东芝二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SS307E,L3F 编号：C17303194

封装：SC-79

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：极低反向电流：IR（最大值）= 10 nA。通过AEC-Q101认证。应用：通用整流器

10+
￥0.3199
100+
￥0.2506
300+
￥0.2159
1000+
￥0.19

有货

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型号：1SS381(TPH3,F) 编号：C7419174

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。小总电容：CT = 1.2 pF（最大值）。低串联电阻：rs = 0.6 Ω（典型值）。应用：VHF调谐器频段切换应用

10+
￥0.4799
100+
￥0.3839
300+
￥0.3359
1000+
￥0.2999

有货

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型号：CRG09A,LQ(M 编号：C2847417

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 400 V。平均正向电流：IFUM = 1.0 A。峰值正向电压：VFM = 1.1 V (max) @ IFM = 0.7 A (脉冲测量)。高ESD保护。使用小型薄型表面贴装封装，是高密度安装的最佳方式，昵称：S-FLATTM。应用：通用整流器

数据手册

5+
￥0.858461 ￥1.2091
50+
￥0.586942 ￥0.9622
150+
￥0.436713 ￥0.8563
500+
￥0.369393 ￥0.7243
3000+
￥0.339405 ￥0.6655
6000+
￥0.321402 ￥0.6302

有货

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型号：CRF03(TE85L,Q,M) 编号：C261921

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 600 V。平均正向电流：IF(AV) = 0.7 A。浪涌正向电压：VFM = 2.0 V（最大）。反向恢复时间短：trr = 100 ns（最大）。小型外壳，适合高密度安装

数据手册

5+
￥1.0452
50+
￥0.8183
150+
￥0.7211
500+
￥0.5998

有货

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型号：TLP185(BLL-TL,SE 编号：C2840185

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

5+
￥1.0921
50+
￥0.8652
150+
￥0.7679
500+
￥0.5773
3000+
￥0.5232
6000+
￥0.4908

有货

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型号：CMS01(TE12L,Q,M) 编号：C3024414

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合紧凑型组装，采用小型表面贴装封装M-FLAT。应用：开关模式电源应用。便携式设备

数据手册

5+
￥1.7629
50+
￥1.3875
150+
￥1.2266
500+
￥1.0258

有货

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型号：CRY62(TE85L,Q,M) 编号：C6538273

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

是浪涌吸收器，平均功率耗散 P = 0.7W，齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V，由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装。

5+
￥1.9383
50+
￥1.5387
150+
￥1.3675
500+
￥1.1539
3000+
￥1.0587

有货

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型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

5+
￥2.29
50+
￥1.79
150+
￥1.57
500+
￥1.3
3000+
￥1.18

有货

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型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

1+
￥7.11
10+
￥6.48
30+
￥6.09
100+
￥5.69
500+
￥5.51

有货

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型号：TLP3905(V4-TPL,E 编号：C23067473

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由红外LED与光电二极管阵列光耦合组成。光电二极管串联，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥9.25
10+
￥7.6
30+
￥6.69
100+
￥5.66
500+
￥5.2
1000+
￥5

有货

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型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥16.13
10+
￥13.78
25+
￥11.22
100+
￥9.72

有货

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型号：1SS416,L3M(B 编号：C2943683

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

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20+
￥0.1869
200+
￥0.1437
600+
￥0.1197

有货

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型号：CES388,L3F 编号：C5345086

封装：SC-79

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。小型紧凑的ES0封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.2311
200+
￥0.1831
600+
￥0.1591
2000+
￥0.1411

有货

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型号：1SS301,LF 编号：C603065

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。小封装：SC-70。低正向电压：VF = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.2464
100+
￥0.1936
300+
￥0.1672
3000+
￥0.1474

有货

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型号：1SS396,LF 编号：C2762668

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

1SS396型硅外延肖特基势垒二极管，低压高速开关。

数据手册

10+
￥0.2936
100+
￥0.236
300+
￥0.2072
3000+
￥0.1856
6000+
￥0.1683

有货

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型号：1SS184(TE85L,F) 编号：C5366204

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.5028
100+
￥0.4214
300+
￥0.3807

有货

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型号：1SS377(TE85L,F) 编号：C192170

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

共阴

数据手册

5+
￥0.685854 ￥0.8793
50+
￥0.478448 ￥0.7036
150+
￥0.357106 ￥0.6157
500+
￥0.318884 ￥0.5498
3000+
￥0.288318 ￥0.4971
6000+
￥0.273064 ￥0.4708

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型号：1SS382(TE85L,F) 编号：C2880438

封装：SC-82

品牌：TOSHIBA(东芝)

由2个独立二极管组成的小封装。低正向电压VF(3) = 0.92V（典型值），快速反向恢复时间：trf = 1.6ns（典型值）

5+
￥0.9127
50+
￥0.7111
150+
￥0.6247
500+
￥0.5169

有货

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型号：CRS20I40B(TE85L.QM) 编号：C2762695

封装：S-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：V_RRM = 0.52V (最大值) @ I_RRM = 2.0A。平均正向电流：I_F(AV) = 2.0A。重复峰值反向电压：V_RRM = 40V。使用小型、薄型表面贴装封装，是高密度安装的最佳方式。昵称：S-FLATTM。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

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