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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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描述
价格(含税)
库存
操作
档位：100-200 200mA 400V
型号：MMBTA94 编号：C692860
封装：SOT-23
品牌：HT(金誉)
档位：100-200
数据手册

  • 10+

    ￥0.245765 ￥0.2587

  • 100+

    ￥0.195605 ￥0.2059

  • 300+

    ￥0.170525 ￥0.1795

  • 3000+

    ￥0.145445 ￥0.1531

  • 6000+

    ￥0.13034 ￥0.1372

  • 9000+

    ￥0.122835 ￥0.1293
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:32V
    型号：2SB1132 编号：C28928392
    封装：SOT-89
    品牌：HT(金誉)
    特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：-0.2V（典型值，Ic / Ib = -500mA / -50mA）。 与2SD1664互补

    • 10+

      ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.203

    • 300+

      ￥0.1771
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 30V 4.2A
    型号：PT3401 编号：C25773829
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.26676 ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.212515 ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.185345 ￥0.1951

    • 3000+

      ￥0.165015 ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.148675 ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1406 ￥0.148
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PTL2106 编号：C48782985
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。电池开关

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT9926 编号：C48782953
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用

    • 10+

      ￥0.421325 ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.335635 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.29279 ￥0.3082

    • 3000+

      ￥0.260585 ￥0.2743

    • 6000+

      ￥0.234935 ￥0.2473

    • 9000+

      ￥0.222015 ￥0.2337
  • 有货
    • 立即购买
    三极管
    型号：D882M 编号：C49384212
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散

    • 5+

      ￥0.49305 ￥0.519

    • 50+

      ￥0.39273 ￥0.4134

    • 150+

      ￥0.34257 ￥0.3606

    • 500+

      ￥0.30495 ￥0.321

    • 2500+

      ￥0.274835 ￥0.2893

    • 5000+

      ￥0.259825 ￥0.2735
  • 有货
    • 立即购买
    100V/3A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTH03N10 编号：C48783012
    封装：SOT-223
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善了dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围 (150℃)。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.50426 ￥0.5308

    • 50+

      ￥0.40166 ￥0.4228

    • 150+

      ￥0.35036 ￥0.3688

    • 500+

      ￥0.311885 ￥0.3283

    • 2500+

      ￥0.281105 ￥0.2959

    • 4000+

      ￥0.265715 ￥0.2797
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道高级功率MOSFET
    型号：PTM12P16 编号：C48782882
    封装：DFN2X2-6L
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.596125 ￥0.6275

    • 50+

      ￥0.474905 ￥0.4999

    • 150+

      ￥0.4142 ￥0.436

    • 500+

      ￥0.368695 ￥0.3881

    • 3000+

      ￥0.33231 ￥0.3498

    • 6000+

      ￥0.314165 ￥0.3307
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 20V 12A
    型号：PTS2012 编号：C49384242
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以尽量减少传导损耗。 SOP8封装。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.61636 ￥0.6488

    • 50+

      ￥0.49096 ￥0.5168

    • 150+

      ￥0.42826 ￥0.4508

    • 500+

      ￥0.381235 ￥0.4013

    • 3000+

      ￥0.343615 ￥0.3617

    • 6000+

      ￥0.324805 ￥0.3419
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PTD90N02 编号：C49384209
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

    • 50+

      ￥0.55879 ￥0.5882

    • 150+

      ￥0.487445 ￥0.5131

    • 500+

      ￥0.433865 ￥0.4567

    • 2500+

      ￥0.39102 ￥0.4116

    • 5000+

      ￥0.369645 ￥0.3891
  • 有货
    • 立即购买
    30V/90A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3090 编号：C48782943
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最高结温。应用：负载开关。 PWM应用

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

    • 50+

      ￥0.55879 ￥0.5882

    • 150+

      ￥0.487445 ￥0.5131

    • 500+

      ￥0.433865 ￥0.4567

    • 2500+

      ￥0.39102 ￥0.4116

    • 5000+

      ￥0.369645 ￥0.3891
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PTD60N02 编号：C48783005
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 5+

      ￥0.70148 ￥0.7384

    • 50+

      ￥0.55879 ￥0.5882

    • 150+

      ￥0.487445 ￥0.5131

    • 500+

      ￥0.433865 ￥0.4567

    • 2500+

      ￥0.39102 ￥0.4116

    • 5000+

      ￥0.369645 ￥0.3891
  • 有货
    • 立即购买
    30V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3080A 编号：C48783004
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150℃。100%雪崩测试。应用：高端负载开关。电池开关

    • 5+

      ￥0.728365 ￥0.7667

    • 50+

      ￥0.580165 ￥0.6107

    • 150+

      ￥0.506065 ￥0.5327

    • 500+

      ￥0.45049 ￥0.4742

    • 2500+

      ￥0.40603 ￥0.4274

    • 5000+

      ￥0.3838 ￥0.404
  • 有货
    • 立即购买
    60V/50A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD50N06 编号：C48782987
    封装：TO-252-2L
    品牌：HT(金誉)
    采用沟槽工艺技术，实现极低导通电阻。该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及提高了重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为电机应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。

    • 5+

      ￥0.784415 ￥0.8257

    • 50+

      ￥0.624815 ￥0.6577

    • 150+

      ￥0.545015 ￥0.5737

    • 500+

      ￥0.485165 ￥0.5107

    • 2500+

      ￥0.437285 ￥0.4603

    • 5000+

      ￥0.413345 ￥0.4351
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 20A
    型号：PTD40P20 编号：C49384096
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 电源管理

    • 5+

      ￥0.840465 ￥0.8847

    • 50+

      ￥0.669465 ￥0.7047

    • 150+

      ￥0.583965 ￥0.6147

    • 500+

      ￥0.51984 ￥0.5472

    • 2500+

      ￥0.46854 ￥0.4932

    • 5000+

      ￥0.44289 ￥0.4662
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 50A
    型号：PTD4050 编号：C49384098
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。100%雪崩测试。应用：负载开关。开关模式电源(SMPS)

    • 5+

      ￥0.840465 ￥0.8847

    • 50+

      ￥0.669465 ￥0.7047

    • 150+

      ￥0.583965 ￥0.6147

    • 500+

      ￥0.51984 ￥0.5472

    • 2500+

      ￥0.46854 ￥0.4932

    • 5000+

      ￥0.44289 ￥0.4662
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 40A
    型号：PTD40P40 编号：C49384208
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。

    • 5+

      ￥1.209255 ￥1.2729

    • 50+

      ￥0.957885 ￥1.0083

    • 150+

      ￥0.850155 ￥0.8949

    • 500+

      ￥0.71573 ￥0.7534

    • 2500+

      ￥0.65588 ￥0.6904

    • 5000+

      ￥0.61997 ￥0.6526
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 60V 10A
    型号：PGS06P270 编号：C49384239
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150℃。应用：PWM应用。负载开关

    • 5+

      ￥1.72748 ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.36838 ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.21448 ￥1.2784

    • 500+

      ￥1.022485 ￥1.0763

    • 3000+

      ￥0.936985 ￥0.9863

    • 6000+

      ￥0.885685 ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    三极管
    型号：2SC1815 编号：C746211
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0701

    • 500+

      ￥0.055

    • 3000+

      ￥0.0449

    • 6000+

      ￥0.0399

    • 24000+

      ￥0.0355

    • 51000+

      ￥0.0332
  • 订货
    • 我要订货
    200-400 NPN 150mA 50V
    型号：2SC1815 编号：C239021
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.0467

    • 24000+

      ￥0.0413

    • 51000+

      ￥0.0383
  • 订货
    • 我要订货
    200-400 150mA 50V
    型号：2SA1015 编号：C239022
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高电压和高电流。 出色的hFE线性度。 低噪声。 与2SC1815互补

    • 50+

      ￥0.0877

    • 500+

      ￥0.0688

    • 3000+

      ￥0.053

    • 6000+

      ￥0.0467

    • 24000+

      ￥0.0413

    • 51000+

      ￥0.0383
  • 订货
    • 我要订货
    档位：250-600 NPN 500mA 45V
    型号：BC817-40 编号：C692847
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：250-600
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0902

    • 500+

      ￥0.0707

    • 3000+

      ￥0.0578

    • 6000+

      ￥0.0513

    • 24000+

      ￥0.0457

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 订货
    • 我要订货
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C746284
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高集电极电流。 与SS8550互补
    数据手册

    • 100+

      ￥0.145988

    • 600+

      ￥0.103382

    • 1200+

      ￥0.09097
    我要订货
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMDT3904 编号：C5188671
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关

    • 20+

      ￥0.12768 ￥0.1344

    • 200+

      ￥0.099465 ￥0.1047

    • 600+

      ￥0.08379 ￥0.0882

    • 3000+

      ￥0.074385 ￥0.0783

    • 9000+

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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2301B 编号：C23491918
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.13319 ￥0.1402

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      ￥0.1045 ￥0.11

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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2101C 编号：C49384082
    封装：SOT-323
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.149815 ￥0.1577

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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2305C 编号：C48782883
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.16416 ￥0.1728

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    三极管
    型号：HT3880 编号：C49384255
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：高电流增益带宽积。 功耗：(PC = 200mW)

    • 20+

      ￥0.17841 ￥0.1878

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    TVS 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：JEU005SS5 编号：C48782952
    封装：SOT-23-6L
    品牌：HT(金誉)
    特性：每条线100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流

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      ￥0.17841 ￥0.1878

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    N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
    型号：PT2302A 编号：C24252543
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关

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