TOSHIBA二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RN1306,LF 编号：C17287336

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889
3000+
￥0.3457

有货

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型号：TC7S08FU,LF 编号：C146362

封装：SSOP-5-1.3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI_H = VNI_L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IO_H| = |IO_L| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

数据手册

5+
￥0.6773
50+
￥0.5333
150+
￥0.4613
500+
￥0.4073

有货

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型号：TC7WH08FK,LJ(CT 编号：C2880449

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

数据手册

5+
￥0.9163
50+
￥0.7942
150+
￥0.7419
500+
￥0.6766
3000+
￥0.6475

有货

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型号：TC7S32FU,LF 编号：C7121123

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpHL = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25°C时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNH = VNL = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ÷ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.9427
50+
￥0.7336
150+
￥0.6439
500+
￥0.5321

有货

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型号：TC7SZ04FE,LJ(CT 编号：C6284098

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Top = -40 至 125℃。高输出电流：±24 mA（最小值），VCC = 3.0 V。超高速运行：tpd = 2.4 ns（典型值），VCC = 5.0 V，CL = 50 pF。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。在 VCC = 3.3 V 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥1.1303
50+
￥0.8784
150+
￥0.7705
500+
￥0.6358
2500+
￥0.5758
4000+
￥0.5398

有货

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型号：TC7SET08F,LJ(CT 编号：C5156506

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

数据手册

5+
￥1.2835
50+
￥1.006
150+
￥0.8871
500+
￥0.7057

有货

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型号：SSM6K217FE,LF 编号：C6685680

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 165 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.363
50+
￥1.0606
150+
￥0.931
500+
￥0.7693
2500+
￥0.6973
4000+
￥0.654

有货

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型号：2SC4541(TE12L,ZC) 编号：C7421248

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.5 μs（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与 2SA1736 互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

5+
￥1.489
50+
￥1.1866
150+
￥1.057
1000+
￥0.8953
2000+
￥0.8233

有货

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型号：2SC6026MFVG,L3XG 编号：C7421250

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

5+
￥1.58
50+
￥1.37
150+
￥1.28
500+
￥1.16
2500+
￥1.11
5000+
￥1.08

有货

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型号：2SC3324-BL(TE85L,F 编号：C2999171

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频频率低噪声放大器应用。

数据手册

5+
￥1.6566
50+
￥1.2739
150+
￥1.1099
500+
￥0.9052

有货

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型号：TC7WU04FK,LF 编号：C6716826

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6887
50+
￥1.3107
150+
￥1.1487
500+
￥0.9466

有货

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型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.7037
50+
￥1.3257
150+
￥1.1637
500+
￥0.9616
3000+
￥0.8716

有货

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型号：74VHCT244AFT(BE) 编号：C7421307

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.84
10+
￥1.63
30+
￥1.54
100+
￥1.43
500+
￥1.38
1000+
￥1.35

有货

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型号：74LCX574FT(AJ) 编号：C7421271

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制 D 型触发器，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压 (3.3V) VCC 应用，但也可用于输入和输出与 5V 电源环境的接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

1+
￥2.19
10+
￥1.94
30+
￥1.83
100+
￥1.7
500+
￥1.64
1000+
￥1.6

有货

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型号：TC7WZ126FK,LJ(CT 编号：C5331576

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双路三态输出总线缓冲器

数据手册

5+
￥2.29
50+
￥1.78
150+
￥1.57
500+
￥1.3
3000+
￥1.18

有货

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型号：74VHCT574AFT(BE) 编号：C7421311

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚，而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池、热插拔等）而导致的设备损坏

1+
￥2.32
10+
￥2.04
30+
￥1.91
100+
￥1.76
500+
￥1.69
1000+
￥1.65

有货

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型号：2SK2009(TE85L,F) 编号：C4153760

封装：TO-236-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高输入阻抗。低栅极阈值电压：Vth = 0.5至1.5V。出色的开关时间：ton = 0.06μs（典型值），toff = 0.12μs（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）。小封装。增强模式。应用：高速开关应用。模拟开关应用

数据手册

5+
￥2.471
50+
￥1.9887
150+
￥1.7819
500+
￥1.524

有货

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型号：2SA2097(TE16L1,NQ) 编号：C2762673

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.27V (max)。高速开关：tf = 55 ns (typ.)。重量：0.36 g (typ.)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.14
30+
￥1.86
100+
￥1.51
500+
￥1.35
1000+
￥1.26

有货

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型号：TK6A60D(STA4,X,M) 编号：C2929834

封装：TO-220F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.75
50+
￥2.61
100+
￥1.1562 ￥2.46
500+
￥1.1139 ￥2.37
1000+
￥1.0904 ￥2.32

有货

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型号：TK110P10PL,RQ(S2 编号：C695267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 9.3 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 32 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.38
10+
￥2.97
30+
￥2.77
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.38

有货

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型号：TB67H450FNG(O,EL) 编号：C2932785

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器，内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50V，最大电流为3.5A。

1+
￥3.81
10+
￥3.05
30+
￥2.66
100+
￥2.28
500+
￥2.05
1000+
￥1.94

有货

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型号：TK12A60W,S4VX 编号：C556303

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.265Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 0.6mA。应用：开关稳压器

1+
￥4.199 ￥6.46
10+
￥3.2285 ￥5.87
30+
￥2.4975 ￥5.55
100+
￥2.3355 ￥5.19
500+
￥2.2635 ￥5.03
1000+
￥2.232 ￥4.96

有货

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥4.81
10+
￥3.75
30+
￥3.22
100+
￥2.69
500+
￥2.37
1000+
￥2.21

有货

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型号：TK10P60W,RVQ(S 编号：C2840188

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.68
30+
￥4.41
100+
￥3.67
500+
￥3.54
1000+
￥3.47

有货

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型号：TPH4R50ANH1,LQ(MW 编号：C31837493

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.45
10+
￥4.37
30+
￥3.83
100+
￥3.3
500+
￥2.98
1000+
￥2.81

有货

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型号：TBD62783AFG(Z,EL) 编号：C840444

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 电路内置。高电压：VOUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = -500mA（每通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

数据手册

1+
￥6.55
10+
￥5.25
30+
￥4.61
100+
￥3.96
500+
￥3.45
1000+
￥3.25

有货

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型号：TK100E10N1,S1X 编号：C5986394

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器

1+
￥7.5
10+
￥6.17
50+
￥5.43
100+
￥4.61
500+
￥4.24
1000+
￥4.07

有货

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型号：TPHR6503PL,L1Q 编号：C7125477

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.65
10+
￥6.96
30+
￥6.58
100+
￥6.15
500+
￥5.97
1000+
￥5.88

有货

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型号：TPH1R204PL1,LQ 编号：C7401598

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.36
10+
￥6.84
30+
￥6.01
100+
￥5.06
500+
￥4.65
1000+
￥4.46

有货

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型号：TB67S109AFTG(OSQEL) 编号：C5381638

封装：WQFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.24
30+
￥6.43
100+
￥5.52
500+
￥5.11
1000+
￥4.93

有货

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