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高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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  • 特性:在同样的尺寸下较插装磁珠可产生较高的阻抗值。 独特的终端电极结构,允许电流达6.0A(最大值)。 与传统的磁珠不同,片式磁珠无引线,只要简单的安装到PCB板上就可抑制EMI和RFI。 高阻抗,在宽频率范围内有效抑制EMI。 磁珠的形状和尺寸都符合EIA标准,可以利用SMT设备进行自动贴装。 适合回流焊和波峰焊。应用:通信设备、计算机、液晶电视等电气设备的电源线或大电流信号线的噪声抑制
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  • 高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中
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  • 特性:体积小、重量轻。适应再流焊与波峰焊。电性能稳定,可靠性高。装配成本低,并与自动贴装设备匹配。机械强度高、高频特性优越。符合RoHS指令要求
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  • 特性:低温度系数及高精度 (± 0.01%; ± 2ppm/°C)。适应再流焊与波峰焊。良好的耐湿性,高可靠性。符合ROHS指令要求。符合无卤素要求。应用:医学仪器。测试/测量设备
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