德州仪器二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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4A/5A、3.75kVRMs光兼容单通道隔离式栅极驱动器

型号：UCC23313BDWYR 编号：C2868027

封装：SOIC-6-4.7mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧电源 FET。此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比，引脚完全兼容，同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制可实现较小的部件对部件偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED 相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。较高的操作温度为之前光耦无法支持的应用提供了机会。

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1+
￥4.2
10+
￥3.37
30+
￥2.96
100+
￥2.55

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具有关断功能的汽车级高输出电流、5V、RRIO、3MHz运算放大器

型号：OPA310SQDCKRQ1 编号：C31726922

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

运算放大器包括单通道、双通道和四通道低压高输出电流运算放大器，具有轨到轨输入和输出摆幅功能。具有非常快的关断响应，启用时间通常为0.9us，当应用涉及放大器信号链的占空比时，可以节省功耗。具有强大的ESD性能和失效防护输入ESD结构，输入端与正电源轨之间无二极管连接。提供电源板、标准、小型封装等型号，并具有内部电流限制保护和热关断保护功能，可在以高输出电流运行时实现更高的稳健性

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1+
￥3.14
10+
￥3.06
30+
￥3.01
100+
￥2.95

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5.5V 2.5A@8/20us

型号：TPD4S009DRYR 编号：C544670

封装：SON-6(1x1.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥3.47
10+
￥2.74
30+
￥2.42

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并联 50ppm/℃

型号：LM385M-2.5/NOPB 编号：C701128

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM385-2.5-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管

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1+
￥6.36
10+
￥5.2
30+
￥4.62
95+
￥4.05

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并联 150ppm/℃

型号：LM285Z-2.5/NOPB 编号：C2869862

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

LM285-2.5-N 温度范围为 -40°C 至 +85°C 的 2.5V 微功耗基准电压二极管

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1+
￥6.47
10+
￥5.21
30+
￥4.58
100+
￥3.95

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具有超低待机电流的同步整流控制器

型号：UCC24630DBVT 编号：C2657795

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

SR控制器是一款高性能控制器和驱动器，面向用于二次侧同步整流的N沟通MOSFET电源器件。控制器和MOSFET组合构成了一个近似理想的二极管整流器。该解决方案不仅可直接降低整流器的功耗，同时凭借着效率的提高还能够降低一次侧的损耗。采用伏秒平衡控制方法并且不与MOSFET的漏极直接相连，因此在较宽的输出电压范围内都是反激电源的理想选择

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1+
￥6.6
10+
￥5.48
30+
￥4.87
250+
￥4.17
500+
￥3.87
1000+
￥3.73

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120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器

型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥9.49
10+
￥7.88
30+
￥7

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采用小型封装、具有集成浪涌保护和高总线故障保护功能的3V至5.5V RS-485收发器

型号：THVD2429DRCR 编号：C41755914

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

THVD24x9器件是半双工RS-485收发器，集成了浪涌保护功能。浪涌保护是通过在标准8引脚SOIC(D)封装以及小型10引脚VSON封装中集成瞬态电压抑制器(TVS)二极管实现的。此功能提高了可靠性，可以更好地抵抗耦合到数据电缆的噪声瞬变，而无需外部保护元件。

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1+
￥28.89
10+
￥24.6
30+
￥22.05

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双向 3.6V 5.4A@8/20us

型号：ESD341DPLR 编号：C6553120

封装：X2SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

ESD341 采用 0201 封装且具有 5.4A 浪涌额定值的 0.66pF ±3.6V ±30kV ESD 保护二极管

10+
￥0.4054
100+
￥0.3243
300+
￥0.2838

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单向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：6.2A@8/20us

型号：ESD441DPLR 编号：C22427765

封装：X2SON-2(0.3x0.6)

品牌：TI(德州仪器)

是单向ESD保护二极管，用于保护数据线和其他I/O端口，额定可消散高达±30 kV的ESD冲击（符合IEC 61000-4-2国际标准，大于4级）。具有1 pF（典型值）的IO电容，可实现对如USB 2.0等协议的高速接口保护。极低的动态电阻（0.1 Ω）和钳位电压（16 A TLP时为7.6 V），可用于系统级瞬态事件保护。30 kV ESD额定值和6.2 A浪涌能力，可在小封装中为便携式电子产品和其他空间受限应用（如可穿戴设备）中的5.5 V电源轨提供强大的瞬态保护。采用行业标准的0201 (DPL)封装。

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单价：
￥0.278631 / 个

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单向ESD 3.6V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：ESD351DPYR 编号：C1974929

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

ESD351 适用于 USB 2.0、采用 0402 封装且具有 6.5V、16A TLP 钳位的 1.8pF、3.3V、±30kV ESD 保护二极管

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单价：
￥0.426141 / 个

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2.495V~36V

型号：TLA432AIDBZR 编号：C43133478

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

三端可调节并联稳压器，可在所有电容器负载下保持稳定。与业界通用的TL431和TL432引脚兼容，但稳定性更高，可支持所有电容器负载。借助于两个外部电阻器，输出阴极电压可在Vref (2.495V)和36V之间任意调节。输出阻抗典型值为0.2Ω。有源输出电路具有非常明显的导通特性，因此非常适合用于替代许多应用中的齐纳二极管，例如板载稳压器、可调节电源和开关电源。还可用作比较器，用于欠压监控。内部放大器和基准在隔离式光耦合器反激式电源中用作误差放大器。具有两个温度等级I和Q，在整个温度范围内提供的基准电压具有良好的稳定性。

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5+
￥1.3648
50+
￥1.0714
150+
￥0.9282
500+
￥0.8004

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ESD761DPYRQ1

型号：ESD761DPYRQ1 编号：C20345400

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

ESD761-Q1 采用 0402 封装的汽车类 1.1pF、±24V、±15kV ESD 保护二极管

1+
￥1.86
10+
￥1.82
30+
￥1.8
100+
￥1.78

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：2.8A@8/20us

型号：ESD751DYARQ1 编号：C20345396

封装：SOT-5X3

品牌：TI(德州仪器)

ESD751-Q1 适用于 LIN 和车载网络的汽车 1.6pF、±24V、±22kV ESD 保护二极管

5+
￥1.8804
50+
￥1.4882
150+
￥1.2968

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双向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：TPD4E101DPWR 编号：C1975353

封装：X2-SON-4-EP(0.8x0.8)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E101 采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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5+
￥2.1602
50+
￥1.6912
150+
￥1.4902

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双向 5.5V 3A@8/20us

型号：TPD4E6B06DPWR 编号：C2869397

封装：X2-SON-4-EP(0.8x0.8)

品牌：TI(德州仪器)

TPD4E6B06 采用 0.5mm 间距、0.64mm2 SON 封装的四路 4.8pF、±5.5V、±15kV ESD 保护二极管

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1+
￥2.52
10+
￥1.99
30+
￥1.76

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12V 3A@8/20us

型号：ESD501DPYRQ1 编号：C43177583

封装：X1SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

是一款双向ESD保护二极管，采用业界通用0402（DFN1006）封装，并提供15kV的IEC61000-4-2保护级别。根据IEC61000-4-5标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达3A的8 / 20μs浪涌。低电容和低漏电流有助于确保在各种系统和应用中免受瞬态事件的影响。

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1+
￥2.75
10+
￥2.16
30+
￥1.91
100+
￥1.59

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并联 30uA 150ppm/℃

型号：LM385Z-1.2/LFT3 编号：C2868194

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

LM385-1.2-N 温度范围为 0°C 至 70°C 的 1.235V 微功耗基准电压二极管

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1+
￥3.23
10+
￥2.74
30+
￥2.38
100+
￥2.09
500+
￥2
1000+
￥1.95

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

型号：TPD4S009DGSR 编号：C1975767

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

TPD4S009 适用于高速接口且具有 VCC 引脚的四通道 0.8pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管

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1+
￥4.82
10+
￥4.71
30+
￥4.64

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120V升压4A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器

型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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1+
￥9.29
10+
￥7.6
30+
￥6.67

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具有双向电力输送的3.5V至23V、12.2mΩ、8A电子保险丝

型号：TPS259480LYWPR 编号：C25836658

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。此类器件提供采用少量外部元件的多种保护模式，能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。集成式背对背 FET 可帮助阻止从输出端到输入端的反向电流流动，从而使该器件非常适合电源多路复用器和 ORing 应用以及需要负载侧能量保持存储解决方案的系统（如果输入电源发生故障）。此类器件采用基于线性 ORing 的方案，可确保实现几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功率耗散来仿真理想的二极管行为。该器件还提供了一个外部引脚控制选项，用于禁用反向电流阻断并允许稳态双向电力输送。可以使用单个外部电容器来调节输出压摆率和浪涌电流

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1+
￥9.75
10+
￥9.51
30+
￥9.35

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120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器

型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥13.1105 ￥20.17
10+
￥10.538 ￥19.16
30+
￥8.352 ￥18.56
250+
￥8.0775 ￥17.95
500+
￥7.9515 ￥17.67
1000+
￥7.893 ￥17.54

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超低噪声、匹配低栅电流双离散音频N通道JFET

型号：JFE2140DSGR 编号：C41589609

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

构建于现代高性能模拟双极工艺，在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为50μA至20mA。当偏置电流为5mA时，该器件会产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗(>1TΩ)提供超低噪声性能。此外，按照+6mV测试JFET之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高CMRR性能。还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。可承受40V的高漏源电压，以及低至-40V的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为-40℃至 + 125℃。

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1+
￥43.85
10+
￥39.3
30+
￥36.38

有货

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LMG2640RRGR

型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

品牌：TI(德州仪器)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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1+
￥111.89
10+
￥101.43
30+
￥97.63

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并联 50ppm/℃

型号：LM185BYH-1.2/NOPB 编号：C1575652

封装：TO-2

品牌：TI(德州仪器)

LM185-1.2-N 微功耗电压基准二极管

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1+
￥246
30+
￥237.8

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32通道，电流输入型模数转换器

型号：DDC232CKZXGR 编号：C701758

封装：NFBGA-64

品牌：TI(德州仪器)

DDC232是一款20位、32通道的电流输入模数转换器，可直接测量32个低电平电流输出设备，如光电二极管。

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1+
￥511.67
30+
￥486.72

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双向ESD 3.6V截止峰值浪涌电流：6.3A@8/20us

型号：TPD1E1B04DPYT 编号：C1978047

封装：X1-SON-2(0.6x1)

品牌：TI(德州仪器)

TPD1E1B04 采用 0402 封装、具有 6.3A 8/20us 浪涌和低钳位的 1pF、±3.6V、±30kV ESD 保护二极管

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5+
￥1.1929
50+
￥1.1668
250+
￥1.1494

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2.495V~36V 并联

型号：TLA432AQDBZR 编号：C43133479

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

TLA431和TLA432器件是三端可调节并联稳压器，可在所有电容器负载下保持稳定。这些器件与业界通用的TL431和TL432引脚兼容，但稳定性更高，可支持所有电容器负载。借助于两个外部电阻器，输出阴极电压可在Vref (2.495V)和36V之间任意调节。这些器件的输出阻抗典型值为0.2Ω。此类器件的有源输出电路具有非常明显的导通特性，因此非常适合用于替代许多应用中的齐纳二极管，例如板载稳压器、可调节电源和开关电源。TLA431还可用作比较器，用于欠压监控。TLA431的内部放大器和基准在隔离式光耦合器反激式电源中用作误差放大器。TLA432器件的功能和电气规格与TLA431器件完全相同。TLA431和TLA432器件具有两个温度等级I和Q。此外，这些器件在整个温度范围内提供的基准电压具有良好的稳定性。

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5+
￥1.7211
50+
￥1.3575
150+
￥1.2017
500+
￥1.0073

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高电压、高电流达灵顿晶体管阵列

型号：ULN2003BPWR 编号：C2865148

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

ULN2003B是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。这个器件包含7个高压输出型NPN达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。单个达灵顿对的集电极电流额定值为500mA。将达灵顿对并联可以提供更高的电流。ULN2003B的每个达灵顿对具有一个2.7kΩ基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑(TTL)或互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。

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1+
￥2.88
10+
￥2.29
30+
￥2.03

有货

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高电压大电流达林顿晶体管阵列

型号：ULN2003ANSR 编号：C2869104

封装：SO-16-208mil

品牌：TI(德州仪器)

ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。

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1+
￥3.71
10+
￥3.05
30+
￥2.72

有货

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