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首页 > 热门关键词 > 江苏长电二极管
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电压:150V 电流:20000mA
型号：SBDB20150CT 编号：C5295515
封装：TO-263-2L
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:100V 电流:10000mA
    型号：SBD10100SCTB 编号：C5295494
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 具有保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
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    电压:150V 电流:20000mA
    型号：SBD20150TA 编号：C5295497
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
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    电压:100V 电流:10000mA
    型号：SBDF10100SCTB 编号：C5295523
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 具有保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
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    耐压:400V 电流:25A
    型号：GBU2504 编号：C5292628
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    型号：GBU2502 编号：C5292629
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:50V 电流:4.2A
    型号：GBU25005 编号：C5292631
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    电压:45V 电流:40000mA
    型号：SBDF4045LCTB 编号：C5295547
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    型号：SBD3045LCTB 编号：C2924055
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    型号：SBD30150TA 编号：C5295507
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    型号：SBD20150TCTB 编号：C2924054
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
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    型号：SBD30150LCTB 编号：C2924058
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
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    型号：GBJ2501 编号：C5292686
    封装：6GBJ
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    型号：SBDF30120TCTB 编号：C5295538
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    型号：SBD30130SCTB 编号：C5295505
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:130V 电流:30000mA
    型号：SBDF30130SCTB 编号：C5295539
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    耐压:50V 电流:35A
    型号：GBJ35005 编号：C5292680
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 35A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    电压:100V 电流:30A
    型号：SBDF30100SCTB 编号：C2924081
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    电压:150V 电流:30A
    型号：SBDF40150TCTB 编号：C5295546
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
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    电压:150V 电流:40A
    型号：SBD40150TCTB 编号：C2924064
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环管芯结构。 高电流能力和低正向压降
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    50V 1A
    型号：1N4001 编号：C5292930
    封装：DO-41
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：1A-反向重复峰值电压（VRRM）：50V-1000V。高浪涌电流能力。极性：色带表示阴极。应用：整流器
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    独立式 耐压:3.9V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZX584C3V9 编号：C2910135
    封装：SOD-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：平面芯片结构。 150mW功率耗散。 齐纳电压范围为2.4-43V
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    丝印H1 独立式 耐压:11V 电流:2uA
    型号：MMSZ5241B 编号：C21555
    封装：SOD-123
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印H1
    数据手册

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    耐压:100V 电流:6A
    型号：KBU601 编号：C5292707
    封装：KBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 6A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    耐压:100V 电流:8A
    型号：KBU801 编号：C5292700
    封装：KBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 8A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    • 30+

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    电压:100V 电流:20000mA
    型号：SBDA20100 编号：C5295510
    封装：PDFNWB-8L(5x6)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    耐压:50V 电流:10A
    型号：KBU10005 编号：C5292694
    封装：KBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 10A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:200V 电流:10A
    型号：KBU1002 编号：C5292692
    封装：KBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 10A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:200V 电流:20A
    型号：GBJ2002 编号：C5292727
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io：20A。 VRRM：50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:800V 电流:20A
    型号：GBJ2008 编号：C5292724
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io：20A。 VRRM：50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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