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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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描述
价格(含税)
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操作
电压:20V 电流:1A
型号：B5817WS 编号：C179720
封装：SOD-323
品牌：HT(金誉)
数据手册

  • 20+

    ￥0.1731

  • 200+

    ￥0.138

  • 600+

    ￥0.1185

  • 3000+

    ￥0.1068

  • 9000+

    ￥0.0967

  • 21000+

    ￥0.0912
  • 订货
    • 我要订货
    MM1Z4V7
    型号：MM1Z4V7 编号：C777806
    封装：SOD-123
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1679

    • 500+

      ￥0.1642

    • 3000+

      ￥0.1541

    • 6000+

      ￥0.1516
  • 订货
    • 我要订货
    MM3Z2V7
    型号：MM3Z2V7 编号：C746261
    封装：SOD-323
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1934

    • 500+

      ￥0.1892

    • 3000+

      ￥0.1775

    • 6000+

      ￥0.1746
  • 订货
    • 我要订货
    MBR20200FCT
    型号：MBR20200FCT 编号：C746226
    封装：TO-220F-3
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1153

    • 10+

      ￥0.8835

    • 30+

      ￥0.7841

    • 100+

      ￥0.6518

    • 500+

      ￥0.5966

    • 1000+

      ￥0.5635
  • 订货
    • 我要订货
    MBR20100FCT
    型号：MBR20100FCT 编号：C746223
    封装：TO-220F-3
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.2608

    • 10+

      ￥0.9987

    • 30+

      ￥0.8864

    • 100+

      ￥0.715

    • 500+

      ￥0.6526

    • 1000+

      ￥0.6152
  • 订货
    • 我要订货
    MBR20150CT
    型号：MBR20150CT 编号：C746224
    封装：TO-220
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9396

    • 10+

      ￥1.5364

    • 30+

      ￥1.3636

    • 100+

      ￥1.1

    • 500+

      ￥1.004

    • 1000+

      ￥0.9464
  • 订货
    • 我要订货
    MBR10100CT
    型号：MBR10100CT 编号：C746217
    封装：TO-220
    品牌：HT(金誉)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.1821

    • 10+

      ￥1.7285

    • 30+

      ￥1.5341

    • 100+

      ￥1.2375

    • 500+

      ￥1.1295

    • 1000+

      ￥1.0647
  • 订货
    • 我要订货
    电压:100V 电流:15A
    型号：MBR30100CT 编号：C746227
    封装：TO-220
    品牌：HT(金誉)
    特性：共阴极结构。 低功耗，高效率。 高工作结温。 用于过压保护的保护环，高可靠性。 符合RoHS标准的产品。应用：高频开关电源。 续流二极管，极性保护应用
    数据手册

    • 1+

      ￥2.234

    • 10+

      ￥1.7696

    • 30+

      ￥1.5706

    • 100+

      ￥1.1848

    • 500+

      ￥1.0742

    • 1000+

      ￥1.0079
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    RS1M
    型号：RS1M 编号：C48782979
    封装：SMA
    品牌：HT(金誉)

    • 1+

      ￥0.0827

    • 200+

      ￥0.033

    • 500+

      ￥0.0319

    • 1000+

      ￥0.0314
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    BAS21S
    型号：BAS21S 编号：C48783007
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)

    • 1+

      ￥0.1592

    • 200+

      ￥0.0635

    • 500+

      ￥0.0614

    • 1000+

      ￥0.0604
  • 订货
    • 我要订货
    可编程精密参考源
    型号：TL431N-0.5% 编号：C259983
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    是三端可调并联稳压器，具有指定的热稳定性。输出电压可以通过两个外部电阻设置在 VREF（约 2.5V）和 36V 之间。该器件的典型输出阻抗为 0.2Ω。有源输出电路具有非常陡峭的导通特性，使其在许多应用中是齐纳二极管的理想替代品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.220495 ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.17176 ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.144685 ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.12844 ￥0.1352

    • 9000+

      ￥0.11438 ￥0.1204

    • 21000+

      ￥0.10678 ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 80A
    型号：PTN4080 编号：C49384077
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最大结温

    • 5+

      ￥1.059535 ￥1.1153

    • 50+

      ￥0.839325 ￥0.8835

    • 150+

      ￥0.744895 ￥0.7841

    • 500+

      ￥0.627095 ￥0.6601

    • 2500+

      ￥0.574655 ￥0.6049

    • 5000+

      ￥0.54321 ￥0.5718
  • 有货
    • 立即购买
    -30V/-30A P沟道先进功率MOSFET
    型号：PTN30P03 编号：C48782986
    封装：PDFN-8L(3x3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：-4.5V逻辑电平控制。PDFN333 SMD封装。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥1.17933 ￥1.2414

    • 50+

      ￥0.934135 ￥0.9833

    • 150+

      ￥0.82916 ￥0.8728

    • 500+

      ￥0.69806 ￥0.7348

    • 2500+

      ￥0.639635 ￥0.6733

    • 5000+

      ￥0.604675 ￥0.6365
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 120V 250A
    型号：PGT12N028H 编号：C49384078
    封装：TOLL-8L
    品牌：HT(金誉)
    特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。 电机控制和驱动

    • 1+

      ￥7.5525 ￥7.95

    • 10+

      ￥6.289 ￥6.62

    • 30+

      ￥5.5955 ￥5.89

    • 100+

      ￥4.807 ￥5.06

    • 500+

      ￥4.465 ￥4.7

    • 1500+

      ￥4.3035 ￥4.53
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.1A 电压:45V
    型号：BC847 编号：C24698138
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

    • 50+

      ￥0.076095 ￥0.0801

    • 500+

      ￥0.059755 ￥0.0629

    • 3000+

      ￥0.050635 ￥0.0533

    • 6000+

      ￥0.045125 ￥0.0475

    • 24000+

      ￥0.040375 ￥0.0425

    • 51000+

      ￥0.03781 ￥0.0398
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 80A
    型号：PTN3006 编号：C49384076
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。应用：负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.967385 ￥1.0183

    • 50+

      ￥0.766365 ￥0.8067

    • 150+

      ￥0.680105 ￥0.7159

    • 500+

      ￥0.572565 ￥0.6027

    • 2500+

      ￥0.524685 ￥0.5523

    • 5000+

      ￥0.495995 ￥0.5221
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 40A
    型号：PTQ40P40 编号：C49384057
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150°C。 100%雪崩测试。应用：电池和负载开关

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 50A
    型号：PGN04N070 编号：C49384065
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 超低导通电阻。应用：电池管理系统。 电机驱动器

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 120A
    型号：PTN40N120 编号：C49384070
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅环保器件。低导通电阻，以降低传导损耗。高雪崩电流。100%雪崩测试。应用：电源。DC-DC转换器

    • 5+

      ￥1.87264 ￥1.9712

    • 50+

      ￥1.48333 ￥1.5614

    • 150+

      ￥1.31651 ￥1.3858

    • 500+

      ￥1.108365 ￥1.1667

    • 2500+

      ￥1.015645 ￥1.0691

    • 5000+

      ￥0.96007 ￥1.0106
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 433A
    型号：PGT10N015H 编号：C49384080
    封装：TOLL-8L
    品牌：HT(金誉)
    特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：交流/直流快速充电器的同步整流。 电池管理

    • 1+

      ￥8.759 ￥9.22

    • 10+

      ￥7.296 ￥7.68

    • 30+

      ￥6.4885 ￥6.83

    • 100+

      ￥5.5765 ￥5.87

    • 500+

      ￥5.1775 ￥5.45

    • 1500+

      ￥4.997 ￥5.26
  • 有货
    • 立即购买
    20V/25A双N沟道功率MOSFET
    型号：PTQ2025D 编号：C49384053
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动

    • 5+

      ￥0.946675 ￥0.9965

    • 50+

      ￥0.74993 ￥0.7894

    • 150+

      ￥0.66557 ￥0.7006

    • 500+

      ￥0.56031 ￥0.5898

    • 2500+

      ￥0.513475 ￥0.5405

    • 5000+

      ￥0.485355 ￥0.5109
  • 有货
    • 立即购买
    -30V/-60A P沟道先进功率MOSFET
    型号：PTN60P03 编号：C49384074
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：高压设备的新技术。低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
  • 有货
    • 立即购买
    40V/60A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PGN04N060 编号：C42457643
    封装：PDFN5X6-8L
    品牌：HT(金誉)
    特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。 电机驱动器

    • 5+

      ￥1.22075 ￥1.285

    • 50+

      ￥0.967005 ￥1.0179

    • 150+

      ￥0.85823 ￥0.9034

    • 500+

      ￥0.72257 ￥0.7606

    • 2500+

      ￥0.66215 ￥0.697

    • 5000+

      ￥0.62586 ￥0.6588
  • 有货
    • 立即购买
    100V/110A N沟道功率MOSFET
    型号：PGN10N052 编号：C49384064
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动

    • 1+

      ￥2.6125 ￥2.75

    • 10+

      ￥2.071 ￥2.18

    • 30+

      ￥1.843 ￥1.94

    • 100+

      ￥1.5485 ￥1.63

    • 500+

      ￥1.4155 ￥1.49

    • 1000+

      ￥1.3395 ￥1.41
  • 有货
    • 立即购买
    85V/450A N沟道功率MOSFET
    型号：PGT08N012H 编号：C48783015
    封装：TOLL-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动

    • 1+

      ￥8.037 ￥8.46

    • 10+

      ￥6.688 ￥7.04

    • 30+

      ￥5.9565 ￥6.27

    • 100+

      ￥5.1205 ￥5.39

    • 500+

      ￥4.75 ￥5

    • 1500+

      ￥4.579 ￥4.82
  • 有货
    • 立即购买
    档位：300-400 NPN 100mA 45V
    型号：S9014 编号：C692862
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：300-400
    数据手册

    • 100+

      ￥0.045885 ￥0.0483

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    P沟道高级功率MOSFET
    型号：PTQ45P02 编号：C49384062
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.858325 ￥0.9035

    • 50+

      ￥0.683715 ￥0.7197

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      ￥0.452295 ￥0.4761
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    40V/50A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PGQ04N070 编号：C49384056
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 超低导通电阻。应用：电池管理系统。 电机驱动器

    • 5+

      ￥0.944395 ￥0.9941

    • 50+

      ￥0.748125 ￥0.7875

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      ￥0.55898 ￥0.5884

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      ￥0.51224 ￥0.5392

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      ￥0.484215 ￥0.5097
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    P沟道 40V 40A
    型号：PTN40P40 编号：C49384066
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：电池和负载开关

    • 5+

      ￥0.95817 ￥1.0086

    • 50+

      ￥0.75905 ￥0.799

    • 150+

      ￥0.673645 ￥0.7091

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      ￥0.56715 ￥0.597

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    N和P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTN25C03 编号：C48783010
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻RDS(on)，在栅源电压VGS = 5V时。 5V逻辑电平控制。 N+P双沟道。 PDFN5X6-8L封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。 无刷电机

    • 5+

      ￥0.99047 ￥1.0426

    • 50+

      ￥0.784605 ￥0.8259

    • 150+

      ￥0.69635 ￥0.733

    • 500+

      ￥0.586245 ￥0.6171

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