平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PJ72AL50SQ 编号：C42436948

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~30V,1Q:3uA(MAX.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):200mA PD：0.74W.低压差，低功耗，电流限制，短路及热关断保护

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771

有货

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型号：PJ72AL40SQ 编号：C42436949

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~30V,IQ:3uA(MAX.) ,VOUT:4V ,IOUT(MAX):200mA PD：0.74W.低压差，低功耗，电流限制，短路及热关断保护

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771

有货

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型号：PJ73AL44SQ 编号：C42436946

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压:20V(MAX.),1Q:1.5uA(TYP.) ,VOUT:4.4V ,IOUT(MAX):300mA PD：0.5W.低压差，低功耗，低温飘。

5+
￥0.6072
50+
￥0.48
150+
￥0.4164

有货

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型号：PJ1117ST-2.5 编号：C23376666

封装：SOT-223

品牌：PJSEMI(平晶微)

VIN(MAX):15V IOUT(MAX):1A,VOUT:2.5V

5+
￥0.6599
50+
￥0.5216
150+
￥0.4525

有货

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型号：PJ73HM33SA 编号：C45406549

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~20V,1Q:2uA(TYP.) ,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):500mA PD：0.4W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，软启动，良好的负载及线性调整率，热关断保护

5+
￥0.7103
50+
￥0.5615
150+
￥0.4871

有货

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型号：PJ73HM50SQ 编号：C42436935

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压范围：3~20V,1Q:2uA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):500mA PD：0.66W.低压差，低功耗，快速瞬态反应，软启动，良好的负载及线性调整率，热关断保护

5+
￥0.8592
50+
￥0.6792
150+
￥0.5892

有货

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型号：PJ78M12TE 编号：C469394

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

5+
￥0.955
50+
￥0.7705
150+
￥0.6782
500+
￥0.609
2500+
￥0.4506
5000+
￥0.4229

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型号：PJ9193M15SE 编号：C686639

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

3000+
￥0.204
6000+
￥0.2006
12000+
￥0.1955
24000+
￥0.187

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型号：PJ78L12SQ 编号：C411744

封装：SOT-89-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

10+
￥0.4198
100+
￥0.3353
300+
￥0.2931
3000+
￥0.2449
6000+
￥0.2195
9000+
￥0.2068

有货

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型号：PJMG10P60SQ 编号：C42388541

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道，VDS=-60V ID=-10A ,PD:1.5W RDS(ON)<75mΩ@Vgs=-10V,

1000+
￥0.48
2000+
￥0.472
4000+
￥0.46
8000+
￥0.44

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型号：PJM2309PSC 编号：C2683747

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：VDS =-60V，ID =-4A。 RDS(ON) = 180mΩ (最大值) @-10V。无卤和无锑。应用：负载开关和PWM应用。电源管理

数据手册

3000+
￥0.228
6000+
￥0.2242
12000+
￥0.2185
24000+
￥0.209

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型号：2N5551SQ 编号：C42405710

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

NPN,VCEO:160V,IC:0.6A,PD:0.5W,VCE(SAT):0.2V(MAX.),HFE:30-250

1000+
￥0.168
2000+
￥0.1652
4000+
￥0.161
8000+
￥0.154

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型号：PJM65H0D5NSA 编号：C42431756

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

N沟道，VDS=650V ID=50mA ,PD:1.39W RDS(ON)<175Ω@Vgs=10V

5+
￥0.4926
50+
￥0.3894
150+
￥0.3378
500+
￥0.2991
3000+
￥0.2682

有货

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型号：BCV49 编号：C42405715

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

NPN,VCEO:60V,IC:0.5A,PD:1.1W VCE(sat):1.5V

1000+
￥0.222
2000+
￥0.2183
4000+
￥0.21275
8000+
￥0.2035

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型号：PJ56L33SC 编号：C23376661

封装：SOT-23-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压80V,1Q:2uA,VOUT:3.3V ,IOUT(MAX):150mA ,PSRR:70dB@1KHZ

3000+
￥0.396
6000+
￥0.3894
12000+
￥0.3795
24000+
￥0.363

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型号：ESDB5V0ADB 编号：C22470314

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB系列TVS是双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDU...ADB系列TVS采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.0788
200+
￥0.077
600+
￥0.0758
2000+
￥0.0746

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型号：PXT8050D 编号：C42405708

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

NPN,VCEO:25V,IC:1.5A,PD:1W,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:160-320

1000+
￥0.162
2000+
￥0.1593
4000+
￥0.15525
8000+
￥0.1485

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型号：PJM20P30TE 编号：C36493745

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=30V ID=20A ,PD:29W RDS(ON)<20mΩ@Vgs=10V

2500+
￥0.444
5000+
￥0.4366
10000+
￥0.4255
20000+
￥0.407

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型号：PJM06C60PA 编号：C22438601

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=60V,ID=6A,，RDS(ON) <50mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-60V,ID=-6A,，RDS(ON) <70mΩ@Vgs=-10V,Trench工艺，低内阻,开关速度快

5+
￥1.3798
50+
￥1.0834
150+
￥0.9564
500+
￥0.798
2500+
￥0.7274
4000+
￥0.6851

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型号：PJM3407PSA 编号：C411719

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：VDS =-30V。 ID =-4.1A。 RDS(on) = 50mΩ (典型值) @ VGS =-10V。高密度单元设计，实现超低 RDS(ON)。低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM 应用

数据手册

3000+
￥0.18
6000+
￥0.177
12000+
￥0.1725
24000+
￥0.165

我要订货

型号：PJM3416NSA 编号：C5359582

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

3000+
￥0.222
6000+
￥0.2183
12000+
￥0.21275
24000+
￥0.2035

我要订货

型号：PJ9500M12SE 编号：C20618179

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

宽电压输入范围1.8~6V，超低功耗，IQ仅800nA,PSRR=60dB@10KHz，低压差，短路保护，电流限制保护，过温保护，带使能脚

3000+
￥0.222
6000+
￥0.2183
12000+
￥0.21275
24000+
￥0.2035

我要订货

型号：TL432SE 编号：C41368018

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:1.24V(1%） VKA:1.24~18V,IKA:0.1~100mA,工作温度范围：-40℃~125℃，

3000+
￥0.24
6000+
￥0.236
12000+
￥0.23
24000+
￥0.22

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型号：DW03 编号：C686634

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

DW03是一款用于锂离子/聚合物电池保护的高集成解决方案。DW03内置功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW03具备电池应用中所需的所有保护功能，包括过充电、过放电、过流和负载短路保护等

数据手册

3000+
￥0.18
6000+
￥0.177
12000+
￥0.1725
24000+
￥0.165

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型号：PJ9193M33SE 编号：C686644

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高精度、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。在压降状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

3000+
￥0.204
6000+
￥0.2006
12000+
￥0.1955
24000+
￥0.187

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型号：PJ9193M28SE 编号：C686642

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册