安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBR0530T3G 编号：C236079

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

10+
￥0.5027
100+
￥0.3918
300+
￥0.3364
1000+
￥0.2948
5000+
￥0.2615

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型号：MMBD1204 编号：C274681

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管，共阴极配置

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5+
￥0.507
50+
￥0.3972
150+
￥0.3423
500+
￥0.3011
3000+
￥0.2682
6000+
￥0.2517

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型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥0.7395
50+
￥0.5865
150+
￥0.51
500+
￥0.4527
2500+
￥0.4068
5000+
￥0.3838

有货

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型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7499
50+
￥0.5845
150+
￥0.5018
500+
￥0.4398
2500+
￥0.3901
5000+
￥0.3653

有货

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型号：MRA4003T3G 编号：C94410

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.7523
50+
￥0.6027
150+
￥0.5278
500+
￥0.4717
2500+
￥0.4081
5000+
￥0.3856

有货

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型号：MBR130LSFT1G 编号：C235756

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

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5+
￥0.7983
50+
￥0.6322
150+
￥0.5491
500+
￥0.4868
3000+
￥0.3953
6000+
￥0.3704

有货

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型号：MBRA160T3G 编号：C49187

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管

数据手册

5+
￥0.8265
50+
￥0.6474
150+
￥0.5579
500+
￥0.4907
2500+
￥0.437
5000+
￥0.4101

有货

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型号：MURA220T3G 编号：C37995

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8417
50+
￥0.6569
150+
￥0.5645
500+
￥0.4952
2500+
￥0.4397
5000+
￥0.412

有货

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型号：MURA110T3G 编号：C23915

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。

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5+
￥0.9166
50+
￥0.7246
150+
￥0.6286
500+
￥0.5105
2500+
￥0.4529
5000+
￥0.4241

有货

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型号：1SMA5935BT3G 编号：C235764

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥0.9953
50+
￥0.7715
150+
￥0.6756
500+
￥0.5559
2500+
￥0.5027
5000+
￥0.4707

有货

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型号：1SMB5924BT3G 编号：C53166

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0381
50+
￥0.8174
150+
￥0.7228
500+
￥0.6047
2500+
￥0.5522
5000+
￥0.5206

有货

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型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.1017
50+
￥0.8835
150+
￥0.79
500+
￥0.6733
2500+
￥0.6061
5000+
￥0.5749

有货

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型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1023
50+
￥0.8636
150+
￥0.7613
500+
￥0.6337
2500+
￥0.5047
5000+
￥0.4706

有货

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型号：MBRS1100T3G 编号：C82068

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.104
50+
￥0.8721
150+
￥0.7728
500+
￥0.6013
2500+
￥0.5461
5000+
￥0.5129

有货

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型号：MURA120T3G 编号：C111832

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1804
50+
￥0.9697
150+
￥0.8794
500+
￥0.7667
2500+
￥0.536
5000+
￥0.5059

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型号：UF4007 编号：C232764

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高浪涌电流能力。高可靠性。高电流能力。玻璃钝化结

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5+
￥1.2944
50+
￥1.0155
150+
￥0.896
500+
￥0.7469
2500+
￥0.6264
5000+
￥0.5865

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型号：SS14HE 编号：C894424

封装：SOD-323HE

品牌：onsemi(安森美)

特性：非常低的外形：典型高度为0.68mm。低功耗，高效率。湿度敏感度等级1（符合J-STD-020）。 UL可燃性94V-0分类。符合RoHS标准/绿色模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

数据手册

5+
￥1.3177
50+
￥1.0412
150+
￥0.9227
500+
￥0.7748
3000+
￥0.709
6000+
￥0.6695

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型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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5+
￥1.5579
50+
￥1.24
150+
￥1.1038
500+
￥0.9338
2500+
￥0.8582
7500+
￥0.8127

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型号：MBRM120LT1G 编号：C32150

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，高度低于1.1mm，是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

数据手册

5+
￥1.7768
50+
￥1.3388
150+
￥1.1511
500+
￥0.9169
3000+
￥0.8126
6000+
￥0.75

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型号：1N5349BRLG 编号：C9078

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.8019
50+
￥1.3967
150+
￥1.2231
500+
￥1.0065
2500+
￥0.91
4000+
￥0.8521

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型号：FSV20100V 编号：C895438

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为 1.1mm。沟槽肖特基技术。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。仅无 DAP 选项。这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.21
30+
￥5.52
100+
￥4.74
500+
￥4.38
1000+
￥4.23

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型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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