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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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UCC23514是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,源极峰值输出电流为4.5 A,漏极峰值输出电流为5.3 A,具备5.0 kV RMS的增强隔离等级。33 V的高电源电压范围允许使用双极性电源,以有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23514可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦的栅极驱动器相比,其关键特性显著提升了性能和可靠性,同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制使器件间的偏差极小。输入级采用仿真二极管(e-二极管),与传统LED相比,具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用8引脚表面贴装7.5 mm×5.85 mm(典型值)SOIC封装,爬电距离和电气间隙≥8.5 mm,模塑料属于材料组I,相比漏电起痕指数(CTI)> 600 V。UCC23514的高性能和可靠性使其非常适合用于各类电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器设备。更高的工作温度为传统光耦以前无法支持的应用开辟了新机会。UCC23514V选项在单个端子上提供栅极驱动输出。对于需要分开的栅极驱动输出的应用,UCC23514S版本提供两个独立的输出引脚OUTH和OUTL。UCC23514E版本适用于需要以独立COM引脚为参考的欠压锁定(UVLO)的应用,这有助于双极性栅极驱动电源应用。UCC23514M选项将晶体管的栅极连接到内部钳位,以防止米勒电流导致的误开启。
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  • LM5122是一款多相能力的同步升压控制器,适用于高效率同步升压调节器应用。该控制器具有峰值电流模式控制,提供内在的线路前馈和环路补偿的简便性。高度集成的控制器提供强大的高侧和低侧N通道MOSFET驱动器,具有自适应死区时间控制。开关频率可编程高达1MHz,由单个电阻设置或同步到外部时钟。LM5122还支持可选的二极管仿真模式,提供轻载条件下断续模式操作,提高效率。
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  • 是双向TVS保护二极管,专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),这超过了IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。结合了强大钳位性能和低电容,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装,可轻松焊接。
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  • 是单向TVS保护二极管,专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计,额定ESD冲击消散值高达±30kV(接触放电和空气间隙放电),并且符合IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。结合了强大钳位性能和低电容,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装,可轻松焊接。
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      ¥1.281
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      ¥0.767
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  • 高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器,具有独立输入,实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制,导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能,如果驱动电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。提供两种版本,UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值,UCC27201具有TTL兼容阈值。
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  • LM25116 是一款宽范围同步降压控制器,适用于从高电压或广泛变化的输入电源进行降压调节。该控制器基于电流模式控制方法,支持标准或逻辑电平 MOSFET 驱动,具有 3.5 A 峰值栅极驱动能力,支持自由运行或同步操作至 1MHz。可选的二极管仿真模式可在轻负载条件下提高效率。
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  • TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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  • TPD1E10B06-Q1 采用 0402 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
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  • TPD1E05U06-Q1 适用于 USB 3.0 且采用 0402 封装的汽车类 0.4pF 5.5V ±12kV ESD 保护二极管
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  • TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
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  • ESD2CAN24-Q1 适用于车载网络的汽车类双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管
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  • LM336-5.0 5V 基准电压二极管
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  • LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
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  • DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A(拉电流)和 2A(灌电流)的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行,并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制,并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器,用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性,可实现稳健的电机驱动系统设计,还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性,能够无缝集成到各种系统设计中。
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      ¥24.4
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      ¥14.78
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  • 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流
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    • 5+

      ¥1.0435
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  • TPD2E009 具有 5A 浪涌额定值的双通道 0.7pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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      ¥1.8217
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      ¥1.0502
  • 有货
  • TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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    • 500+

      ¥1.18
    • 1000+

      ¥1.15
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  • ESDS552 是一个双向 ESD 和浪涌保护二极管,用于 RS-485 和 RS-422 接口保护。ESDS552 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC 61000-4-2 国际标准所规定的最高水平(±30kV 接触放电,±30kV 空气间隙放电)。根据 IEC 61000-4-5 标准,该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 25A 的 8/20 μs 浪涌。低动态电阻和低钳位电压有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要,因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。ESDS552 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。
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      ¥1.0137
    • 50+

      ¥0.992
    • 150+

      ¥0.9776
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      ¥0.9631
  • 有货
  • TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1241
    • 50+

      ¥0.8897
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.6731
  • 有货
  • TPS54519是一款6V输入,5A输出的同步降压转换器,具有两个集成的MOSFET,支持200kHz到2MHz的开关频率。该器件集成了启动电容二极管,采用3mm x 3mm QFN封装,具有高效率和小尺寸设计。
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    • 5+

      ¥1.1333
    • 50+

      ¥0.8888
    • 150+

      ¥0.784
    • 500+

      ¥0.6532
  • 有货
  • ESD2CAN24-Q1 适用于车载网络的汽车类双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管
    • 5+

      ¥1.9123
    • 50+

      ¥1.5208
    • 150+

      ¥1.353
  • 有货
  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.41
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.41
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      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • TPD4E004 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 1.6pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

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    • 100+

      ¥2.25
    • 500+

      ¥2.05
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  • 器件是具有二极管仿真器输入和数字输出的单通道光耦仿真器,是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件,无需重新设计PCB即可增强业界通用封装。这些器件可实现高达25Mbps的传输数据速率,并可通过两个逻辑输出选项输出3.3V和5V信号:CMOS兼容输出和集电极开路输出。 与光耦合器相比,光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟、小脉宽失真(PWD)、低功耗、更宽的温度范围以及严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应,因此仿真二极管输入级的功耗比光耦合器低
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

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      ¥2.25
  • 有货
  • LM5116是一款宽范围同步降压控制器,适用于从高压或广泛变化的输入电源进行降压调节。该控制器采用电流模式控制,利用模拟电流斜坡,提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和环路补偿的简便性。使用模拟控制斜坡减少了脉宽调制电路的噪声敏感性,使非常小的占空比在高输入电压应用中可靠运行。工作频率可编程从50kHz到1MHz。LM5116驱动外部高侧和低侧NMOS功率开关,具有自适应死区时间控制。可选的二极管仿真模式允许断续模式操作,提高轻载条件下的效率。
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    • 1+

      ¥11.5
    • 10+

      ¥9.67
    • 30+

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  • 有货
  • AFE4404 是一个用于光学生物传感应用的模拟前端,例如心率监测 (HRM) 和脉搏血氧饱和度 (SpO2) 测量。该设备支持三个切换发光二极管 (LED) 和一个光电二极管
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      ¥24.28
    • 10+

      ¥20.71
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  • OPT101 单片光电二极管和单电源跨阻放大器
    数据手册
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    • 10+

      ¥46.97
    • 30+

      ¥41.96
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  • 该评估模块允许用户在实际隔离电源应用中评估性能和特性。互补输出信号(D1和D2)来自SN6505x,是接地的N沟道功率开关,驱动中心抽头变压器的初级侧。变压器次级中心抽头连接到隔离地,互补输出通过简单的二二极管电桥整流。SN6505x的两个驱动器输出的先通后断特性确保一次只驱动变压器的一侧。整流后,直流电压被平滑并输送到TPS76701QD稳压器。稳压器输出稳定的+5V直流输出,用于驱动下游电路。
    • 1+

      ¥413.37
    • 30+

      ¥391.24
  • 有货
  • TPD1E10B06-Q1 采用 0402 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
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      ¥1.1816
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