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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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ISOM8610 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET,在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件,无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。与光耦合器相比,ISOM8610 光耦仿真器开关具有显著的可靠性和性能优势,例如更宽的温度范围和严格的过程控制,从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应,因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。ISOM8610 开关输出可在器件的使用寿命内仅通过阳极/阴极引脚的 0.8mA 电流来控制,从而实现系统节能。ISOM8610 是光耦仿真器开关,提供高达 3.75kV 的跨隔离栅隔离,是常用光继电器的引脚兼容直接替代产品。标准光耦合器使用 LED 作为输入级,而 ISOM8610 使用电流控制的仿真二极管作为输入级。输入级通过 TI 专有的基于二氧化硅 (SiO₂) 的隔离栅与驱动器级隔离,不仅能够提供可靠的隔离,而且还提供出色的性能。ISOM8610 可隔离高压信号,提供会随着时间推移而老化的传统光耦合器所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。这些器件基于实现低功耗和高速运行的 CMOS 隔离技术,因此不受光耦合器中的磨损效应影响,这种磨损会随着温度、正向电流和器件使用年限的增加而降低性能。
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  • TPD1E10B06 采用 0402 和 SOD-523 封装的 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管
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  • TPD4E1U06 采用 SOT-23 和 SC70 封装的四路 0.8pF、5.5V、±15kV ESD 保护二极管
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  • 是双向TVS保护二极管,专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),这超过了IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。结合了强大钳位性能和低电容,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装,可轻松焊接。
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  • ESDS552 是一个双向 ESD 和浪涌保护二极管,用于 RS-485 和 RS-422 接口保护。ESDS552 的额定 ESD 冲击消散值超出了 IEC 61000-4-2 国际标准所规定的最高水平(±30kV 接触放电,±30kV 空气间隙放电)。根据 IEC 61000-4-5 标准,该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 25A 的 8/20 μs 浪涌。低动态电阻和低钳位电压有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要,因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。ESDS552 采用小型引线式 SOT-23 (DBZ) 封装。
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  • ESD1LIN24-Q1 适用于 LIN 接口且采用 SOD-323 封装的汽车类 2.3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管
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  • TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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  • TPD2E1B06 适用于 USB 2.0 且具有 ESD 等级的双通道 1pF、±5.5V、±10kV ESD 保护二极管
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  • LM336-5.0 5V 基准电压二极管
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  • LM336-2.5-N 电压基准二极管
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  • LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
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  • DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器,适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A(拉电流)和 2A(灌电流)的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行,并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制,并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器,用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性,可实现稳健的电机驱动系统设计,还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性,能够无缝集成到各种系统设计中。
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  • ESD562是一款双向ESD保护二极管,用于RS-485和RS-422接口保护。ESD562的额定ESD冲击消散值超出了IEC61000-4-2国际标准所规定的最高水平(±22kV接触放电,±30kV空气间隙放电)。根据IEC61000-4-5标准,该器件可以钳制峰值脉冲电流高达3A的8/20μs浪涌。
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  • 是单向TVS保护二极管,专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计,额定ESD冲击消散值高达±30kV(接触放电和空气间隙放电),并且符合IEC61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。结合了强大钳位性能和低电容,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。采用业界通用的引线式SOD-323封装,可轻松焊接。
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  • ESDS314 适用于 USB 和以太网且具有 25A 8/20us 浪涌额定值的四通道 4.5pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管
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  • TPD2E2U06 适用于 USB 2.0 且具有 5.5A 8/20us 浪涌等级的双通道 1.5pF、5.5V、±25kV ESD 保护二极管
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  • DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
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      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
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    • 30+

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    • 1045+

      ¥4.02
  • 有货
  • 高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器,具有独立输入,实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制,导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能,如果驱动电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。提供两种版本,UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值,UCC27201具有TTL兼容阈值。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.73
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    • 500+

      ¥5.18
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • ESD1LIN24 采用 SOD-323 封装的 3pF ±24V ±30kV ESD 保护二极管
    • 5+

      ¥0.8293
    • 50+

      ¥0.6563
    • 150+

      ¥0.5719
    • 500+

      ¥0.4966
  • 有货
  • TPD6E05U06 适用于 USB、HDMI 和高速接口的 6 通道 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4396
    • 50+

      ¥1.1271
    • 150+

      ¥0.9932
    • 500+

      ¥0.826
  • 有货
  • TPD1E0B04 适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1013
    • 50+

      ¥0.8716
    • 150+

      ¥0.7595
    • 500+

      ¥0.6594
  • 有货
  • TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8717
    • 50+

      ¥1.4509
    • 150+

      ¥1.2705
    • 500+

      ¥1.0455
  • 有货
  • 是一款提供控制器局域网(CAN)接口保护的双向ESD保护二极管,额定消散接触ESD冲击能力符合ISO10605汽车标准。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。 该器件的低IO电容(每通道)和引脚排列适合两条汽车CAN总线(CANH和CANL),可防止总线因静电放电(ESD)和其他瞬态而损坏。此外,具有2.8pF(典型值)或更低的线路电容,是CAN、CAN-FD和CANSiC应用的理想选择。采用3引脚SOT-23引线式封装,可轻松实现直通式布线。
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    • 5+

      ¥1.5441
    • 50+

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    • 150+

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      ¥0.9055
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  • 是用于标准和逻辑电平N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真,可减少输出整流器的损耗,并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许使用多个拓扑结构,例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM反激式和LLC等。集成特性可简化设计工作,使在各种频率下的应用中表现卓越
    数据手册
    • 1+

      ¥3.18
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.34
    • 1000+

      ¥2.28
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  • AFE4432 是一款面向诸如心率监测 (HRM) 和周围毛细血管氧饱和度 (SpO2) 测量等光学生物传感应用的模拟前端。该器件支持多达 4 个开关发光二极管 (LED) 和三个光电二极管 (PD)。AFE 配有两个带 8 位电流控制的 LED 驱动器。该器件具有宽动态范围的发送和接收电路,有助于检测超小信号电平。可定义多达 12 个信号相位集,每个相位集都包含 LED 和环境相位的组合。接收器输入端的低噪声失调 DAC 可自动控制,从而消除环境光和 LED 光产生的直流。在各相位中,PD 所产生的电流先经 TIA 转换为电压,再滤波,然后使用通用 ADC 进行数字化。ADC 代码可存储在 160 样本的 FIFO 块中。可使用 SPI 或 I2C 接口读取 FIFO。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.77
    • 10+

      ¥32.68
    • 30+

      ¥29.57
    • 100+

      ¥26.97
  • 有货
  • 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2105
    • 50+

      ¥0.8971
    • 160+

      ¥0.789
    • 480+

      ¥0.6542
  • 有货
  • ESDS312 适用于 USB 和以太网且具有 25A 8/20us 浪涌额定值的双通道 4.5pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管
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    • 5+

      ¥1.5104
    • 50+

      ¥1.1873
    • 150+

      ¥1.0296
  • 有货
  • LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.93
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.12
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      ¥1.82
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