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首页 > 热门关键词 > 江苏长电二极管
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大功率肖特基 电压:150V 电流:10A
型号：SBD10150CT 编号：C496858
封装：TO-220-3L
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降

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    耐压:200V 电流:6A
    型号：GBU602 编号：C5292664
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 6.0A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    电压:100V 电流:20000mA
    型号：SBD20H100CT 编号：C5295499
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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      ￥1.2199
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    耐压:50V 电流:25A
    型号：GBJ25005 编号：C5292687
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

    • 1+

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    电压:150V 电流:20000mA
    型号：SBDF20H150CT 编号：C5295532
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8069

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    电压:200V 电流:20000mA
    型号：SBDF20H200CT 编号：C5295533
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功率损耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：68ns
    型号：MUR8H60 编号：C5355157
    封装：TO-220-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快恢复时间和低恢复损耗。低正向电压。低反向漏电流。应用：专门设计用于提高电动汽车/混合动力汽车充电站的PFC和输出整流级、太阳能逆变器的升压级和UPS应用的效率。这些器件非常适合与MOSFET或高速IGBT配合使用

    • 5+

      ￥1.8886

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      ￥1.2838
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    电压:60V 电流:20A
    型号：SBDF2060CT 编号：C2924069
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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      ￥1.9009

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    电压:150V 电流:20A
    型号：SBDF20150CT 编号：C2924074
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功率损耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    耐压:600V 电流:10000mA 反向恢复时间：35ns
    型号：MUR1060CT 编号：C5293795
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：超快35ns恢复时间。 高达600V的高电压能力。 低反向漏电流
    数据手册

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      ￥2.0021

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    耐压:1000V 电流:6A
    型号：KBL610 编号：C5292709
    封装：KBL
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 6A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:200V 电流:15A
    型号：GBU1502 编号：C5292643
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 15A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    电压:150V 电流:20A
    型号：SBD20H150CTB 编号：C2924052
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    电压:60V 电流:10A
    型号：SP1060L 编号：C2693399
    封装：TO-277
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：IF(AV) 10A。 VRRM 60V。 高浪涌电流能力。 低峰值正向电压。应用：整流器
    数据手册

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    电压:150V 电流:20000mA
    型号：SBDB20150CT 编号：C5295515
    封装：TO-263-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    电压:150V 电流:20000mA
    型号：SBD20150TA 编号：C5295497
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    电压:100V 电流:10000mA
    型号：SBDF10100SCTB 编号：C5295523
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 具有保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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      ￥2.59

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    耐压:400V 电流:25A
    型号：GBU2504 编号：C5292628
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
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    耐压:50V 电流:4.2A
    型号：GBU25005 编号：C5292631
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

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    800V 25A
    型号：GBU2508 编号：C5292626
    封装：GBU
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

    • 1+

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    电压:45V 电流:40000mA
    型号：SBDF4045LCTB 编号：C5295547
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 1+

      ￥2.89

    • 10+

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    • 50+

      ￥2.01
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    电压:45V 电流:30A
    型号：SBD3045LCTB 编号：C2924055
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 1+

      ￥2.99

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      ￥2.37

    • 50+

      ￥2.1
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    电压:150V 电流:10A
    型号：SBD20150TCTB 编号：C2924054
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.25

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      ￥2.55

    • 50+

      ￥2.25
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    耐压:400V 电流:25A
    型号：GBJ2504 编号：C5292684
    封装：6GBJ
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

    • 1+

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    • 30+

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    电压:120V 电流:30000mA
    型号：SBDF30120TCTB 编号：C5295538
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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    • 50+

      ￥2.38
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    电压:130V 电流:30000mA
    型号：SBD30130SCTB 编号：C5295505
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 1+

      ￥3.6

    • 10+

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    • 50+

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    电压:130V 电流:30000mA
    型号：SBDF30130SCTB 编号：C5295539
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗、高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

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      ￥3.6

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      ￥2.9

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      ￥2.55
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    电压:150V 电流:30A
    型号：SBDF40150TCTB 编号：C5295546
    封装：TO-220F
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低功耗，高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降
    数据手册

    • 1+

      ￥5.1

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    耐压:100V 电流:1000mA 反向恢复时间：35ns
    型号：ES1BL 编号：C5293684
    封装：SOD-123FL
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：1A。 重复峰值反向电压（VRRM）：50V-600V。 高浪涌电流能力。 极性：色带表示阴极。应用：整流器
    数据手册

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    耐压:1000V 电流:4A
    型号：JBSL410 编号：C5292598
    封装：JBSL
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：正向平均电流（IF(AV)）：4A。 反向重复峰值电压（VRRM）：1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用
    数据手册

    • 5+

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    • 50+

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