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首页 > 热门关键词 > 银河微电子二极管
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  • 特性:高饱和电压。 与FMMT491互补。 出色的hFE线性度。 hFE特性高达-2A,以保持高电流增益
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      ¥0.2963
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  • 特性:低噪声和高增益。 高功率增益
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      ¥0.313
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(MMBT5401)
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      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

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  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(MMBT5401)
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.0546
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(MMBT5551)
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.0546
  • 有货
  • 特性:出色的hFE线性度。高电压。与2SC1623互补
    • 20+

      ¥0.1229
    • 200+

      ¥0.0958
    • 600+

      ¥0.0807
  • 有货
  • 特性:高电流增益。 出色的hFE线性度。 30Hz至15kHz之间低噪声
    • 20+

      ¥0.1325
    • 200+

      ¥0.1032
    • 600+

      ¥0.0869
  • 有货
  • 特性:高集电极电流 (IC = 500mA)。 与S9013互补。 出色的HFE线性度。应用:高集电极电流
    • 20+

      ¥0.1339
    • 200+

      ¥0.1043
    • 600+

      ¥0.0879
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 与MMBT4401互补
    • 20+

      ¥0.1437
    • 200+

      ¥0.1119
    • 600+

      ¥0.0943
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 与MMBT2907A互补。 超小型表面贴装封装
    • 20+

      ¥0.1466
    • 200+

      ¥0.1142
    • 600+

      ¥0.0962
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 超小型表面贴装封装。 高电流增益带宽积
    • 20+

      ¥0.1694
    • 200+

      ¥0.1319
    • 600+

      ¥0.1111
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) ≤ 45 mΩ @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) ≤ 59 mΩ @ VGS = 2.5 V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 静电敏感器件。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
    • 20+

      ¥0.221
    • 200+

      ¥0.1695
    • 600+

      ¥0.1409
  • 有货
  • 特性:高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:笔记本电脑电源管理。 开关应用
    • 20+

      ¥0.2249
    • 200+

      ¥0.1752
    • 600+

      ¥0.1476
  • 有货
  • 特性:集电极-发射极电压:VCEO = 400V。 集电极电流高达300mA。 与MMBTA94互补。 功率耗散:PD(max.) = 350mW。 MSL 1。应用:高压晶体管
    • 10+

      ¥0.2965
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      ¥0.2344
    • 300+

      ¥0.2033
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
  • 有货
  • 特性:集电极-发射极电压:VCEO = -400V。 集电极耗散功率:PC = 350mW。 低集电极-发射极饱和电压。应用:高压开关。 电话开关
    • 10+

      ¥0.382
    • 100+

      ¥0.3019
    • 300+

      ¥0.2619
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA,VCE = 5V时为50~600%。 输入和输出之间的高隔离电压(Viso = 5000V rms)。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度:-55°C~110°C。应用:可编程控制器。 系统电器、测量仪器
    • 10+

      ¥0.4103
    • 100+

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    • 300+

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    • 4000+

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  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 低栅极电荷。 快速开关速度
    • 5+

      ¥0.6599
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    • 150+

      ¥0.4525
    • 500+

      ¥0.4007
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小型扁平封装。应用:高压开关模式应用
    • 5+

      ¥0.6874
    • 50+

      ¥0.5434
    • 150+

      ¥0.4714
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 提供互补NPN类型
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
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      ¥0.0546
  • 有货
  • hFE:200-350
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      ¥0.103
    • 600+

      ¥0.0868
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 湿敏等级1级。应用:N沟道增强型场效应晶体管。 开关应用
    • 20+

      ¥0.1334
    • 200+

      ¥0.104
    • 600+

      ¥0.0876
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP产品MMBT4403。 符合MSL 1级标准。应用:桌面和手持系统中的通用应用。 适用于中功率信号放大和开关
    • 20+

      ¥0.1437
    • 200+

      ¥0.1119
    • 600+

      ¥0.0943
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 与BC817互补。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压
    • 20+

      ¥0.1535
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    • 3000+

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  • 有货
  • 特性:与2SC1815互补。 优秀的hFE线性度。 高电压和高电流。 低噪声。 集电极-发射极电压BVCEO =-50V。应用:低频、低噪声放大器
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