平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PJ54DM18SE 编号：C41398496

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:1.8V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ,压差：350mV@100mA.带EN脚

5+
￥0.8248
50+
￥0.652
150+
￥0.5656
500+
￥0.5008

有货

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型号：PJ9570M12DFC 编号：C41398503

封装：DFN-6L-EP(2x2)

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压6.5V,1Q:70uA,VOUT:1.2V ,IOUT(MAX):500mA ,PSRR:75dB@1KHZ,压差：100mV@100mA.带EN脚

5+
￥1.0091
50+
￥0.7923
150+
￥0.6995

有货

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型号：PJ7905TE 编号：C36493737

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

VIN(MAX):35V VOUT:5V ,IOUT(MAX):1.5A ,PD:2W 负级性

5+
￥1.0474
50+
￥1.0229
150+
￥1.0066

有货

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型号：TL431PA 编号：C30187477

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

精度：1%，Vref:2.495V,工作温度：-45℃~125℃

5+
￥0.2609
50+
￥0.2549
150+
￥0.2508

有货

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型号：TL432SQ 编号：C42405716

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:1.24V (1%）输出电压范围:1.24V~18V,IKA:0.1~100mA,工作温度范围：-40℃-+125℃

5+
￥0.2858
50+
￥0.2791
150+
￥0.2747

有货

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型号：PJ1117SQ-5.0 编号：C42436950

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

输入电压:15V(MAX.),1Q:2mA(TYP.) ,VOUT:5V ,IOUT(MAX):1A

5+
￥0.2858
50+
￥0.2791
150+
￥0.2747

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型号：TL432ACSQ 编号：C42388531

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:1.25V(0.5%） VKA:1.25V~18V,IKA:0.1~100mA,工作温度范围：-40℃~125℃

5+
￥0.2982
50+
￥0.2913
150+
￥0.2867

有货

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型号：PJ9193M25SE 编号：C686641

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

100+
￥0.2295
1000+
￥0.221
3000+
￥0.2125
6000+
￥0.1955
10000+
￥0.1904

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型号：PJ1117ST-5.0 编号：C23376668

封装：SOT-223

品牌：PJSEMI(平晶微)

VIN(MAX):15V IOUT(MAX):1A,VOUT:5V

5+
￥0.3578
50+
￥0.3495
150+
￥0.344

有货

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型号：DW03 编号：C686634

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

DW03是一款用于锂离子/聚合物电池保护的高集成解决方案。DW03内置功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW03具备电池应用中所需的所有保护功能，包括过充电、过放电、过流和负载短路保护等

数据手册

100+
￥0.2025
1000+
￥0.195
3000+
￥0.1875
6000+
￥0.1725
10000+
￥0.168

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型号：PJ78M12TE 编号：C469394

封装：TO-252

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

5+
￥0.955
50+
￥0.7705
150+
￥0.6782
500+
￥0.609
2500+
￥0.4506
5000+
￥0.4229

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型号：PJ9193M15SE 编号：C686639

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

100+
￥0.2295
1000+
￥0.221
3000+
￥0.2125
6000+
￥0.1955
10000+
￥0.1904

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型号：PJ78L12SQ 编号：C411744

封装：SOT-89-3

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

10+
￥0.4198
100+
￥0.3353
300+
￥0.2931
3000+
￥0.2449
6000+
￥0.2195
9000+
￥0.2068

有货

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型号：PJMG10P60SQ 编号：C42388541

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

SGT屏蔽栅沟槽型,P沟道，VDS=-60V ID=-10A ,PD:1.5W RDS(ON)<75mΩ@Vgs=-10V,

100+
￥0.54
1000+
￥0.52
3000+
￥0.5
6000+
￥0.46
10000+
￥0.448

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型号：ESDB5V0ADB 编号：C22470314

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB系列TVS是双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESDU...ADB系列TVS采用DFN1x0.6-2L封装。标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.0788
200+
￥0.077
600+
￥0.0758
2000+
￥0.0746

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型号：PXT8050D 编号：C42405708

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

NPN,VCEO:25V,IC:1.5A,PD:1W,VCE(SAT):0.5V(MAX.),HFE:160-320

100+
￥0.18225
1000+
￥0.1755
3000+
￥0.16875
6000+
￥0.15525
10000+
￥0.1512

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型号：DTC144EDC 编号：C3000404

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺

数据手册

500+
￥0.105
2000+
￥0.0975
5000+
￥0.09
10000+
￥0.08625
50000+
￥0.0825

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型号：PJM10H05PPA 编号：C22438607

封装：SOP-8

品牌：PJSEMI(平晶微)

1个P沟道，VDS=-100V,ID=-5A,Trench工艺， RDS(ON) <350mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <400mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):1.9W

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452
2500+
￥0.3991
4000+
￥0.376

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型号：2N4403SQ 编号：C42405712

封装：SOT-89

品牌：PJSEMI(平晶微)

PNP VCEO:-40V,IC:-0.6A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.75V(MAX.)，HFE:20-300

10+
￥0.1802
100+
￥0.176
300+
￥0.1732
1000+
￥0.1704

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型号：DTC143ZDC 编号：C3000406

封装：DFN-3L(1x0.6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺

数据手册

500+
￥0.105
2000+
￥0.0975
5000+
￥0.09
10000+
￥0.08625
50000+
￥0.0825

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型号：BC817SG-40 编号：C41398500

封装：SOT-23-6

品牌：PJSEMI(平晶微)

两个NPN,Vceo=45V,Ic:500mA,HFE:250-600,PD:950mW

10+
￥0.2681
100+
￥0.2119
300+
￥0.1839
3000+
￥0.1628
6000+
￥0.146
9000+
￥0.1375

订货

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型号：PJM3416NSA 编号：C5359582

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

100+
￥0.24975
1000+
￥0.2405
3000+
￥0.23125
6000+
￥0.21275
10000+
￥0.2072

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型号：PJ54DM50SE 编号：C41367946

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

耐压55V,1Q:2.1uA,VOUT:5V ,IOUT(MAX):350mA ,PSRR:85dB@1KHZ,压差：350mV@100mA.

100+
￥0.459
1000+
￥0.442
3000+
￥0.425
6000+
￥0.391
10000+
￥0.3808

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型号：TL432SE 编号：C41368018

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

Vref:1.24V(1%） VKA:1.24~18V,IKA:0.1~100mA,工作温度范围：-40℃~125℃，

100+
￥0.27
1000+
￥0.26
3000+
￥0.25
6000+
￥0.23
10000+
￥0.224

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型号：PJ9193M33SE 编号：C686644

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高精度、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。在压降状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

100+
￥0.2295
1000+
￥0.221
3000+
￥0.2125
6000+
￥0.1955
10000+
￥0.1904

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型号：PJ9193M28SE 编号：C686642

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器，采用CMOS工艺制造。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间。在关断模式下功耗小于1μA，开启时间小于50μs。其他特点包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册