德州仪器二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPD1E0B04DPYT 编号：C1976014

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.1107
50+
￥0.8833
250+
￥0.7858

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型号：ESD752DCKR 编号：C20345398

封装：SC-70-3

品牌：TI(德州仪器)

ESD752 具有 8/20µS 浪涌的双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管

5+
￥1.6739
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￥1.3312
150+
￥1.1843

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型号：TPD4EUSB30DQAR 编号：C90627

封装：USON-10(1x2.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4EUSB30 适用于 USB 3.0 且具有 5A 8/20us 浪涌额定值的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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30+
￥2.815534
50+
￥2.516982
100+
￥2.017974
500+
￥1.788517
1000+
￥1.683802

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型号：TPD2EUSB30DRTR 编号：C97502

封装：SOT(9x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPD2EUSB30 适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管

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单价：
￥0.896 / 个

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型号：TPD6E001RSER 编号：C1973318

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPD6E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的 6 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥2.99
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￥2.38
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￥2.11

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型号：LM385M3-1.2/NOPB 编号：C133959

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管

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1+
￥3.02
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￥2.39
30+
￥2.12
100+
￥1.78

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型号：TPD2E001IDRLRQ1 编号：C2836600

封装：SOT-5x3

品牌：TI(德州仪器)

TPD2E001-Q1 适用于 USB 2.0 且具有 VCC 引脚的汽车类双通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥3.59
10+
￥2.84
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￥2.52

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型号：UCC23313BDWYR 编号：C2868027

封装：SOIC-6-4.7mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧电源 FET。此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比，引脚完全兼容，同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制可实现较小的部件对部件偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED 相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。较高的操作温度为之前光耦无法支持的应用提供了机会。

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1+
￥4.45
10+
￥3.57
30+
￥3.13
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￥2.7

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型号：OPA310QDCKRQ1 编号：C33182272

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

运算放大器包括单通道、双通道和四通道低压高输出电流运算放大器，具有轨到轨输入和输出摆幅功能。具有非常快的关断响应，启用时间通常为0.9us，当应用涉及放大器信号链的占空比时，可以节省功耗。具有强大的ESD性能和失效防护输入ESD结构，输入端与正电源轨之间无二极管连接。提供电源板、标准、小型封装等型号，并具有内部电流限制保护和热关断保护功能，可在以高输出电流运行时实现更高的稳健性

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1+
￥5.08
10+
￥4.3
30+
￥3.74
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￥3.29

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型号：LM5145RGYT 编号：C2650259

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

LM5145是一款75V同步降压控制器,适用于高输入电压源或可能发生高电压瞬变的输入电源轨的电压调节。它具有宽输入电压范围（6V至75V）,可调输出电压范围（0.8V至60V）,支持40ns最小导通时间和100kHz至1MHz的可调开关频率。该控制器还具有线路前馈电压模式控制、内置7.5V栅极驱动器、可选二极管仿真模式和多种保护功能。

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1+
￥10.97
10+
￥9.27
30+
￥8.21

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型号：LM5121MH/NOPB 编号：C22464760

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM5121是一款宽输入范围的同步升压控制器,适用于高效率、大功率升压调节器应用。该控制器采用峰值电流模式控制,提供断开开关控制功能,可在输出短路或关断条件下完全断开输出与输入的连接。此外,还具有低关断静态电流、可编程软启动、可选的二极管仿真模式等功能。

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1+
￥28.71
10+
￥24.33
30+
￥21.72

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型号：THVD2429DRCR 编号：C41755914

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

THVD24x9器件是半双工RS-485收发器，集成了浪涌保护功能。浪涌保护是通过在标准8引脚SOIC(D)封装以及小型10引脚VSON封装中集成瞬态电压抑制器(TVS)二极管实现的。此功能提高了可靠性，可以更好地抵抗耦合到数据电缆的噪声瞬变，而无需外部保护元件。

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1+
￥28.89
10+
￥24.6
30+
￥22.05

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型号：DDC232CKZXGR 编号：C701758

封装：NFBGA-64

品牌：TI(德州仪器)

DDC232是一款20位、32通道的电流输入模数转换器，可直接测量32个低电平电流输出设备，如光电二极管。

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1+
￥470.07
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￥445.12

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型号：ESD341DPLR 编号：C6553120

封装：X2SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

ESD341 采用 0201 封装且具有 5.4A 浪涌额定值的 0.66pF ±3.6V ±30kV ESD 保护二极管

10+
￥0.3964
100+
￥0.3153
300+
￥0.2748

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型号：TSD12CDYFR 编号：C43696771

封装：SOT-2

品牌：TI(德州仪器)

双向TVS保护二极管专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达±30kV（接触放电和空气间隙放电），这超过了IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。结合了强大钳位性能和低电容，是出色的TVS二极管，可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装，可轻松焊接。

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5+
￥0.5289
50+
￥0.5172
150+
￥0.5094
500+
￥0.5017

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型号：ULN2003ADYYR 编号：C42063608

封装：TSOT-23-16

品牌：TI(德州仪器)

ULx200xA器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

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5+
￥0.8843
50+
￥0.8654
150+
￥0.8528
500+
￥0.8402

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型号：ESD762DBZR 编号：C20345401

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

ESD762 具有 8/20µS 浪涌的双路 1.7pF、±24V ±20kV ESD 保护二极管

5+
￥1.0145
50+
￥0.8025
150+
￥0.7116

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型号：TPD4E001DPKT 编号：C2863123

封装：USON-6(1.6x1.6)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.546
50+
￥1.2436
250+
￥1.003
500+
￥0.8413

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型号：TPD4E001DPKR 编号：C1973412

封装：DFN-6(1.6x1.6)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥2.39
10+
￥1.92
30+
￥1.69

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型号：TPS54335ADDA 编号：C544934

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS5433xA系列器件为同步转换器，输入电压范围介于4.5V和28V之间。该系列器件集成有低侧开关场效应晶体管(FET)，免除了对外部二极管的需求，从而减少了组件数。凭借集成的128mΩ和84mΩ MOSFET、低IQ以及轻负载时的脉冲跳跃模式，大大提升了效率。

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1+
￥2.62
10+
￥2.05
30+
￥1.8
75+
￥1.5

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型号：TPD3E001DRYR 编号：C1973987

封装：SON-6(1x1.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD3E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大泄漏电流和 VCC 引脚的 3 通道 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥3.44
10+
￥2.73
30+
￥2.43

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型号：TPD4S009DCKR 编号：C2871139

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥3.6
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￥2.96
30+
￥2.63

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型号：LM285Z-2.5/NOPB 编号：C2869862

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管

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1+
￥5.11
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￥4.12
30+
￥3.63

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥9.17
10+
￥7.57
30+
￥6.68

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型号：UCC23513BQDWYRQ1 编号：C5216319

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23513-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的栅极驱动器相比，此器件可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。由于具有高性能和高可靠性，因此该类器件非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器无法支持的应用开辟了机会。

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1+
￥9.64
10+
￥8.14
30+
￥7.2

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型号：LV5144RGYR 编号：C34042097

封装：VQFN-20-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

该同步降压控制器可从高输入电压源或承受高压瞬变的输入轨进行调节，最大限度减少对外部浪涌抑制组件的需求。45 ns的高端开关最小导通时间可实现大降压比，能从48 V标称输入直接降压转换为低压轨，降低系统复杂性和设计成本。该控制器在输入电压低至6 V的电压骤降期间仍可继续工作，必要时占空比接近100%，非常适合高性能工业控制、机器人、数据通信和RF应用。强制PWM (FPWM) 操作可消除开关频率变化，以最大限度减少EMI，而用户可选的二极管仿真可降低轻载条件下的电流消耗。高达1 MHz的可调开关频率可与外部时钟源同步，以消除对噪声敏感的应用中的拍频。该电压模式控制器带有线路前馈，使用适用于标准阈值MOSFET的强劲7.5 V栅极驱动器驱动外部高端和低端N沟道功率开关

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1+
￥10.09
10+
￥8.54
30+
￥7.57

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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1+
￥10.11
10+
￥8.33
30+
￥7.35

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型号：AFE4432YCHR 编号：C7528440

封装：DSBGA-25

品牌：TI(德州仪器)

AFE4432 是一款面向诸如心率监测 (HRM) 和周围毛细血管氧饱和度 (SpO2) 测量等光学生物传感应用的模拟前端。该器件支持多达 4 个开关发光二极管 (LED) 和三个光电二极管 (PD)。AFE 配有两个带 8 位电流控制的 LED 驱动器。该器件具有宽动态范围的发送和接收电路，有助于检测超小信号电平。可定义多达 12 个信号相位集，每个相位集都包含 LED 和环境相位的组合。接收器输入端的低噪声失调 DAC 可自动控制，从而消除环境光和 LED 光产生的直流。在各相位中，PD 所产生的电流先经 TIA 转换为电压，再滤波，然后使用通用 ADC 进行数字化。ADC 代码可存储在 160 样本的 FIFO 块中。可使用 SPI 或 I2C 接口读取 FIFO。

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1+
￥35.56
10+
￥30.47
30+
￥27.37

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型号：THVD2419DRCR 编号：C41965258

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

器件是半双工 RS-485 收发器，集成了浪涌保护功能。浪涌保护是通过在标准 8 引脚 SOIC (D)封装以及小型 10 引脚 VSON 封装中集成瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管实现的。此功能提高了可靠性，可以更好地抵抗耦合到数据电缆的噪声瞬变，而无需外部保护元件。采用标准引脚排列 SOIC 封装的器件由 3.3V 或 5V 单电源供电。此外，采用 10 引脚 VSON 封装的器件支持额外的 V₁₀ 电源，可在低至 1.65V 的电源电平下运行 IO。此系列器件具有宽共模电压范围，因而适用于长线缆上的多点应用。

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1+
￥38.29
10+
￥32.73
30+
￥29.34

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型号：JFE2140DSGR 编号：C41589609

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

构建于现代高性能模拟双极工艺，在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为50μA至20mA。当偏置电流为5mA时，该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。此外，按照+6mV测试JFET之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。可承受40V的高漏源电压，以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。

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￥49.11
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￥42.88
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