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首页 > 热门关键词 > 安森美二极管
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独立式 耐压:100V 电流:1uA
型号：1SMB5949BT3G 编号：C150045
封装：SMB
品牌：onsemi(安森美)
特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    电压:30V 电流:2A
    型号：MBRS130LT3G 编号：C51771
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    独立式 耐压:51V 电流:0.5uA@38.8V
    型号：1SMA5942BT3G 编号：C82080
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:8.2V 电流:5uA@1V
    型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
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    独立式 耐压:27V 电流:1uA
    型号：1SMB5935BT3G 编号：C49827
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    独立式 耐压:6.2V 电流:2.5uA@4.0V
    型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:12V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5927BT3G 编号：C33754
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    独立式 耐压:13V 电流:1uA@9.9V
    型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    电压:60V 电流:2.1A
    型号：NRVBA160NT3G 编号：C893762
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。采用先进的外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在表面贴装应用中作为续流和极性二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    独立式 耐压:30V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:4.3V 电流:2.5uA@1.0V
    型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    独立式 耐压:12V 电流:2uA@9.1V
    型号：1N5349BRLG 编号：C9078
    封装：DO-27
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
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      ￥1.5306

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    耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：20ns
    型号：ES2D 编号：C232831
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低外形封装。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 超快恢复时间，效率高
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    电压:40V 电流:2A
    型号：MBRS2040LT3G 编号：C59626
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
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      ￥1.5725

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    耐压:600V 电流:1A 反向恢复时间：22.55ns
    型号：ES1JFL 编号：C719809
    封装：SOD-123F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：快速开关速度：最大反向恢复时间35 ns。 超薄外形：最大高度1.08 mm。 玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。 绿色模塑料。 这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准
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    耐压:6.2V 电流:1uA@3V
    型号：1N5341BG 编号：C898880
    封装：插件,D3.3xL8.4mm
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6845

    • 50+

      ￥1.4947

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    耐压:10V 电流:5uA
    型号：1N5347BG 编号：C898885
    封装：插件,D3.3xL8.4mm
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8032

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    电压:20V 电流:4A
    型号：MBRS320T3G 编号：C236151
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册

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      ￥1.0439
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    电压:100V 电流:3A
    型号：MBRS3100T3G 编号：C12790
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频整流，或作为续流和极性保护二极管，应用于尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中
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      ￥2.0238

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    独立式 耐压:5.1V 电流:1uA
    型号：1N5338BRLG 编号：C5307
    封装：DO-27
    品牌：onsemi(安森美)
    这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。
    数据手册

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    电压:200V 电流:4A
    型号：MBRS4201T3G 编号：C145187
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。 快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。 软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。 高温下高度稳定。 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。 电机控制
    数据手册

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      ￥2.8

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      ￥1.32
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    电压:45V 电流:10A
    型号：MBRD1045T4G 编号：C110907
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
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    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：60ns
    型号：MUR1660CTG 编号：C40990
    封装：TO-220AB
    品牌：onsemi(安森美)
    超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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    耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：70ns
    型号：RHRP8120 编号：C11770
    封装：TO-220AC
    品牌：onsemi(安森美)
    RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。
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    耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns
    型号：RHRG30120 编号：C11753
    封装：TO-247-2
    品牌：onsemi(安森美)
    RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。
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    耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns
    型号：RHRP30120 编号：C11752
    封装：TO-220AC
    品牌：onsemi(安森美)
    RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
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      ￥21.58

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    100V 200mA
    型号：BAS16HT3G 编号：C896652
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54LT1G 编号：C94399
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。
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    独立式 耐压:9.1V 电流:3uA@7V
    型号：MMSZ5239BT1G 编号：C891728
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：RB520S30T1G 编号：C154821
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
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