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首页 > 热门关键词 > 银河微电子二极管
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描述
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操作
5kV
型号：BL1019 编号：C41416266
封装：LSOP-4L
品牌：GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA，VCE = 5V时为50~600%；IF = 10mA，VCE = 5V时为63~320%。 输入输出间高隔离电压（Viso = 5000V rms）。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C~110°C。 VDE：40052527。 UL：E340048。应用：可编程控制器。 系统设备、测量仪器

  • 10+

    ￥0.3022

  • 100+

    ￥0.2632

  • 300+

    ￥0.2437

  • 3000+

    ￥0.2291
  • 有货
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    PNP 电流:1A 电压:32V
    型号：2SB1132 BAR 编号：C21882704
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：外延平面芯片结构。 与T2SD1664互补。 超小型表面贴装封装

    • 10+

      ￥0.324

    • 100+

      ￥0.2561

    • 300+

      ￥0.2222
  • 有货
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    BL817B
    型号：BL817B 编号：C41416202
    封装：DIP-4L
    品牌：GME(银河微电)

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357

    • 1000+

      ￥0.2087
  • 有货
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    NPN型硅外延平面晶体管
    型号：CXT5551 编号：C21882595
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：外延平面管芯结构。 高压下的开关和放大。 低电流。 高电压

    • 10+

      ￥0.3574

    • 100+

      ￥0.2826

    • 300+

      ￥0.2451
  • 有货
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    DC 5kV
    型号：BL817SC 编号：C41416260
    封装：SMD-4L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%-600%。 输入和输出之间的高隔离电压（Viso）：5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。应用：可编程控制器。 系统设备、测量仪器

    • 10+

      ￥0.3698

    • 100+

      ￥0.2882

    • 300+

      ￥0.2474

    • 2000+

      ￥0.2168
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:32V
    型号：2SD1664 DAR 编号：C21882710
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：低饱和电压：VCE(m) = 0.15V（典型值）（Ic / Ib = 500mA / 50mA），PC = 0.5W。 与2SB1132互补。应用：NPN硅晶体管

    • 10+

      ￥0.3886

    • 100+

      ￥0.3072

    • 300+

      ￥0.2665
  • 有货
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    PNP 电流:0.8A 电压:30V
    型号：KTA1664 编号：C21882526
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：小型扁平封装。 互补型号：KTC4376

    • 10+

      ￥0.4216

    • 100+

      ￥0.3333

    • 300+

      ￥0.2891

    • 1000+

      ￥0.256
  • 有货
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    5V 100mA 20V
    型号：BL78L05 编号：C374989
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：如果提供足够的散热措施，可提供超过100mA的输出电流。 热过载保护。 短路电流限制。 输出电压为5V

    • 10+

      ￥0.4844

    • 100+

      ￥0.3893

    • 300+

      ￥0.3418
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:3A 电压:50V
    型号：2SA1797 AGQ 编号：C21882701
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：低饱和电压：VC(sat) = 0.35V(Max.) (IC / IB = 1A / 0.5A)。优异的直流电流增益特性。与2SA1797和2SC4672互补。MSL 3。应用：低频晶体管

    • 5+

      ￥0.4908

    • 50+

      ￥0.388

    • 150+

      ￥0.3366
  • 有货
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    NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：2SC4672 DKQ 编号：C21882708
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：低饱和电压。 出色的直流电流增益特性。 与2SA1797互补。应用：功率放大器应用

    • 5+

      ￥0.5006

    • 50+

      ￥0.3958

    • 150+

      ￥0.3433
  • 有货
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    3.75kV
    型号：BL3H7A 编号：C41425717
    封装：SSOP-4
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为80~600%。 输入与输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C~110°C。应用：开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器

    • 5+

      ￥0.5389

    • 50+

      ￥0.4333

    • 150+

      ￥0.3805

    • 500+

      ￥0.3409
  • 有货
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    NPN 电流:1A 电压:160V
    型号：2SC2383 编号：C21882585
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)

    • 5+

      ￥0.5847

    • 50+

      ￥0.4622

    • 150+

      ￥0.401
  • 有货
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    12V 250mA 35V
    型号：BL79L12 编号：C21882668
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：有多种输出电压系列。 音频频率具有出色的纹波抑制比。 最大功耗大：800 mW。 过流和过温保护。应用：三端负固定电压调节器

    • 5+

      ￥0.6908

    • 50+

      ￥0.5461

    • 150+

      ￥0.4737
  • 有货
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    5V 300mA 35V
    型号：BL79L05 编号：C21882694
    封装：SOT-89
    品牌：GME(银河微电)
    特性：有多种输出电压系列。 音频频率具有出色的纹波抑制比。 最大功耗大：800 mW。 过流和过温保护。应用：三端负固定电压调节器

    • 5+

      ￥0.7375

    • 50+

      ￥0.583

    • 150+

      ￥0.5058
  • 有货
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    6V 700mA 35V
    型号：BL78M06 编号：C21882517
    封装：TO-252
    品牌：GME(银河微电)
    特性：输出电流超过0.5A。 无需外部组件。 内部热过载保护。 内部短路电流限制。 输出晶体管安全区补偿。应用：三端正电压调节器

    • 5+

      ￥0.8196

    • 50+

      ￥0.6511

    • 150+

      ￥0.5669
  • 有货
    • 立即购买
    5kV
    型号：BL815 编号：C41425715
    封装：DIP-4L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR：在IF = 1mA，VCE = 2V时为600~7500%）。 输入输出间高隔离电压（Viso = 5000V rms）。 工作温度：-55℃~110℃。应用：开关电源、智能电表。 工业控制、测量仪器

    • 5+

      ￥0.8706

    • 50+

      ￥0.6882

    • 200+

      ￥0.597

    • 500+

      ￥0.5286
  • 有货
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    随机相位三端双向可控硅驱动光耦
    型号：BLM3021 编号：C42378399
    封装：SOP-4
    品牌：GME(银河微电)
    特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。 工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。 镇流器

    • 5+

      ￥1.0828

    • 50+

      ￥0.856

    • 150+

      ￥0.7588

    • 500+

      ￥0.6375

    • 3000+

      ￥0.5835
  • 有货
    • 立即购买
    1
    型号：BL3052 编号：C41425726
    封装：DIP-6L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms）。 工作温度：-55℃ ~ 100℃。应用：电磁阀控制。 镇流器

    • 5+

      ￥2.1354

    • 50+

      ￥1.6767

    • 130+

      ￥1.4802

    • 520+

      ￥1.2349
  • 有货
    • 立即购买
    BL847C
    型号：BL847 编号：C42378424
    封装：DIP-16L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比 (CTR: 50~600% at IF = 5mA, VCE = 5V)。 输入和输出之间的高隔离电压 (Viso = 5000V rms)。 集电极-发射极击穿电压 BVCEO ≥ 80V。 工作温度: -55°C~110°C。应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器

    • 5+

      ￥2.3414

    • 50+

      ￥1.851

    • 140+

      ￥1.6408

    • 500+

      ￥1.3785
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2412G 编号：C393555
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    特性：低集电极输出电容：Cob = 2.0 pF。 与2SA1037互补。应用：NPN硅外延平面晶体管
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1018

    • 500+

      ￥0.0775

    • 3000+

      ￥0.064

    • 6000+

      ￥0.0559

    • 24000+

      ￥0.0488

    • 51000+

      ￥0.045
  • 订货
    • 我要订货
    NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：MMBT5551G 编号：C380897
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（MMBT5401）。 也有无铅版本。 MSL 1。应用：适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1018

    • 500+

      ￥0.0775

    • 3000+

      ￥0.064

    • 6000+

      ￥0.0559

    • 24000+

      ￥0.0488

    • 51000+

      ￥0.045
  • 订货
    • 我要订货
    NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：2SC945G 编号：C380909
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    HFE:200-400
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1085

    • 500+

      ￥0.0826

    • 3000+

      ￥0.0682

    • 6000+

      ￥0.0596

    • 24000+

      ￥0.0521

    • 51000+

      ￥0.048
  • 订货
    • 我要订货
    hfe:100-300 PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907AG 编号：C380905
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补的NPN类型MMBT2222A。 适用于中功率放大和开关。 MSL 1。应用：通用放大器和开关。 作为开关时，有用动态范围扩展到600mA；作为放大器时，有用动态范围扩展到100MHz
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1131

    • 500+

      ￥0.0861

    • 3000+

      ￥0.0711

    • 6000+

      ￥0.0621

    • 24000+

      ￥0.0543

    • 51000+

      ￥0.05
  • 订货
    • 我要订货
    hFE:100-300 PNP 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT4403G 编号：C380913
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    HFE:100-300
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1131

    • 500+

      ￥0.0861

    • 3000+

      ￥0.0711

    • 6000+

      ￥0.0621

    • 24000+

      ￥0.0543

    • 51000+

      ￥0.05
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:63V 电流:300mA
    型号：2N7002KG 编号：C393558
    封装：SOT-23
    品牌：GME(银河微电)
    特性：低导通电阻。 高静电放电能力。 高速开关。 低电压驱动(4V)。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.147

    • 200+

      ￥0.1119

    • 600+

      ￥0.0924

    • 3000+

      ￥0.0807

    • 9000+

      ￥0.0705

    • 21000+

      ￥0.065
  • 订货
    • 我要订货
    DC 5kV
    型号：BL1017 编号：C41416264
    封装：LSOP-4L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA，VCE = 5V时为50~600%；IF = 10mA，VCE = 5V时为63~320%。 输入输出间高隔离电压：Viso = 5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55℃~110℃。 通过VDE认证。 通过UL认证。应用：可编程控制器。 系统设备、测量仪器

    • 10+

      ￥0.3198

    • 100+

      ￥0.2808

    • 300+

      ￥0.2613

    • 1000+

      ￥0.2467

    • 5000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    DC 5kV
    型号：BL817X 编号：C42378426
    封装：DIP-4L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为50%-600%。 输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器

    • 10+

      ￥0.3511

    • 100+

      ￥0.2791

    • 300+

      ￥0.2431

    • 1000+

      ￥0.2161

    • 5000+

      ￥0.1945
  • 有货
    • 立即购买
    DC 3.75kV
    型号：BL357A 编号：C41425704
    封装：SOP-4
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为80~600%。 输入输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C~110°C。应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器

    • 5+

      ￥0.3608

    • 50+

      ￥0.3168

    • 150+

      ￥0.2948

    • 500+

      ￥0.2783

    • 3000+

      ￥0.2651
  • 有货
    • 立即购买
    DC 3.75kV
    型号：BL357C 编号：C41425706
    封装：SOP-4
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为80~600%。 输入输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C~110°C。应用：可编程控制器。 系统电器、测量仪器

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    5kV
    型号：BL817SB 编号：C41416259
    封装：SMD-4L
    品牌：GME(银河微电)
    特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%-600%。 输入和输出之间的高隔离电压（Viso）：5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度：-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。应用：可编程控制器。 系统设备、测量仪器

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