美台二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SMB5948B-13 编号：C5205185

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.229
50+
￥0.9712
150+
￥0.8607

有货

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型号：SBR3A40SAQ-13 编号：C780900

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：低泄漏电流。专利超势垒整流器技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，绿色器件。应用：开关电源（SMPS）。交流-直流（AC-DC）

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5+
￥1.326
50+
￥1.0695
150+
￥0.9595

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型号：KBP04G 编号：C526653

封装：KBP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：40A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。无铅表面处理，符合RoHS标准

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1+
￥1.3407 ￥3.27
10+
￥0.806 ￥2.6
35+
￥0.4872 ￥2.32
105+
￥0.4116 ￥1.96
350+
￥0.378 ￥1.8
1050+
￥0.3591 ￥1.71

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型号：SDMP0340LAT-7-F 编号：C5244999

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

5+
￥1.3965
50+
￥1.1273
150+
￥1.012
500+
￥0.8681

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型号：BAT760Q-7 编号：C5205182

封装：SC-76

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。无铅设计/符合RoHS标准

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5+
￥1.494
50+
￥1.1889
150+
￥1.0581

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型号：ES2A-13-F 编号：C5245050

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

5+
￥1.5793
50+
￥1.2567
150+
￥1.1185

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型号：DF10S-T 编号：C102616

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.585
50+
￥1.2569
150+
￥1.1163

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型号：SBR5E60P5-13 编号：C2918026

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的高效散热POWERDI封装，提供超低正向压降 (VF) 和出色的高温低反向泄漏稳定性。

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5+
￥1.9973
50+
￥1.5764
150+
￥1.3961

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型号：DF10M 编号：C481915

封装：DFM

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为印刷电路板应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E94661。无铅涂层，符合RoHS标准（日期代码0532+）

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5+
￥2.0223
50+
￥1.6311
150+
￥1.4634

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型号：GBP408_HF 编号：C5149846

封装：GBP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。额定电压达1000V PRV。适用于印刷电路板。采用模制塑料，结构可靠。 UL认证文件编号E94661。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥2.1642
50+
￥1.5874
140+
￥1.3998

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型号：SDM03MT40-7-F 编号：C526762

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT-26封装，具有低电容和低正向压降的特点，设计有保护环用于瞬态保护，适用于低逻辑电平应用。

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1+
￥2.3
10+
￥2.26
30+
￥2.23

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型号：SDM1U30CP3-7 编号：C7356825

封装：X3-DSN1006-2

品牌：DIODES(美台)

是一款30V 1A肖特基势垒整流器，针对非常低的正向压降和低泄漏电流进行了优化，采用紧凑管芯尺寸的表面贴装封装，仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战，同时减少电路板空间。

1+
￥2.76
10+
￥2.71
30+
￥2.67
100+
￥2.64

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型号：PD3S230HQ-7 编号：C460243

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

该肖特基势垒整流器旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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1+
￥2.78
10+
￥2.26
30+
￥2.03
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￥1.75

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型号：SBR10E45P5-7 编号：C73569

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

SBR10E45P5采用紧凑且散热高效的PowerD|₅封装，可提供超低正向压降（Vₓ），并在高温下具备出色的低反向漏电流稳定性。它非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

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1+
￥2.79
10+
￥2.19
30+
￥1.94
100+
￥1.62

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型号：SBR1A30T5-7 编号：C4360674

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的SOD523封装，提供非常低的VF和出色的高温反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。

1+
￥2.87
10+
￥2.32
30+
￥2.09
100+
￥1.79

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型号：ZXTNS618MCTA 编号：C445510

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 20V。连续集电极电流IC = 4.5A。低饱和电压：最大150mV（@1A）。应用：DC-DC转换器

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1+
￥3.285 ￥10.95
10+
￥2.142 ￥10.71
30+
￥1.055 ￥10.55
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￥1.039 ￥10.39

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型号：RH04-T 编号：C155335

封装：MiniDIP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向电压驱动。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。微型封装节省印刷电路板空间。无铅表面处理，符合RoHS标准

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1+
￥3.6852 ￥4.98
10+
￥3.1168 ￥4.87
30+
￥2.592 ￥4.8
100+
￥2.5542 ￥4.73

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型号：1SMB5925B 编号：C5244671

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

1+
￥5.01
10+
￥4.08
30+
￥3.62
100+
￥3.16

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型号：S5MB-13 编号：C5245036

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低反向漏电流。低正向压降。浪涌过载额定值达150A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

1+
￥5.05
10+
￥4.09
30+
￥3.61
100+
￥3.13

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型号：SBR8U60P5Q-13 编号：C5249209

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

这些超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它们非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

1+
￥5.22
10+
￥4.31
30+
￥3.86

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型号：SBR10M100P5Q-13 编号：C6671683

封装：PowerDI5

品牌：DIODES(美台)

这款超级势垒整流器（SBR）二极管旨在满足汽车应用的严格要求，将低正向压降与无与伦比的超低泄漏电流和雪崩能力相结合。它非常适合用作极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。该器件适用于保护敏感的汽车电路免受 ISO7637-2 中定义的浪涌影响。

1+
￥5.36
10+
￥5.25
30+
￥5.18
100+
￥5.11

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型号：GBJ804-F 编号：C526645

封装：GBJ

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：峰值170A。适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。无铅涂层，符合RoHS标准

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1+
￥6.769 ￥9.67
10+
￥4.854 ￥8.09
30+
￥3.61 ￥7.22
100+
￥3.115 ￥6.23
500+
￥2.895 ￥5.79
1000+
￥2.8 ￥5.6

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型号：ES3C-13-F 编号：C460723

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达 100A 峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

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1+
￥9.4202 ￥12.73
10+
￥6.9632 ￥10.88
30+
￥5.2488 ￥9.72
100+
￥4.6116 ￥8.54
500+
￥4.32 ￥8
1000+
￥4.1958 ￥7.77

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型号：KBJ408G 编号：C526652

封装：KBJ

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度，达1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值达120A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。无铅表面处理，符合RoHS标准

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1+
￥10.16
10+
￥8.47
30+
￥7.54

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型号：SDT2U60CP3-7 编号：C19950500

封装：-

品牌：DIODES(美台)

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1+
￥10.55
10+
￥8.82
30+
￥7.87
100+
￥6.8

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型号：SBR30300CTFP 编号：C151438

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。优异的高温稳定性。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。无铅表面处理，符合RoHS标准。也有绿色模塑料版本

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1+
￥13.8
10+
￥11.57
50+
￥10.17

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型号：MBRB20150CT 编号：C25599407

封装：TO-263AB

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、再循环二极管和开关二极管。

1+
￥14.2
10+
￥13.93
30+
￥13.74

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型号：GBJ1510-F 编号：C526640

封装：GBJ

品牌：DIODES(美台)

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￥16.96
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￥16.62
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￥15.7

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型号：MMBZ5241B-7-F 编号：C2760555

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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型号：MMBZ5236B-7-F 编号：C2760578

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

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