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首页 > 热门关键词 > 金誉二极管
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N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
型号：PT2302A 编号：C24252543
封装：SOT-23
品牌：HT(金誉)
特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关

  • 20+

    ￥0.17841 ￥0.1878

  • 200+

    ￥0.139935 ￥0.1473

  • 600+

    ￥0.11856 ￥0.1248

  • 3000+

    ￥0.105735 ￥0.1113

  • 9000+

    ￥0.09462 ￥0.0996

  • 21000+

    ￥0.088635 ￥0.0933
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    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2301A 编号：C24218062
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关

    • 20+

      ￥0.19266 ￥0.2028

    • 200+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 600+

      ￥0.12806 ￥0.1348

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.102125 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.095665 ￥0.1007
  • 有货
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    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT3402 编号：C23129707
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作

    • 10+

      ￥0.25327 ￥0.2666

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.176035 ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.156655 ￥0.1649

    • 6000+

      ￥0.14117 ￥0.1486

    • 9000+

      ￥0.133475 ￥0.1405
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道增强型MOSFET
    型号：PT3407 编号：C23029870
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.26676 ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.212515 ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.185345 ￥0.1951

    • 3000+

      ￥0.165015 ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.148675 ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1406 ￥0.148
  • 有货
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    -60V/-2A P沟道先进功率MOSFET
    型号：PT60P02 编号：C48782996
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。应用：低开关。 DC/DC转换器

    • 10+

      ￥0.26676 ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.212515 ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.185345 ￥0.1951

    • 3000+

      ￥0.165015 ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.148675 ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1406 ￥0.148
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    P沟道 30V 4.2A
    型号：PT3401 编号：C25773829
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 10+

      ￥0.26676 ￥0.2808

    • 100+

      ￥0.212515 ￥0.2237

    • 300+

      ￥0.185345 ￥0.1951

    • 3000+

      ￥0.165015 ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.148675 ￥0.1565

    • 9000+

      ￥0.1406 ￥0.148
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    三极管
    型号：D965 编号：C746215
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：音频放大器。 相机闪光灯单元。 开关电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3838 ￥0.404

    • 100+

      ￥0.30628 ￥0.3224

    • 300+

      ￥0.26752 ￥0.2816

    • 3000+

      ￥0.22876 ￥0.2408

    • 6000+

      ￥0.205485 ￥0.2163

    • 9000+

      ￥0.1938 ￥0.204
  • 有货
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    20V/8A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTL2208 编号：C48783000
    封装：SOT-23-3
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.392255 ￥0.4129

    • 100+

      ￥0.312455 ￥0.3289

    • 300+

      ￥0.272555 ￥0.2869

    • 3000+

      ￥0.24263 ￥0.2554

    • 6000+

      ￥0.21869 ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.20672 ￥0.2176
  • 有货
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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：PT9926 编号：C48782953
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用

    • 10+

      ￥0.421325 ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.335635 ￥0.3533

    • 300+

      ￥0.29279 ￥0.3082

    • 3000+

      ￥0.260585 ￥0.2743

    • 6000+

      ￥0.234935 ￥0.2473

    • 9000+

      ￥0.222015 ￥0.2337
  • 有货
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    60V/5A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTL6205 编号：C49384232
    封装：SOT-23-3L
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻。 低栅极电荷。 无铅产品。应用：低开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.44821 ￥0.4718

    • 100+

      ￥0.35701 ￥0.3758

    • 300+

      ￥0.31141 ￥0.3278

    • 3000+

      ￥0.27721 ￥0.2918

    • 6000+

      ￥0.24985 ￥0.263

    • 9000+

      ￥0.23617 ￥0.2486
  • 有货
    • 立即购买
    三极管
    型号：D882M 编号：C49384212
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：功率耗散

    • 5+

      ￥0.49305 ￥0.519

    • 50+

      ￥0.39273 ￥0.4134

    • 150+

      ￥0.34257 ￥0.3606

    • 500+

      ￥0.30495 ￥0.321

    • 2500+

      ￥0.274835 ￥0.2893

    • 5000+

      ￥0.259825 ￥0.2735
  • 有货
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    100V/3A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTH03N10 编号：C48783012
    封装：SOT-223
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善了dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围 (150℃)。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.50426 ￥0.5308

    • 50+

      ￥0.40166 ￥0.4228

    • 150+

      ￥0.35036 ￥0.3688

    • 500+

      ￥0.311885 ￥0.3283

    • 2500+

      ￥0.281105 ￥0.2959

    • 4000+

      ￥0.265715 ￥0.2797
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 20V 4A
    型号：PTM20P04D 编号：C48782983
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150℃。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥0.51547 ￥0.5426

    • 50+

      ￥0.41059 ￥0.4322

    • 150+

      ￥0.35815 ￥0.377

    • 500+

      ￥0.31882 ￥0.3356

    • 3000+

      ￥0.287375 ￥0.3025

    • 6000+

      ￥0.271605 ￥0.2859
  • 有货
    • 立即购买
    30V/50A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTD3004 编号：C48782982
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。 TO-252贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.56031 ￥0.5898

    • 50+

      ￥0.44631 ￥0.4698

    • 150+

      ￥0.38931 ￥0.4098

    • 500+

      ￥0.34656 ￥0.3648

    • 2500+

      ￥0.31236 ￥0.3288

    • 5000+

      ￥0.29526 ￥0.3108
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 20V 12A
    型号：PTS2012 编号：C49384242
    封装：SOP-8
    品牌：HT(金誉)
    特性：提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以尽量减少传导损耗。 SOP8封装。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥0.61636 ￥0.6488

    • 50+

      ￥0.49096 ￥0.5168

    • 150+

      ￥0.42826 ￥0.4508

    • 500+

      ￥0.381235 ￥0.4013

    • 3000+

      ￥0.343615 ￥0.3617

    • 6000+

      ￥0.324805 ￥0.3419
  • 有货
    • 立即购买
    20V/60A N沟道高级功率MOSFET
    型号：PTD60N02A 编号：C48782890
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）

    • 5+

      ￥0.61636 ￥0.6488

    • 50+

      ￥0.49096 ￥0.5168

    • 150+

      ￥0.42826 ￥0.4508

    • 500+

      ￥0.381235 ￥0.4013

    • 2500+

      ￥0.343615 ￥0.3617

    • 5000+

      ￥0.324805 ￥0.3419
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 20V 60A
    型号：PTD60N02B 编号：C49384207
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：功率因数校正（PFC）。 开关模式电源（SMPS）

    • 5+

      ￥0.64543 ￥0.6794

    • 50+

      ￥0.51414 ￥0.5412

    • 150+

      ￥0.448495 ￥0.4721

    • 500+

      ￥0.39919 ￥0.4202

    • 2500+

      ￥0.35986 ￥0.3788

    • 5000+

      ￥0.3401 ￥0.358
  • 有货
    • 立即购买
    30V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD3080 编号：C48782885
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）

    • 5+

      ￥0.64543 ￥0.6794

    • 50+

      ￥0.51414 ￥0.5412

    • 150+

      ￥0.448495 ￥0.4721

    • 500+

      ￥0.39919 ￥0.4202

    • 2500+

      ￥0.35986 ￥0.3788

    • 5000+

      ￥0.3401 ￥0.358
  • 有货
    • 立即购买
    60V/20A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD20N06 编号：C48782975
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许在最高结温下进行重复雪崩。 无铅，符合RoHS标准。 VDS = 60V，ID = 20A。 RDS(ON) < 30mΩ（VGS = 10V时）。 RDS(ON) < 40mΩ（VGS = 4.5V时）

    • 5+

      ￥0.672315 ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.535515 ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.467115 ￥0.4917

    • 500+

      ￥0.415815 ￥0.4377

    • 2500+

      ￥0.374775 ￥0.3945

    • 5000+

      ￥0.354255 ￥0.3729
  • 有货
    • 立即购买
    100V/15A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD15N10 编号：C48783014
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：N沟道，5V逻辑电平控制。 增强模式。 极低导通电阻，VDS = 4.5V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.784415 ￥0.8257

    • 50+

      ￥0.624815 ￥0.6577

    • 150+

      ￥0.545015 ￥0.5737

    • 500+

      ￥0.485165 ￥0.5107

    • 2500+

      ￥0.437285 ￥0.4603

    • 5000+

      ￥0.413345 ￥0.4351
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 40V 20A
    型号：PTD40P20 编号：C49384096
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 电源管理

    • 5+

      ￥0.840465 ￥0.8847

    • 50+

      ￥0.669465 ￥0.7047

    • 150+

      ￥0.583965 ￥0.6147

    • 500+

      ￥0.51984 ￥0.5472

    • 2500+

      ￥0.46854 ￥0.4932

    • 5000+

      ￥0.44289 ￥0.4662
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 40V 50A
    型号：PTD4050 编号：C49384098
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。100%雪崩测试。应用：负载开关。开关模式电源(SMPS)

    • 5+

      ￥0.840465 ￥0.8847

    • 50+

      ￥0.669465 ￥0.7047

    • 150+

      ￥0.583965 ￥0.6147

    • 500+

      ￥0.51984 ￥0.5472

    • 2500+

      ￥0.46854 ￥0.4932

    • 5000+

      ￥0.44289 ￥0.4662
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    40V/80A N沟道先进功率MOSFET
    型号：PTD4080 编号：C49384217
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最大结温

    • 5+

      ￥1.0089 ￥1.062

    • 50+

      ￥0.79914 ￥0.8412

    • 150+

      ￥0.70927 ￥0.7466

    • 500+

      ￥0.59717 ￥0.6286

    • 2500+

      ￥0.5472 ￥0.576

    • 5000+

      ￥0.517275 ￥0.5445
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    P沟道 30V 40A
    型号：PTD40P03 编号：C49384206
    封装：TO-252
    品牌：HT(金誉)
    特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最高结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.036545 ￥1.0911

    • 50+

      ￥0.821085 ￥0.8643

    • 150+

      ￥0.728745 ￥0.7671

    • 500+

      ￥0.61351 ￥0.6458

    • 2500+

      ￥0.56221 ￥0.5918

    • 5000+

      ￥0.53143 ￥0.5594
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    N沟道 100V 202A
    型号：PGY10N037 编号：C49384088
    封装：TO-263
    品牌：HT(金誉)
    特性：快速开关。 低RDS(on)和FOM。 低栅极电荷。应用：高频开关。 同步整流

    • 1+

      ￥5.4815 ￥5.77

    • 10+

      ￥4.446 ￥4.68

    • 30+

      ￥3.933 ￥4.14

    • 100+

      ￥3.42 ￥3.6

    • 500+

      ￥3.116 ￥3.28

    • 800+

      ￥2.9545 ￥3.11
  • 有货
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    -15V P沟道增强型MOSFET
    型号：PT2301C 编号：C48782887
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。

    • 50+

      ￥0.059755 ￥0.0629

    • 500+

      ￥0.05852 ￥0.0616

    • 3000+

      ￥0.05757 ￥0.0606

    • 6000+

      ￥0.056715 ￥0.0597
  • 有货
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    N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：PT2302B 编号：C27301713
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关

    • 50+

      ￥0.06232 ￥0.0656

    • 500+

      ￥0.060895 ￥0.0641

    • 3000+

      ￥0.06004 ￥0.0632

    • 6000+

      ￥0.05909 ￥0.0622
  • 有货
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    档位：400-600 PNP 100mA 50V
    型号：2SA812 编号：C692830
    封装：SOT-23
    品牌：HT(金誉)
    档位：400-600
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06422 ￥0.0676

    • 500+

      ￥0.050445 ￥0.0531

    • 3000+

      ￥0.041135 ￥0.0433

    • 6000+

      ￥0.036575 ￥0.0385

    • 24000+

      ￥0.032585 ￥0.0343

    • 51000+

      ￥0.0304 ￥0.032
  • 有货
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    双晶体管(PNP+PNP)
    型号：MMDT3906 编号：C5188672
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于低功率放大和开关

    • 20+

      ￥0.06536 ￥0.0688

    • 200+

      ￥0.06384 ￥0.0672

    • 600+

      ￥0.06289 ￥0.0662

    • 3000+

      ￥0.061845 ￥0.0651
  • 有货
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    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMDT3904 编号：C5188671
    封装：SOT-363
    品牌：HT(金誉)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关

    • 20+

      ￥0.06536 ￥0.0688

    • 200+

      ￥0.06384 ￥0.0672

    • 600+

      ￥0.06289 ￥0.0662

    • 3000+

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