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首页 > 热门关键词 > 东芝二极管
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适用于音频通用放大应用,具有高电压(VCEO =-120V)、高hFE(hFE = 200 至 700)、出色的hFE线性度(hFE(lC =-0.1mA) / hFE(lC =-2mA) = 0.95 (典型值))、低噪声(NF = 1dB (典型值))的特点。
  • 5+

    ¥1.768
  • 50+

    ¥1.3757
  • 150+

    ¥1.2076
  • 有货
    • 1+

      ¥1.88
    • 10+

      ¥1.6
    • 30+

      ¥1.49
    • 100+

      ¥1.34
    • 500+

      ¥1.27
  • 有货
  • 74LCX273FT是高性能CMOS 8位D型触发器,专为3.3 V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压(3.3 V)VCC应用,但也可用于输入和输出均为5 V电源环境的接口。这个8位D型触发器由时钟输入(CK)和清零输入(CLR)控制。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0434
    • 50+

      ¥1.5898
    • 150+

      ¥1.3954
  • 有货
  • 用于直流电机的双桥驱动IC,具有低导通电阻的LD MOS结构输出晶体管。两个输入信号IN1和IN2可以选择四种模式之一,如正转、反转、短路制动和停止模式。PWM驱动系统支持高热效率驱动。
    • 1+

      ¥2.1084 ¥5.02
    • 10+

      ¥1.3088 ¥4.09
    • 30+

      ¥0.7964 ¥3.62
    • 100+

      ¥0.693 ¥3.15
    • 500+

      ¥0.6314 ¥2.87
    • 1000+

      ¥0.6006 ¥2.73
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型触发器,具有 5V 容限输入和输出。设计用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压(3.3V)VCC 应用,但也可用于与 5V 电源环境的输入和输出接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入(CK)和输出使能输入(OE)控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.378 ¥5.8
    • 10+

      ¥1.9352 ¥4.72
    • 30+

      ¥1.7138 ¥4.18
    • 100+

      ¥1.4965 ¥3.65
    • 500+

      ¥1.3653 ¥3.33
    • 1000+

      ¥1.2956 ¥3.16
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥2.42
    • 50+

      ¥1.92
    • 150+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.43
  • 有货
  • 74LCX257FT是一款高性能CMOS多路复用器。它专为3.3 V系统设计,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3 V)VCC应用而设计,但也可用于输入连接到5 V电源环境
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6255 ¥2.95
    • 10+

      ¥1.8565 ¥2.35
    • 30+

      ¥1.4421 ¥2.09
    • 100+

      ¥1.2144 ¥1.76
    • 500+

      ¥1.1178 ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.0557 ¥1.53
  • 有货
  • 是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。实现了与等效LSTTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。8通道配置,4通道×2配置和2通道×3配置。数字信号到控制终端可打开每个通道的相应开关,大振幅信号(VCC-VEE)可以通过小逻辑振幅(VCC-GND)控制信号进行切换。每个开关的导通电阻低,可以连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.53
  • 有货
  • 非反相器(开漏)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.0972 ¥3.48
    • 10+

      ¥2.2436 ¥2.84
    • 30+

      ¥1.7319 ¥2.51
    • 100+

      ¥1.5111 ¥2.19
    • 500+

      ¥1.38 ¥2
    • 1000+

      ¥1.311 ¥1.9
  • 有货
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.48
  • 有货
  • TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围,采用小尺寸封装WCSP6E(0.8mm x 1.2mm,厚度:0.55mm)的压摆率控制驱动器。此外,通过使用外部串联FET,在开关关闭时,它们可以阻断反向电流。因此,它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥2.88
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.93
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON)=0.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6556 ¥9.88
    • 10+

      ¥2.2302 ¥8.26
    • 50+

      ¥1.2529 ¥7.37
    • 100+

      ¥1.0829 ¥6.37
    • 500+

      ¥1.0064 ¥5.92
    • 1000+

      ¥0.9724 ¥5.72
  • 有货
  • AC输入型光耦合器,由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小,适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.28
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9609 ¥4.89
    • 10+

      ¥2.8258 ¥3.98
    • 30+

      ¥2.1472 ¥3.52
    • 100+

      ¥1.8727 ¥3.07
    • 500+

      ¥1.708 ¥2.8
    • 1000+

      ¥1.6226 ¥2.66
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥3.29
    • 50+

      ¥2.87
  • 有货
  • 是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSSTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。具有不同的通道配置,控制终端的数字信号可打开相应通道的开关,能通过小逻辑幅度控制信号切换大幅度信号。由于每个开关的导通电阻低,可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.44
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.11
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持C2MOS的低功耗。内部电路由3级组成,包括缓冲输出,具有高抗噪性和稳定的输出。输入配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    • 1+

      ¥4.65
    • 10+

      ¥3.79
    • 30+

      ¥3.35
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 22 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.8972 ¥6.36
    • 10+

      ¥3.4706 ¥5.18
    • 30+

      ¥2.622 ¥4.6
    • 100+

      ¥2.2857 ¥4.01
    • 500+

      ¥2.0862 ¥3.66
    • 1000+

      ¥1.9836 ¥3.48
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.8Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    • 1+

      ¥4.96
    • 10+

      ¥4.17
    • 50+

      ¥3.78
  • 有货
  • TB67S109A是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器,内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造,额定值为50 V/4.0 A。
    数据手册
    • 1+

      ¥5
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.8
    • 100+

      ¥4.72
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 50+

      ¥3.73
  • 有货
  • 非反相器(开漏)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5048 ¥9.83
    • 10+

      ¥3.7766 ¥8.21
    • 30+

      ¥2.6352 ¥7.32
    • 100+

      ¥2.2716 ¥6.31
    • 500+

      ¥2.1096 ¥5.86
    • 1000+

      ¥2.0376 ¥5.66
  • 有货
  • 低电压四总线缓冲器,具有5V容限输入和输出。设计用于3.3V系统,在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压(3.3V)VCC应用,但可用于输入连接到5V电源环境。该器件需要将三态控制输入(OE)设置为低电平,以使输出进入高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6952 ¥10.17
    • 10+

      ¥3.933 ¥8.55
    • 30+

      ¥2.7576 ¥7.66
    • 100+

      ¥2.394 ¥6.65
    • 500+

      ¥2.1384 ¥5.94
    • 1000+

      ¥2.0628 ¥5.73
  • 有货
  • 适用于70W高保真音频放大器输出级
    数据手册
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.63
    • 25+

      ¥4.67
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 7.5 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 24 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 9.8 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.05
    • 10+

      ¥6.57
    • 30+

      ¥5.76
    • 100+

      ¥4.84
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.32Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:Vth = 5.0 至 5.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.341 ¥8.78
    • 10+

      ¥6.239 ¥7.34
    • 50+

      ¥4.9125 ¥6.55
    • 100+

      ¥4.245 ¥5.66
    • 500+

      ¥3.945 ¥5.26
    • 1000+

      ¥3.81 ¥5.08
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    • 1+

      ¥8.51
    • 10+

      ¥7.07
    • 50+

      ¥6.28
  • 有货
  • 特性:第四代。 增强模式。 高速开关:U = 0.20 μs(典型值)(IC = 50 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7V(典型值)(IC = 50 A)。应用:专用电流谐振逆变器开关应用。 专用部分开关功率因数校正(PFC)应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.75
    • 10+

      ¥8.04
    • 25+

      ¥6.81
    • 100+

      ¥6.35
  • 有货
  • 是一款采用PWM斩波器的两相双极步进电机驱动器,内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造,额定值为50V/4.0A。
    • 1+

      ¥9.25
    • 10+

      ¥7.78
    • 30+

      ¥6.96
  • 有货
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