应能微二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOD-523

AR0521D5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521D5具有超低电容，典型值为0.3 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±22 kV。它采用SOD - 523无铅封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力使AR0521D5成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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型号：AR0502P1 编号：C3002754

封装：DFN1006-3

品牌：Applied Power(应能微)

AR0502P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0502P1具有超低电容，典型值为0.6 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±20 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。其小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力，使AR0502P1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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型号：SLVU2.8-4 编号：C712152

封装：SO-8

品牌：Applied Power(应能微)

SLVU2.8 - 4旨在保护低压CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该TVS集成了低电容补偿二极管，可将每线路的典型电容降至1pF。SLVU2.8 - 4符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15KV，接触放电±8KV。SLVU2.8 - 4采用8引脚无铅SO - 8封装。低泄漏、信号完整性和直连式设计的结合，使SLVU2.8 - 4非常适用于如10/100/1000以太网等应用。

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型号：AU2451D1F-T 编号：C3002765

封装：SOD-123FL

品牌：Applied Power(应能微)

AUXXX1D1F-T 是瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受雷击和电压瞬变造成的损坏。

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型号：CM3400 编号：C5183027

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

CM3400是采用高单元密度沟槽技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计对开关性能进行了优化，尤其旨在将导通电阻降至最低。

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￥0.15864 ￥0.2644
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型号：ASD24C 编号：C712129

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

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型号：CM4407 编号：C5183028

封装：SO-8

品牌：Applied Power(应能微)

CM4407 是采用沟槽技术的高单元密度 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最大程度降低导通电阻。

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￥0.60294 ￥1.0049
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型号：AU0701P4-3 编号：C393866

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Applied Power(应能微)

AU0701P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感线路的理想解决方案。AU0701P4 - 3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，每个器件可保护一条线路。小尺寸与高浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、液晶显示器、USB和多媒体卡接口等应用。

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￥0.33258 ￥0.5543
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型号：LC03-3.3 编号：C712150

封装：SOIC-8

品牌：Applied Power(应能微)

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型号：ASD12C 编号：C712126

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

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￥0.2917
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型号：ASD33C 编号：C712123

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

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型号：ASD08C 编号：C712125

封装：SOD-323

品牌：Applied Power(应能微)

ASDXXC专为取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。ASDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。ASDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

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1+
￥0.2454
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型号：CM3407 编号：C5183026

封装：SOT-23

品牌：Applied Power(应能微)

CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。

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￥0.2366
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型号：AU1501P4-3 编号：C393867

封装：DFN-3L(2x2)

品牌：Applied Power(应能微)

AU1501P4 - 3是一款高功率瞬态电压抑制器（TVS），采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感线路的理想选择。AU1501P4 - 3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用3引脚DFN2020 - 3无铅封装，每个器件可保护一条线路。其体积小、浪涌能力高，非常适合用于手机、液晶显示器、USB和多媒体卡接口等应用。

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