安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 安森美二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共220498件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:56V 电流:1uA@42.6V

型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

立即购买

独立式耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V

型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5386
150+
￥0.5011
500+
￥0.4544
2500+
￥0.4001
5000+
￥0.3876

有货

立即购买

电压:30V 电流:2A

型号：MBRS130LT3G 编号：C51771

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8188
50+
￥0.6498
150+
￥0.5654
500+
￥0.502
2500+
￥0.3985
5000+
￥0.3732

有货

立即购买

独立式耐压:16V 电流:0.5uA@12.2V

型号：1SMA5930BT3G 编号：C128848

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8774
50+
￥0.7124
150+
￥0.6299
500+
￥0.568
2500+
￥0.5185
5000+
￥0.4937

有货

立即购买

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：15ns

型号：ES1D 编号：C84602

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥0.8853
50+
￥0.7102
150+
￥0.6226
500+
￥0.5569
2500+
￥0.413
7500+
￥0.3868

有货

立即购买

独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0692
50+
￥0.8315
150+
￥0.7296
500+
￥0.6025
2500+
￥0.5339
5000+
￥0.5

有货

立即购买

独立式耐压:8.2V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1176
50+
￥0.8759
150+
￥0.7723
500+
￥0.6431
2500+
￥0.5855
5000+
￥0.551

有货

立即购买

独立式耐压:3.6V 电流:75uA@1V

型号：1SMB5914BT3G 编号：C129230

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1186
50+
￥0.8671
150+
￥0.7593
500+
￥0.6248
2500+
￥0.5649
5000+
￥0.529

有货

立即购买

独立式耐压:30V 电流:0.5uA

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.9386
150+
￥0.8421
500+
￥0.7216
2500+
￥0.6133
5000+
￥0.5811

有货

立即购买

独立式耐压:13V 电流:1uA@9.9V

型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1909
50+
￥0.9346
150+
￥0.8247
500+
￥0.6877
2500+
￥0.5758
5000+
￥0.5391

有货

立即购买

耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1943
50+
￥0.9448
150+
￥0.8379
500+
￥0.7045
2500+
￥0.5604
5000+
￥0.5247

有货

立即购买

独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2122
50+
￥0.9527
150+
￥0.8415
500+
￥0.6369
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.538

有货

立即购买

独立式耐压:68V 电流:1uA@51.7V

型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.235
50+
￥0.9809
150+
￥0.872
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6757
5000+
￥0.6394

有货

立即购买

独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4818
50+
￥1.1967
150+
￥1.0745
500+
￥0.922
2500+
￥0.7366
5000+
￥0.6959

有货

立即购买

电压:20V 电流:4A

型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.8312
50+
￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

有货

立即购买

耐压:100V 电流:0.5A

型号：MB1S 编号：C232821

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥2.0122
50+
￥1.5838
150+
￥1.4002
500+
￥1.1712

有货

立即购买

耐压:200V 电流:4A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR420RLG 编号：C13431

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥2.1165
50+
￥1.6427
150+
￥1.4397
1500+
￥1.1863
3000+
￥1.0735
4500+
￥1.0058

有货

立即购买

独立式耐压:5.1V 电流:1uA

型号：1N5338BRLG 编号：C5307

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.4048
50+
￥1.9213
150+
￥1.7141
500+
￥1.3059
2500+
￥1.1908
4000+
￥1.1217

有货

立即购买

600V 1A

型号：ES1JAF 编号：C896698

封装：DO-214AD

品牌：onsemi(安森美)

特性：快速开关速度：最大Trr 35 ns。超薄外形：最大高度1.0 mm。玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。绿色模塑料。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.01
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.24

有货

立即购买

电压:30V 电流:2A

型号：NSR20F30NXT5G 编号：C145508

封装：DSN-2(0.8x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级 (CSP) 封装以减少板空间。低热电阻让设计人员能够完成实现更高能效的难题，满足减少空间要求。

数据手册

5+
￥2.5939
50+
￥2.0813
150+
￥1.8616
500+
￥1.5875
2500+
￥1.2575
5000+
￥1.1843

有货

立即购买

电压:35V 电流:8A

型号：MBRD835LT4G 编号：C28423

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器采用专利壁垒金属，适用于输出整流器、续流、保护和转向二极管、开关电源、逆变器和其他感应开关电路。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.23
30+
￥1.99
100+
￥1.68
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

立即购买

电压:45V 电流:10A

型号：MBRD1045T4G 编号：C110907

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.67
30+
￥2.33
100+
￥1.95
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

立即购买

电压:60V 电流:3A

型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

数据手册

1+
￥3.83
10+
￥3.08
30+
￥2.71
100+
￥2.34
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

有货

立即购买

电压:150V 电流:10A

型号：FSV10150V 编号：C719814

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.85
30+
￥3.4
100+
￥2.95
500+
￥2.68
1000+
￥2.54

有货

立即购买

耐压:200V 电流:15A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.23
10+
￥4.99
50+
￥4.38
100+
￥3.76
500+
￥3.4
1000+
￥3.21

有货

立即购买

电压:45V 电流:10A

型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.31
10+
￥5.27
50+
￥4.11
100+
￥3.59
500+
￥3.28
1000+
￥3.12

有货

立即购买

耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：70ns

型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥8.71
10+
￥7.2
50+
￥6.25
100+
￥5.31
500+
￥4.9
800+
￥4.71

有货

立即购买

电压:200V 电流:10A

型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥8.74
10+
￥7.15
30+
￥6.28
100+
￥5.3
500+
￥4.86
800+
￥4.66

有货

立即购买

耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：45ns

型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥16.48
10+
￥14.34
50+
￥11.9
100+
￥10.52
500+
￥9.9
800+
￥9.63

有货

立即购买

电压:30V 电流:100mA

型号：BAT54ALT1G 编号：C92068

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.203
200+
￥0.1583
600+
￥0.1335
3000+
￥0.1086
9000+
￥0.0957
21000+
￥0.0887

有货

立即购买

共7350页，220498条记录到页

<上一页
1
...
6
7
8
9
10
...
7350
下一页

立创商城为您提供安森美二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买安森美二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content