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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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20V/60A N沟道增强型MOSFET
型号：PTQ6002 编号：C49384063
封装：PDFN-8(3.3x3.3)
品牌：HT(金誉)
使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

  • 5+

    ￥0.62757 ￥0.6606

  • 50+

    ￥0.49989 ￥0.5262

  • 150+

    ￥0.43605 ￥0.459

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    ￥0.38817 ￥0.4086

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    ￥0.34979 ￥0.3682

  • 5000+

    ￥0.330695 ￥0.3481
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    40V/50A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PGQ04N070 编号：C49384056
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 超低导通电阻。应用：电池管理系统。 电机驱动器

    • 5+

      ￥0.944395 ￥0.9941

    • 50+

      ￥0.748125 ￥0.7875

    • 150+

      ￥0.663955 ￥0.6989

    • 500+

      ￥0.55898 ￥0.5884

    • 2500+

      ￥0.51224 ￥0.5392

    • 5000+

      ￥0.484215 ￥0.5097
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    N沟道 30V 80A
    型号：PTN3006 编号：C49384076
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。应用：负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.967385 ￥1.0183

    • 50+

      ￥0.766365 ￥0.8067

    • 150+

      ￥0.680105 ￥0.7159

    • 500+

      ￥0.572565 ￥0.6027

    • 2500+

      ￥0.524685 ￥0.5523

    • 5000+

      ￥0.495995 ￥0.5221
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    N和P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTN25C03 编号：C48783010
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻RDS(on)，在栅源电压VGS = 5V时。 5V逻辑电平控制。 N+P双沟道。 PDFN5X6-8L封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。 无刷电机

    • 5+

      ￥0.99047 ￥1.0426

    • 50+

      ￥0.784605 ￥0.8259

    • 150+

      ￥0.69635 ￥0.733

    • 500+

      ￥0.586245 ￥0.6171

    • 2500+

      ￥0.537225 ￥0.5655

    • 5000+

      ￥0.507775 ￥0.5345
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    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PGN06P420 编号：C49384069
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：DC风扇。无刷电机

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
  • 有货
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    N沟道 40V 80A
    型号：PTN4080 编号：C49384077
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最大结温

    • 5+

      ￥1.059535 ￥1.1153

    • 50+

      ￥0.839325 ￥0.8835

    • 150+

      ￥0.744895 ￥0.7841

    • 500+

      ￥0.627095 ￥0.6601

    • 2500+

      ￥0.574655 ￥0.6049

    • 5000+

      ￥0.54321 ￥0.5718
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    N沟道 150V 4A
    型号：PTH150N04 编号：C49384219
    封装：SOT-223
    品牌：HT(金誉)
    特性：VDS = 150V, ID = 4.0A。 RDS(ON) < 160mΩ @ VGS = 10V。 高密度单元设计，实现超低电阻。 完全表征雪崩电压和电流。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.72748 ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.36838 ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.21448 ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.022485 ￥1.0763

    • 2500+

      ￥0.936985 ￥0.9863

    • 4000+

      ￥0.885685 ￥0.9323
  • 有货
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    P沟道 100V 30A
    型号：PTD100P30 编号：C49384097
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：DC-DC转换器。 负载开关

    • 1+

      ￥2.451 ￥2.58

    • 10+

      ￥1.9475 ￥2.05

    • 30+

      ￥1.729 ￥1.82

    • 100+

      ￥1.4535 ￥1.53

    • 500+

      ￥1.33 ￥1.4

    • 1000+

      ￥1.2635 ￥1.33
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    场效应管
    型号：PTQ3020 编号：C49384058
    封装：PDFN3333
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.36366 ￥0.3828

    • 100+

      ￥0.289655 ￥0.3049

    • 300+

      ￥0.2527 ￥0.266

    • 1000+

      ￥0.224865 ￥0.2367

    • 5000+

      ￥0.20273 ￥0.2134

    • 10000+

      ￥0.191615 ￥0.2017
  • 有货
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    PNP晶体管
    型号：B772M 编号：C49384218
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低速开关

    • 5+

      ￥0.52098 ￥0.5484

    • 50+

      ￥0.42066 ￥0.4428

    • 150+

      ￥0.3705 ￥0.39

    • 500+

      ￥0.33288 ￥0.3504

    • 2500+

      ￥0.302765 ￥0.3187

    • 5000+

      ￥0.287755 ￥0.3029
  • 有货
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    N沟道 20V 60A
    型号：PTN2060 编号：C49384071
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围(150℃)。 100%雪崩测试。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.60515 ￥0.637

    • 50+

      ￥0.48203 ￥0.5074

    • 150+

      ￥0.42047 ￥0.4426

    • 500+

      ￥0.3743 ￥0.394

    • 2500+

      ￥0.337345 ￥0.3551

    • 5000+

      ￥0.318915 ￥0.3357
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 30A
    型号：PTN7530 编号：C42457693
    封装：PDFN3333
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻 (RDS(on)) 。 4.5V逻辑电平。 5V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.694735 ￥0.7313

    • 50+

      ￥0.553375 ￥0.5825

    • 150+

      ￥0.482695 ￥0.5081

    • 500+

      ￥0.429685 ￥0.4523

    • 2500+

      ￥0.387315 ￥0.4077

    • 5000+

      ￥0.36613 ￥0.3854
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道高级功率MOSFET
    型号：PTQ45P02 编号：C49384062
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.858325 ￥0.9035

    • 50+

      ￥0.683715 ￥0.7197

    • 150+

      ￥0.59641 ￥0.6278

    • 500+

      ￥0.53086 ￥0.5588

    • 2500+

      ￥0.478515 ￥0.5037

    • 5000+

      ￥0.452295 ￥0.4761
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 80A
    型号：PTQ3006 编号：C49384061
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.92131 ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.72979 ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.64771 ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.5453 ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.4997 ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.47234 ￥0.4972
  • 有货
    • 立即购买
    80V/90A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD90N08 编号：C49384215
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。低导通电阻，以最小化传导损耗。高雪崩电流。100%雪崩测试。应用：电源。DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.87264 ￥1.9712

    • 50+

      ￥1.48333 ￥1.5614

    • 150+

      ￥1.31651 ￥1.3858

    • 500+

      ￥1.108365 ￥1.1667

    • 2500+

      ￥1.015645 ￥1.0691

    • 5000+

      ￥0.96007 ￥1.0106
  • 有货
    • 立即购买
    100V/65A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PGD10N100 编号：C49384204
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关。 低导通电阻和品质因数。 低栅极电荷。应用：高频开关。 同步整流

    • 5+

      ￥2.08221 ￥2.1918

    • 50+

      ￥1.64939 ￥1.7362

    • 150+

      ￥1.463855 ￥1.5409

    • 500+

      ￥1.232435 ￥1.2973

    • 2500+

      ￥1.12936 ￥1.1888

    • 5000+

      ￥1.067515 ￥1.1237
  • 有货
    • 立即购买
    档位：220-475 100mA 65V
    型号：BC856 编号：C692850
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：220-475
    数据手册

    • 50+

      ￥0.083885 ￥0.0883

    • 500+

      ￥0.067545 ￥0.0711

    • 3000+

      ￥0.052915 ￥0.0557

    • 6000+

      ￥0.047405 ￥0.0499

    • 24000+

      ￥0.042655 ￥0.0449

    • 51000+

      ￥0.04009 ￥0.0422
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 60A
    型号：PTQ3060 编号：C49384059
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥0.717155 ￥0.7549

    • 50+

      ￥0.571235 ￥0.6013

    • 150+

      ￥0.498275 ￥0.5245

    • 500+

      ￥0.443555 ￥0.4669

    • 2500+

      ￥0.39976 ￥0.4208

    • 5000+

      ￥0.37791 ￥0.3978
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 30V 30A
    型号：PTN30P30 编号：C49384073
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：-4.5V逻辑电平控制。 PDFN5x6 SMD封装。应用：负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.806835 ￥0.8493

    • 50+

      ￥0.642675 ￥0.6765

    • 150+

      ￥0.560595 ￥0.5901

    • 500+

      ￥0.499035 ￥0.5253

    • 2500+

      ￥0.44973 ￥0.4734

    • 5000+

      ￥0.425125 ￥0.4475
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 60V 40A
    型号：PGD06P270 编号：C49384202
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.70677 ￥1.7966

    • 50+

      ￥1.351945 ￥1.4231

    • 150+

      ￥1.199945 ￥1.2631

    • 500+

      ￥1.01023 ￥1.0634

    • 2500+

      ￥0.925775 ￥0.9745

    • 5000+

      ￥0.875045 ￥0.9211
  • 有货
    • 立即购买
    40V/120A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD40N120 编号：C49384099
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.87264 ￥1.9712

    • 50+

      ￥1.48333 ￥1.5614

    • 150+

      ￥1.31651 ￥1.3858

    • 500+

      ￥1.108365 ￥1.1667

    • 2500+

      ￥1.015645 ￥1.0691

    • 5000+

      ￥0.96007 ￥1.0106
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：2301F 编号：C48782980
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 50+

      ￥0.07714 ￥0.0812

    • 500+

      ￥0.060515 ￥0.0637

    • 3000+

      ￥0.051205 ￥0.0539

    • 6000+

      ￥0.045695 ￥0.0481

    • 24000+

      ￥0.040945 ￥0.0431

    • 51000+

      ￥0.038285 ￥0.0403
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    60V/13A N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTN6013 编号：C49384068
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的 dv/dt 能力。 高耐用性。 最大结温范围 150℃。应用：DC 风扇。 无刷电机

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      ￥0.672315 ￥0.7077

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    N和P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTQ15C03 编号：C49384060
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低RDS(on)@VGS = 5V。5V逻辑电平控制。N + P双信道。PDFN3333封装。无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。无刷电机

    • 5+

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    P沟道 40V 13A
    型号：PTS40P13 编号：C49384240
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.151685 ￥1.2123

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    30V/120A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTD30N120 编号：C49384200
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥1.151685 ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.912285 ￥0.9603

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    P沟道 30V 16A
    型号：PTS30P16 编号：C49384241
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。 最高结温范围为150℃。应用：DC风扇。 无刷电机

    • 5+

      ￥1.209255 ￥1.2729

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      ￥0.957885 ￥1.0083

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    60V/12A双N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTS6012D 编号：C49384245
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.29675 ￥1.365

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      ￥1.027235 ￥1.0813

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    60V/80A N沟道MOSFET
    型号：PTD80N06 编号：C48782976
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：60V/80A，导通电阻RDS(ON)=6.3mΩ（VGS=10V时）。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.584695 ￥1.6681

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      ￥1.255235 ￥1.3213

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      ￥0.81244 ￥0.8552
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    85V/120A N沟道MOSFET
    型号：PTY12HG08 编号：C48782989
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：N-channel, normal level。 非常低的导通电阻RDS(on)。应用：工业电源。 升压转换器

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