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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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36V 3.1A@8/20us
型号：ESD862DBZR 编号：C34680092
封装：-
品牌：TI(德州仪器)
用于USB电力传输(USB-PD)和工业接口的双向ESD保护二极管。旨在耗散达到或超过IEC61000-4-2标准所规定最高水平（±25kV接触放电和气隙放电，或 ±18kV接触放电和气隙放电）的ESD。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。具有每通道低IO电容和提供两条IO线路的引脚排列，可防止因静电放电(ESD)和其他瞬变造成损坏。4.3A (8/20us浪涌波形）能力使其适用于保护USB VBUS和工业I/O线路免受瞬态浪涌事件的影响。2.8pF或2.6pF线路电容适用于保护USB电力传输的低速信号和工业应用的IO信号。
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    单向
    型号：TPD2E001DRSR 编号：C2867394
    封装：SON-6(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD2E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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    单向 3.6V 6A@8/20us
    型号：ESD321DPYR 编号：C2868952
    封装：X1-SON-2(0.6x1)
    品牌：TI(德州仪器)
    ESD321 适用于 USB 2.0、具有 6.8V 16A TLP 钳位的 0.9pF 3.6V ±30kV ESD 保护二极管
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    2.495V~36V 并联
    型号：TLA432AQDBZR 编号：C43133479
    封装：SOT-23
    品牌：TI(德州仪器)
    TLA431和TLA432器件是三端可调节并联稳压器，可在所有电容器负载下保持稳定。这些器件与业界通用的TL431和TL432引脚兼容，但稳定性更高，可支持所有电容器负载。借助于两个外部电阻器，输出阴极电压可在Vref (2.495V)和36V之间任意调节。这些器件的输出阻抗典型值为0.2Ω。此类器件的有源输出电路具有非常明显的导通特性，因此非常适合用于替代许多应用中的齐纳二极管，例如板载稳压器、可调节电源和开关电源。TLA431还可用作比较器，用于欠压监控。TLA431的内部放大器和基准在隔离式光耦合器反激式电源中用作误差放大器。TLA432器件的功能和电气规格与TLA431器件完全相同。TLA431和TLA432器件具有两个温度等级I和Q。此外，这些器件在整个温度范围内提供的基准电压具有良好的稳定性。
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    双向ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPD4E101DPWR 编号：C1975353
    封装：X2-SON-4-EP(0.8x0.8)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4E101 采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管
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    高电压大电流达林顿晶体管阵列
    型号：ULQ2003AD 编号：C2868741
    封装：SOP-16
    品牌：TI(德州仪器)
    ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。
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    12V 3A@8/20us
    型号：ESD501DPYRQ1 编号：C43177583
    封装：X1SON-2(0.6x1)
    品牌：TI(德州仪器)
    是一款双向ESD保护二极管，采用业界通用0402（DFN1006）封装，并提供15kV的IEC61000-4-2保护级别。根据IEC61000-4-5标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达3A的8 / 20μs浪涌。低电容和低漏电流有助于确保在各种系统和应用中免受瞬态事件的影响。
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    并联 150ppm/℃
    型号：LM385Z-1.2/NOPB 编号：C205459
    封装：TO-92
    品牌：TI(德州仪器)
    LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
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    高电压大电流达林顿晶体管阵列
    型号：ULN2003ANSR 编号：C2869104
    封装：SO-16-208mil
    品牌：TI(德州仪器)
    ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。
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    100V三相BLDC栅极驱动器
    型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266
    封装：VQFN-24(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
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    并联 10uA 150ppm/℃
    型号：LM285M-1.2/NOPB 编号：C1575307
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
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    TPS259480LYWPR
    型号：TPS259480LYWPR 编号：C25836658
    封装：DSBGA-12
    品牌：TI(德州仪器)
    电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。此类器件提供采用少量外部元件的多种保护模式，能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。集成式背对背 FET 可帮助阻止从输出端到输入端的反向电流流动，从而使该器件非常适合电源多路复用器和 ORing 应用以及需要负载侧能量保持存储解决方案的系统（如果输入电源发生故障）。此类器件采用基于线性 ORing 的方案，可确保实现几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功率耗散来仿真理想的二极管行为。该器件还提供了一个外部引脚控制选项，用于禁用反向电流阻断并允许稳态双向电力输送。 可以使用单个外部电容器来调节输出压摆率和浪涌电流
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    120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
    型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550
    封装：VSON-9-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
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    2V~40V 70mA 40V
    型号：TPS7B4256QDRQ1 编号：C22427263
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS7B4256-Q1是一款单片集成低压降（LDO）电压跟踪器。该器件采用8引脚SOIC和HSOIC封装。旨在为汽车环境中的非板载传感器供电。配备了集成保护功能，可应对电池短路、反极性，输出至地短路（电流限制）和过热（热关断）等故障情况。采用背对背PMOS拓扑，无需使用外部二极管，即可帮助防止出现导致反向电流的故障情况。可承受45V（绝对最大值）输入电压，并能经受住汽车负载突降瞬态条件的考验。
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    AFE4404 超小型集成模拟前端
    型号：AFE4404YZPT 编号：C465775
    封装：DSBGA-15
    品牌：TI(德州仪器)
    AFE4404 是一个用于光学生物传感应用的模拟前端，例如心率监测 (HRM) 和脉搏血氧饱和度 (SpO2) 测量。该设备支持三个切换发光二极管 (LED) 和一个光电二极管。
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    并联 30ppm/℃
    型号：LM285BXZ-1.2/NOPB 编号：C1575381
    封装：TO-92
    品牌：TI(德州仪器)
    LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
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    升压型 1.3A 2.5V~6V
    型号：TPS61081DRCT 编号：C544945
    封装：VSON-10-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS61081 具有集成功率二极管的 27V、1.2A 开关、1.2MHz 升压转换器
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    双向 5.5V 3A@8/20us
    型号：TPD4E6B06DPWR 编号：C2869397
    封装：X2-SON-4-EP(0.8x0.8)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4E6B06 采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管
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    • 1+

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    • 10+

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    OPA310SQDCKRQ1
    型号：OPA310SQDCKRQ1 编号：C31726922
    封装：SC-70-6
    品牌：TI(德州仪器)
    运算放大器包括单通道、双通道和四通道低压高输出电流运算放大器，具有轨到轨输入和输出摆幅功能。具有非常快的关断响应，启用时间通常为0.9us，当应用涉及放大器信号链的占空比时，可以节省功耗。具有强大的ESD性能和失效防护输入ESD结构，输入端与正电源轨之间无二极管连接。提供电源板、标准、小型封装等型号，并具有内部电流限制保护和热关断保护功能，可在以高输出电流运行时实现更高的稳健性
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    并联 30uA 150ppm/℃
    型号：LM385Z-1.2/LFT3 编号：C2868194
    封装：TO-92
    品牌：TI(德州仪器)
    LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
    数据手册

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    • 30+

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    单向ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：TPD4E001DRSR 编号：C1973310
    封装：DFN-6-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD4E001 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大漏电流和 VCC 引脚的四路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
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    • 1+

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      ￥3.9
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    并联 20uA 150ppm/℃
    型号：LM385MX-2.5/NOPB 编号：C2156880
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册

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      ￥4.34

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      ￥2.62
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    并联 50ppm/℃
    型号：LM385M-2.5/NOPB 编号：C701128
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管
    数据手册

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    ULQ2004AN
    型号：ULQ2004AN 编号：C1556684
    封装：PDIP-16
    品牌：TI(德州仪器)
    器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更大的电流
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    TPS61158DRVR
    型号：TPS61158DRVR 编号：C702280
    封装：WSON-6-EP(2x2)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS61158 具有集成功率二极管的 30V WLED 驱动器
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    高电压大电流达林顿晶体管阵列
    型号：ULN2003AINSR 编号：C2859910
    封装：SO-16-208mil
    品牌：TI(德州仪器)
    ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。
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    绿色整流器控制器
    型号：UCC24610DRBR 编号：C2650188
    封装：VSON-8-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    这款 GREEN Rectifier™ 控制器是一款高性能控制器兼驱动器，适用于用于低压次级侧同步整流的标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件。该控制器与 MOSFET 配合使用，可模拟出近乎理想的二极管整流器。由于效率提升的叠加效应，此解决方案不仅能直接降低整流器的功耗，还能间接降低初级侧的损耗
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    120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
    型号：UCC27201AD 编号：C1549352
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
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    120V升压4A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
    型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078
    封装：VSON-8(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。
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    并联 10uA 30ppm/℃
    型号：LM285BXMX-1.2/NOPB 编号：C2878262
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM285-1.2-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管
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