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首页 > 热门关键词 > TOSHIBA二极管
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操作
特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26.3mΩ(典型值)(@VGS = -1.8V);RDS(ON) = 20.1mΩ(典型值)(@VGS = -2.5V);RDS(ON) = 15.9mΩ(典型值)(@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
数据手册
  • 5+

    ¥1.8252
  • 50+

    ¥1.422
  • 150+

    ¥1.2492
  • 500+

    ¥1.0336
  • 3000+

    ¥0.9376
  • 6000+

    ¥0.88
  • 有货
  • 三态施密特反相器
    • 5+

      ¥1.9676
    • 50+

      ¥1.5291
    • 150+

      ¥1.3412
    • 500+

      ¥1.1067
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型锁存器,具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1294 ¥2.34
    • 10+

      ¥1.6686 ¥2.06
    • 30+

      ¥1.3774 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.2709 ¥1.79
    • 500+

      ¥1.2283 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.1999 ¥1.69
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”,大振幅(VDD-VEE)可由小逻辑振幅(VDD-VSS)的控制信号进行切换。例如,在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下,可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2.13
    • 500+

      ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。 高集电极击穿电压:VCEO = 800V,VCBO = 900V。 高速开关:Δtr = 0.2μs(典型值),tf = 0.4 μs(典型值)(IC = 0.3A)。应用:高速高压开关。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.29
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值)(@ VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = 160V(最小值)。 与TTA004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 12pF(典型值)。 高过渡频率:fT = 100MHz(典型值)。应用:音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.93
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.75
    • 250+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.4
    • 50+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥2.19
    • 1000+

      ¥2.06
  • 有货
  • 六施密特反相器 TC74AC14F 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:由于采用小型薄型封装,占用空间小。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -30V)。 增强模式:VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V,ID = -1mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥4.74
    • 30+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥4.11
    • 500+

      ¥3.96
    • 1000+

      ¥3.89
  • 有货
  • 贴片6脚封装
    数据手册
    • 1+

      ¥6.14
    • 10+

      ¥5.49
    • 30+

      ¥5.13
    • 100+

      ¥4.73
    • 500+

      ¥4.55
    • 1500+

      ¥4.47
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥6.79
    • 10+

      ¥6.1
    • 30+

      ¥5.72
    • 100+

      ¥5.3
    • 500+

      ¥5.11
    • 1000+

      ¥5.02
  • 有货
  • 东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成,封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器,适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的,工作温度范围可达110℃(最大)。该器件通常处于断开状态(1-Form-A),关断状态输出端电压为60 V(最小),触发LED电流为3 mA(最大),导通状态电流为700 mA(最大)。导通状态电阻为2 Ω(最大),隔离电压为3750 Vrms(最小)。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证,并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统(非汽车)、可编程逻辑控制器(PLC)以及机械继电器替换等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.41
    • 10+

      ¥6.06
    • 30+

      ¥5.32
    • 100+

      ¥4.48
    • 500+

      ¥4.11
    • 1000+

      ¥3.94
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.25Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3.0至4.0V,VDS = 10V,ID = 0.85mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥10.21
    • 50+

      ¥9.14
    • 100+

      ¥8.05
    • 500+

      ¥7.56
    • 1000+

      ¥7.35
  • 有货
  • 特性:小型,薄型実装面積小。 振抗低:Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低:IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单,增强型,Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥30.02
    • 10+

      ¥25.6
    • 30+

      ¥22.97
    • 100+

      ¥20.32
    • 500+

      ¥18.05
    • 1000+

      ¥17.49
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1448
    • 200+

      ¥0.1083
    • 600+

      ¥0.0881
    • 2000+

      ¥0.0759
    • 10000+

      ¥0.0654
    • 20000+

      ¥0.0597
  • 有货
  • 适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用,具有出色的hFE线性度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4512
    • 50+

      ¥0.346
    • 150+

      ¥0.2935
    • 500+

      ¥0.2541
    • 3000+

      ¥0.205
    • 6000+

      ¥0.1892
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)@VGS = -4.5V。应用:模拟开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4759
    • 50+

      ¥0.3751
    • 150+

      ¥0.3247
    • 500+

      ¥0.2869
    • 2500+

      ¥0.2567
    • 5000+

      ¥0.2289
  • 有货
  • 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • TC4S584F 是一款在输入端具备施密特触发器功能的单路反相器。也就是说,由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电平电压不同(V_P、V_N),除了普通反相器应用外,TC4S584F 还可广泛应用于多种场景,包括线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6722
    • 50+

      ¥0.5377
    • 150+

      ¥0.4705
    • 500+

      ¥0.42
    • 3000+

      ¥0.3797
  • 有货
  • 特性:包含两个采用SM6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺,使设备小型化。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.9047
    • 50+

      ¥0.7031
    • 150+

      ¥0.6167
    • 500+

      ¥0.5089
  • 有货
  • 六反相器(开漏)。采用硅栅 C2MOS 技术制造,能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。引脚配置和功能与 74VHC04FT 相同,但具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件可通过合适的上拉电阻用于线与、LED 驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可承受 0 至 5.5V 的电压。可用于 5V 到 3V 系统以及双电源系统(如电池备份)的接口,防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.0501
    • 50+

      ¥1.0253
    • 150+

      ¥1.0087
    • 500+

      ¥0.9922
  • 有货
  • 3-8 线解码器。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3-8 解码器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。当设备启用时,3 个二进制选择输入(A、B 和 C)确定输出 Y0(overline)-Y7(overline) 中哪一个将变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥1.15776 ¥1.4472
    • 50+

      ¥0.92008 ¥1.1501
    • 150+

      ¥0.81824 ¥1.0228
    • 500+

      ¥0.69112 ¥0.8639
    • 2500+

      ¥0.63456 ¥0.7932
    • 5000+

      ¥0.60064 ¥0.7508
  • 有货
  • 双2输入或非门。
    • 5+

      ¥1.2411
    • 50+

      ¥0.9639
    • 150+

      ¥0.8451
    • 500+

      ¥0.6969
  • 有货
  • 特性:在线性模式下,输入共模电压范围包含地。 内部补偿的运算放大器采用小封装。 低功耗和低电流消耗,适合电池供电。 差分输入电压范围等于电源电压。 大输出电压摆幅:0VDC 至 3.4VDC(VDC = 5V)。 宽电源电压范围,支持单电源供电。 单电源 3VDC 至 12VDC 或双电源 ±1.5VDC 至 ±6VDC
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2438
    • 50+

      ¥0.9666
    • 150+

      ¥0.8478
    • 500+

      ¥0.6996
    • 3000+

      ¥0.6336
  • 有货
  • 特性:4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 20mΩ(最大值)(VGS = -10V)。 RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 32mΩ(最大值)(VGS = -4.0V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4943
    • 50+

      ¥1.1613
    • 150+

      ¥1.0186
    • 500+

      ¥0.8405
    • 3000+

      ¥0.7612
  • 有货
  • 该产品是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 2输入施密特与非门。 它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。 引脚配置和功能与74VHC00FT相同,但输入具有滞后特性,凭借其施密特触发器功能,可作为接收慢速输入信号的线路接收器。 输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5至3V系统和双电源系统(如备用电池)的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 5+

      ¥1.507
    • 50+

      ¥1.2046
    • 150+

      ¥1.075
    • 500+

      ¥0.9133
    • 2500+

      ¥0.8413
    • 5000+

      ¥0.798
  • 有货
  • 特性:4V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 107mΩ(典型值)(VGS = -10V);RDS(ON) = 122mΩ(典型值)(VGS = -4.5V);RDS(ON) = 129mΩ(典型值)(VGS = -4.0V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5096
    • 50+

      ¥1.1702
    • 150+

      ¥1.0247
    • 500+

      ¥0.8432
  • 有货
  • 特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24.0 mΩ(典型值) (@VGS = -1.8V);RDS(ON) = 18.3 mΩ(典型值) (@VGS = -2.5V);RDS(ON) = 14.3 mΩ(典型值) (@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.7037
    • 50+

      ¥1.3257
    • 150+

      ¥1.1637
    • 500+

      ¥0.9616
    • 3000+

      ¥0.8716
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS HEX D型触发器,采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时,Q输出处于低逻辑电平,与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统,如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.76
    • 50+

      ¥1.55
    • 150+

      ¥1.46
    • 500+

      ¥1.35
    • 2500+

      ¥1.3
    • 5000+

      ¥1.27
  • 有货
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