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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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双晶体管（NPN+NPN）
型号：MMDT4401 编号：C5188656
封装：SOT-363
品牌：HT(金誉)
特性：外延平面芯片结构，非常适合低功率放大和开关应用

  • 20+

    ￥0.18107 ￥0.1906

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    ￥0.141075 ￥0.1485

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    100V N沟道增强型MOSFET
    型号：BSS123 编号：C23661579
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：VDS = 100V，ID = 0.17A。 RDS(ON) < 10Ω，VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 6Ω，VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.19266 ￥0.2028

    • 200+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 600+

      ￥0.12806 ￥0.1348

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

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      ￥0.102125 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.095665 ￥0.1007
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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2301A 编号：C24218062
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.19266 ￥0.2028

    • 200+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 600+

      ￥0.12806 ￥0.1348

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.102125 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.095665 ￥0.1007
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    双N沟道MOSFET
    型号：2N7002KDW 编号：C5188646
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(on)）。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

    • 20+

      ￥0.20425 ￥0.215

    • 200+

      ￥0.159125 ￥0.1675

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    • 3000+

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    • 9000+

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    • 21000+

      ￥0.09899 ￥0.1042
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    晶体管（NPN）高压开关与放大
    型号：PXT5551 编号：C23334800
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 低电流（最大600mA）。 高电压（最大180V）

    • 20+

      ￥0.2128

    • 200+

      ￥0.1669

    • 1000+

      ￥0.1414
  • 有货
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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2305 编号：C23856992
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低侧负载开关。 电池开关

    • 20+

      ￥0.223535 ￥0.2353

    • 200+

      ￥0.17537 ￥0.1846

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    -60V/-0.13A P沟道先进功率MOSFET
    型号：BSS84 编号：C29496302
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：功率因数校正 (PFC)。 开关电源 (SMPS)

    • 20+

      ￥0.223535 ￥0.2353

    • 200+

      ￥0.17537 ￥0.1846

    • 600+

      ￥0.14858 ￥0.1564

    • 3000+

      ￥0.132525 ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.111055 ￥0.1169
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    60V/3A N沟道增强型功率MOSFET
    型号：PT2308 编号：C25306259
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 20+

      ￥0.224105 ￥0.2359

    • 200+

      ￥0.178505 ￥0.1879

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    • 21000+

      ￥0.118085 ￥0.1243
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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：JEU005SP4 编号：C48782963
    封装：DFN2510-10L
    品牌：HT(金誉)
    特性：每条线路65瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流

    • 20+

      ￥0.22591 ￥0.2378

    • 200+

      ￥0.177175 ￥0.1865

    • 600+

      ￥0.1501 ￥0.158

    • 3000+

      ￥0.133855 ￥0.1409

    • 9000+

      ￥0.119795 ￥0.1261

    • 21000+

      ￥0.112195 ￥0.1181
  • 有货
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    N沟道 30V 5.8A
    型号：PT3404 编号：C28948785
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
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    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT3402 编号：C23129707
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT2310 编号：C24555180
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT3415 编号：C25306266
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关

    • 10+

      ￥0.280155 ￥0.2949

    • 100+

      ￥0.223155 ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.194655 ￥0.2049

    • 3000+

      ￥0.17328 ￥0.1824

    • 6000+

      ￥0.15618 ￥0.1644

    • 9000+

      ￥0.14763 ￥0.1554
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 15V 7A
    型号：PTL16P07C 编号：C49384230
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.280155 ￥0.2949

    • 100+

      ￥0.223155 ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.194655 ￥0.2049

    • 3000+

      ￥0.17328 ￥0.1824

    • 6000+

      ￥0.15618 ￥0.1644

    • 9000+

      ￥0.14763 ￥0.1554
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT3407 编号：C23029870
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.1951
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 20V 3A
    型号：PTL04C02 编号：C49384227
    封装：SOT-23-6
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.30932 ￥0.3256

    • 100+

      ￥0.24643 ￥0.2594

    • 300+

      ￥0.21489 ￥0.2262

    • 3000+

      ￥0.19133 ￥0.2014

    • 6000+

      ￥0.172425 ￥0.1815

    • 9000+

      ￥0.16302 ￥0.1716
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 20V 7A
    型号：PTL20P07B 编号：C49384229
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.336205 ￥0.3539

    • 100+

      ￥0.267805 ￥0.2819

    • 300+

      ￥0.233605 ￥0.2459

    • 3000+

      ￥0.207955 ￥0.2189

    • 6000+

      ￥0.187435 ￥0.1973

    • 9000+

      ￥0.177175 ￥0.1865
  • 有货
    • 立即购买
    100V/2.6A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTL03N10 编号：C32989179
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。

    • 10+

      ￥0.35834 ￥0.3772

    • 100+

      ￥0.283955 ￥0.2989

    • 300+

      ￥0.24681 ￥0.2598

    • 3000+

      ￥0.218975 ￥0.2305

    • 6000+

      ￥0.19665 ￥0.207

    • 9000+

      ￥0.185535 ￥0.1953
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 5.3A
    型号：PT40P05 编号：C49384253
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTL4105 编号：C49384233
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。适用于负载开关和电池保护应用。

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    20V/8A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTL2208 编号：C48783000
    封装：SOT-23-3
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    20V/6A N沟道增强型MOSFET
    型号：PT3416 编号：C48783013
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 ESD 等级：2000V HBM。应用：低开关。 PWM 应用

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

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      ￥0.24263 ￥0.2554

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      ￥0.21869 ￥0.2302

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      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 30V 4.2A
    型号：PTL04C03 编号：C49384228
    封装：SOT-23-6
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.421325 ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.335635 ￥0.3533

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      ￥0.29279 ￥0.3082

    • 3000+

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    N沟道 30V 10A
    型号：PTM3010 编号：C49384086
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：电池保护。负载开关

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    -30V/-7A P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTL3107 编号：C48782944
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：Trench Power LV MOSFET技术。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 高速开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.44821 ￥0.4718

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      ￥0.35701 ￥0.3758

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    N沟道 30V 8A
    型号：PTL3008 编号：C49384231
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.44821 ￥0.4718

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    60V/5A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTL6205 编号：C49384232
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻。 低栅极电荷。 无铅产品。应用：低开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.4718

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    N沟道 30V 25A
    型号：PTD3020 编号：C49384203
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.50426 ￥0.5308

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      ￥0.265715 ￥0.2797
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    30V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3080B 编号：C48782955
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.533425 ￥0.5615

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      ￥0.424935 ￥0.4473

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      ￥0.370595 ￥0.3901

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      ￥0.281105 ￥0.2959
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    30V/50A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTD3004 编号：C48782982
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。 TO-252贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.56031 ￥0.5898

    • 50+

      ￥0.44631 ￥0.4698

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