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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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双晶体管(PNP+PNP)
型号：MMDT3906 编号：C5188672
封装：SOT-363
品牌：HT(金誉)
特性：外延平面管芯结构。 适用于低功率放大和开关

  • 20+

    ￥0.06536 ￥0.0688

  • 200+

    ￥0.06384 ￥0.0672

  • 600+

    ￥0.06289 ￥0.0662

  • 3000+

    ￥0.061845 ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMDT3904 编号：C5188671
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关

    • 20+

      ￥0.06536 ￥0.0688

    • 200+

      ￥0.06384 ￥0.0672

    • 600+

      ￥0.06289 ￥0.0662

    • 3000+

      ￥0.061845 ￥0.0651
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2301B 编号：C23491918
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.06973 ￥0.0734

    • 200+

      ￥0.06821 ￥0.0718

    • 600+

      ￥0.067165 ￥0.0707

    • 3000+

      ￥0.066215 ￥0.0697
  • 有货
    • 立即购买
    双晶体管（PNP+PNP）
    型号：BC856S 编号：C5188659
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：两个晶体管封装在一起。减少组件数量和电路板空间。晶体管之间无相互干扰

    • 20+

      ￥0.077235 ￥0.0813

    • 200+

      ￥0.07543 ￥0.0794

    • 600+

      ￥0.07429 ￥0.0782

    • 3000+

      ￥0.073055 ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    双晶体管（NPN+NPN）
    型号：BC847S 编号：C5188665
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    应用：通用放大器应用

    • 20+

      ￥0.077235 ￥0.0813

    • 200+

      ￥0.07543 ￥0.0794

    • 600+

      ￥0.07429 ￥0.0782

    • 3000+

      ￥0.073055 ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT412B 编号：C48782886
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。

    • 20+

      ￥0.07847 ￥0.0826

    • 200+

      ￥0.07676 ￥0.0808

    • 600+

      ￥0.07562 ￥0.0796

    • 3000+

      ￥0.07448 ￥0.0784
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2101C 编号：C49384082
    封装：SOT-323
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.07847 ￥0.0826

    • 200+

      ￥0.07676 ￥0.0808

    • 600+

      ￥0.07562 ￥0.0796

    • 3000+

      ￥0.07448 ￥0.0784
  • 有货
    • 立即购买
    200-320 NPN 700mA 25V
    型号：2SD596 编号：C259987
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高直流电流增益。 与2SB624互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.098515 ￥0.1037

    • 500+

      ￥0.07695 ￥0.081

    • 3000+

      ￥0.06498 ￥0.0684

    • 6000+

      ￥0.057855 ￥0.0609

    • 24000+

      ￥0.051585 ￥0.0543

    • 51000+

      ￥0.04826 ￥0.0508
  • 有货
    • 立即购买
    双晶体管（NPN+PNP），SOT-363封装
    型号：BC847PN 编号：C5188663
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延芯片结构，一个封装内有两个独立的 NPN/PNP 晶体管。 标识：7P

    • 20+

      ￥0.162545 ￥0.1711

    • 200+

      ￥0.126635 ￥0.1333

    • 600+

      ￥0.106685 ￥0.1123

    • 3000+

      ￥0.094715 ￥0.0997

    • 9000+

      ￥0.084265 ￥0.0887

    • 21000+

      ￥0.078755 ￥0.0829
  • 有货
    • 立即购买
    三极管
    型号：HT3880 编号：C49384255
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高电流增益带宽积。 功耗：(PC = 200mW)

    • 20+

      ￥0.17841 ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.139935 ￥0.1473

    • 600+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 3000+

      ￥0.105735 ￥0.1113

    • 9000+

      ￥0.09462 ￥0.0996

    • 21000+

      ￥0.088635 ￥0.0933
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：JEU005SS5 编号：C48782952
    封装：SOT-23-6L
    品牌：HT(金誉)
    特性：每条线100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流

    • 20+

      ￥0.17841 ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.139935 ￥0.1473

    • 600+

      ￥0.11856 ￥0.1248

    • 3000+

      ￥0.105735 ￥0.1113

    • 9000+

      ￥0.09462 ￥0.0996

    • 21000+

      ￥0.088635 ￥0.0933
  • 有货
    • 立即购买
    双晶体管（NPN+NPN）
    型号：MMDT4401 编号：C5188656
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延平面芯片结构，非常适合低功率放大和开关应用

    • 20+

      ￥0.18107 ￥0.1906

    • 200+

      ￥0.141075 ￥0.1485

    • 600+

      ￥0.118845 ￥0.1251

    • 3000+

      ￥0.10545 ￥0.111

    • 9000+

      ￥0.093955 ￥0.0989

    • 21000+

      ￥0.087685 ￥0.0923
  • 有货
    • 立即购买
    100V N沟道增强型MOSFET
    型号：BSS123 编号：C23661579
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：VDS = 100V，ID = 0.17A。 RDS(ON) < 10Ω，VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 6Ω，VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.19266 ￥0.2028

    • 200+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 600+

      ￥0.12806 ￥0.1348

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.102125 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.095665 ￥0.1007
  • 有货
    • 立即购买
    -15V/-10A P沟道高级功率MOSFET
    型号：PTM15P10C6 编号：C49384085
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.28462 ￥0.2996

    • 100+

      ￥0.226765 ￥0.2387

    • 300+

      ￥0.19779 ￥0.2082

    • 3000+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 6000+

      ￥0.158745 ￥0.1671

    • 9000+

      ￥0.150005 ￥0.1579
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 5.3A
    型号：PT40P05 编号：C49384253
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTL4105 编号：C49384233
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)。适用于负载开关和电池保护应用。

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    20V/6A N沟道增强型MOSFET
    型号：PT3416 编号：C48783013
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 ESD 等级：2000V HBM。应用：低开关。 PWM 应用

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PTL2106 编号：C48782985
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。电池开关

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 10A
    型号：PTM3010 编号：C49384086
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：电池保护。负载开关

    • 10+

      ￥0.403465 ￥0.4247

    • 100+

      ￥0.321385 ￥0.3383

    • 300+

      ￥0.280345 ￥0.2951

    • 3000+

      ￥0.249565 ￥0.2627

    • 6000+

      ￥0.224865 ￥0.2367

    • 9000+

      ￥0.21261 ￥0.2238
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 100V 3A
    型号：PTL03N10A 编号：C49384234
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。

    • 10+

      ￥0.421325 ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.335635 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.29279 ￥0.3082

    • 3000+

      ￥0.260585 ￥0.2743

    • 6000+

      ￥0.234935 ￥0.2473

    • 9000+

      ￥0.222015 ￥0.2337
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道+P沟道 30V 4.2A
    型号：PTL04C03 编号：C49384228
    封装：SOT-23-6
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻

    • 10+

      ￥0.421325 ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.335635 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.29279 ￥0.3082

    • 3000+

      ￥0.260585 ￥0.2743

    • 6000+

      ￥0.234935 ￥0.2473

    • 9000+

      ￥0.222015 ￥0.2337
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 30V 8A
    型号：PTL3008 编号：C49384231
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.44821 ￥0.4718

    • 100+

      ￥0.35701 ￥0.3758

    • 300+

      ￥0.31141 ￥0.3278

    • 3000+

      ￥0.27721 ￥0.2918

    • 6000+

      ￥0.24985 ￥0.263

    • 9000+

      ￥0.23617 ￥0.2486
  • 有货
    • 立即购买
    -30V/-7A P沟道增强型功率MOSFET
    型号：PTL3107 编号：C48782944
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：Trench Power LV MOSFET技术。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 高速开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 10+

      ￥0.44821 ￥0.4718

    • 100+

      ￥0.35701 ￥0.3758

    • 300+

      ￥0.31141 ￥0.3278

    • 3000+

      ￥0.27721 ￥0.2918

    • 6000+

      ￥0.24985 ￥0.263

    • 9000+

      ￥0.23617 ￥0.2486
  • 有货
    • 立即购买
    30V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3080B 编号：C48782955
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.533425 ￥0.5615

    • 50+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 150+

      ￥0.370595 ￥0.3901

    • 500+

      ￥0.329935 ￥0.3473

    • 2500+

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    P沟道高级功率MOSFET
    型号：PTM12P16 编号：C48782882
    封装：DFN2X2-6L
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.596125 ￥0.6275

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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PTD90N02 编号：C49384209
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

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    30V/90A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3090 编号：C48782943
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最高结温。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

    • 50+

      ￥0.55879 ￥0.5882

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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PTD60N02 编号：C48783005
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

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      ￥0.55879 ￥0.5882

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    100V/15A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD15N10G 编号：C48782968
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：N-Channel, 5V Logic Level Control。增强模式。极低导通电阻 @ VGS = 4.5V。快速开关。100% 雪崩测试

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

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      ￥0.55879 ￥0.5882

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    30V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3080A 编号：C48783004
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150℃。100%雪崩测试。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥0.728365 ￥0.7667

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      ￥0.580165 ￥0.6107

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