+

      ¥1.691
    • 150+

      ¥1.4855
    • 500+

      ¥1.2291
  • 有货
  • TC74ACT574是一款采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造的先进高速CMOS八进制触发器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。该器件可用作将TTL或NMOS与高速CMOS接口的电平转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.453 ¥4.46
    • 10+

      ¥2.1945 ¥3.99
    • 30+

      ¥2.068 ¥3.76
    • 100+

      ¥1.936 ¥3.52
    • 500+

      ¥1.859 ¥3.38
    • 1000+

      ¥1.8205 ¥3.31
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入或非门。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 1+

      ¥2.55
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥2.12
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.88
    • 1000+

      ¥1.84
  • 有货
  • RF用途,N沟道,10V,0.5A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35Ω(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:易于控制栅极开关。 低漏源导通电阻:RD(ON) = 0.62Ω(典型值)。 增强模式:VHA = 2 至 4V(VDS = 10V,ID = 1mA)。应用:开关电源
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.58
    • 50+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • TC74VHC540/TC74VHC541是采用硅栅I²CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器。它们在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC540为反相类型,TC74VHC541为同相类型
    数据手册
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.38
    • 100+

      ¥2.06
    • 500+

      ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.77
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.43Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VHA = 3至4V(VDS = 10V,ID = 0.24mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3649 ¥4.37
    • 10+

      ¥3.0107 ¥3.91
    • 50+

      ¥2.8336 ¥3.68
    • 100+

      ¥2.6565 ¥3.45
    • 500+

      ¥2.5564 ¥3.32
    • 1000+

      ¥2.5025 ¥3.25
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 2.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 150 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.19
    • 30+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.76
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.56
  • 有货
  • TC78H621FNG是一款双桥驱动IC,其输出晶体管采用了DMOS。该芯片能够驱动2个有刷直流电机或1个步进电机。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.19
    • 500+

      ¥1.97
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
    • 1+

      ¥4.67
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.327 Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.67
    • 500+

      ¥3.54
    • 1000+

      ¥3.47
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2003升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.26
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.84
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.24Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.6
    • 50+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.2108 ¥4.84
    • 500+

      ¥4.0542 ¥4.66
    • 1000+

      ¥3.9846 ¥4.58
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0Ω(典型值)。高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。增强型:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.39
    • 10+

      ¥5.72
    • 50+

      ¥5.36
    • 100+

      ¥4.2075 ¥4.95
    • 500+

      ¥4.0545 ¥4.77
    • 1000+

      ¥3.978 ¥4.68
  • 有货
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